Transistors de puissance moyenne du transistor NPN de transistor MOSFET de la puissance BCP56-16
multi emitter transistor
,silicon power transistors
BCP54 ; BCP55 ; BCP56
Transistors de puissance moyenne de NPN
CARACTÉRISTIQUES
• À forte intensité (maximum 1 A)
• Basse tension (maximum 80 V).
APPLICATIONS
• Commutation.
DESCRIPTION
Transistor de puissance moyenne de NPN dans un paquet SOT223 en plastique.
PNP complète : BCP51, BCP52 et BCP53.
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | base |
| 2,4 | collecteur |
| 3 | émetteur |
VALEURS LIMITES
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134)
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Mn. | MAXIMUM. | UNITÉ |
| VCBO |
tension de collecteur-base BCP54 BCP55 BCP56 |
émetteur ouvert |
− − − |
45 60 100 |
V |
| VCEO |
tension de collecteur-émetteur BCP54 BCP55 BCP56 |
base ouverte |
− − − |
45 60 80 |
V |
| VEBO | tension d'émetteur-base | collecteur ouvert | - | 5 | V |
| IC | courant de collecteur (C.C) | - | 1 | ||
| Missile aux performances améliorées | courant de collecteur maximal | - | 1,5 | ||
| IBM | courant bas maximal | - | 0,2 | ||
| Ptot | dissipation de puissance totale | °C du ≤ 25 de Tamb ; note 1 | - | 1,33 | W |
| Tstg | température de stockage | -65 | +150 | °C | |
| Tj | la température de jonction | - | 150 | °C | |
| Tamb | température ambiante fonctionnante | -65 | +150 | °C |
Notez 1. dispositif monté sur le panneau de circuit imprimé, le cuivre à simple face, étampé, support de fixation pour le collecteur 1 cm2. Pour d'autres conditions de montage, voir « les considérations thermiques pour SOT223 dans la partie générale du manuel associé ».
CONTOUR DE PAQUET
Paquet monté extérieur en plastique ; protection de collecteur pour le bon transfert de chaleur ; 4 avances SOT223
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| PIC24FJ64GA004-I/PT | 4138 | PUCE | 15+ | TQFP |
| PCF8591T | 13260 | PHILIPS | 16+ | CONCESSION |
| MD1211LG-G | 5830 | SUPERTEX | 16+ | QFN |
| NDS332P | 40000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| NCP1117STAT3G | 10000 | SUR | 16+ | SOT-223 |
| SAK-XC164CM-16F40FBA | 500 | 13+ | LQFP-64 | |
| ZTX1053A | 3980 | ZETEX | 13+ | TO-92S |
| M29F200BB-70N6 | 3841 | St | 16+ | TSSOP |
| OPA347NA | 7440 | TI | 14+ | SOT23-5 |
| LM4652TF | 1435 | NSC | 13+ | ZIP-15 |
| PIC24FJ64GB106-I/PT | 4118 | PUCE | 16+ | TQFP |
| LM4651N | 1543 | NSC | 14+ | DIP-28 |
| PC3H711NIP | 30000 | DIÈSE | 16+ | CONCESSION |
| PC3Q67QJ000F | 11500 | DIÈSE | 16+ | CONCESSION |
| MC68302PV16C | 3628 | MOT | 10+ | QFP |
| LMH0356SQE | 437 | TI | 15+ | WQFN-48 |
| LMH0036SQE | 1226 | NSC | 12+ | LLP |
| CY7B1399B-15VC | 500 | CYPRESS | 01+ | SOJ |
| MAX3232EEUE+T | 11450 | MAXIME | 16+ | TSSOP |
| PIC18F66K22-I/PT | 4308 | PUCE | 14+ | QFP |
| PESD5V0S1BA | 25000 | 16+ | GAZON | |
| NUP5150MUTBG | 5340 | SUR | 16+ | QFN |
| CS4954-CQZR | 2476 | CIRRUS | 10+ | TQFP-48 |
| MIC2951-02YM | 6460 | MICREL | 11+ | CONCESSION |
| MUR1620CTG | 10000 | SUR | 16+ | TO-220 |
| MKL25Z128VLK4 | 1070 | FREESCALE | 14+ | LQFP |
| BD82H61 SLJ4B | 340 | INTEL | 13+ | BGA |
| MBR0540T1G | 20000 | SUR | 15+ | SOD-123 |
| SAP16PO | 300 | SANKEN | 06+ | TO-3P |
| M48T02-120PC1 | 3607 | St | 15+ | IMMERSION |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC