Transistor planaire de haute performance de silicium du transistor Npn de transistor de MOSFET de puissance de FZT653TA
Caractéristiques
Collector-Base Voltage:
120 V
Collector-Emitter Voltage:
100 V
Emitter-Base Voltage:
5 V
Peak Pulse Current:
6 A
Continuous Collector Current:
2 A
Operating and Storage Temperature:
-55 to +150 °C
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Array
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Courant:
MOQ:
10pcs