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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor double transistor à effet de champ de N de transistor MOSFET de puissance de NDS9952A et de P-canal

Transistor double transistor à effet de champ de N de transistor MOSFET de puissance de NDS9952A et de P-canal

Transistor double transistor à effet de champ de N de transistor MOSFET de puissance de NDS9952A et de P-canal
Transistor double transistor à effet de champ de N de transistor MOSFET de puissance de NDS9952A et de P-canal
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mosfet Array 30V 3.7A, 2.9A 900mW Montage en surface 8-SOIC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
30 ou -30 V
Tension de Porte-source:
± 20 V
Dissipation de puissance pour le fonctionnement en parallèle:
2 W
Opération et température de stockage:
°C -55 à 150
Résistance thermique, jonction-à-ambiante:
78 °C/W
Résistance thermique, jonction-à-cas:
40 °C/W
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

NDS9952A

Double transistor à effet de champ de mode d'amélioration de N et de P-canal

Description générale

Ces de doubles transistors à effet de champ de n et de puissance de mode d'amélioration de P-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, densité élevée de cellules, technologie de DMOS. Ce processus très à haute densité est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournir la représentation de changement supérieure, et résiste à des impulsions de haute énergie en modes d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs approprié en particulier aux applications de basse tension telles que la gestion de puissance d'ordinateur portable et d'autres circuits à piles où la commutation rapide, la basse perte de puissance intégrée, et la résistance aux coupures sont nécessaires.

Caractéristiques

  • N-canal 3.7A, 30V, le RDS (DESSUS) =0.08W @ VGS =10V.
  • P-canal -2.9A, -30V, le RDS (DESSUS) =0.13W @ VGS =-10V.
  • Conception à haute densité de cellules ou extrêmement - le bas RDS (DESSUS).
  • Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti.
  • Double (N et P-canal) transistor MOSFET en paquet de bâti de surface.

Capacités absolues MERCI = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre N-canal P-canal Unités
VDSS Tension de Drain-source 30 -30 V
VGSS Tension de Porte-source ± 20 ± 20 V
Identification

Vidangez actuel - continu (note 1a)

- Pulsé

 ± 3,7 ± 2,9
± 15 ± 150
Palladium Dissipation de puissance pour le fonctionnement en parallèle 2 W

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

 1,6
1
0,9
TJ, TSTG Température ambiante d'opération et de température de stockage -55 à 150 °C

Notes : 1. RθJA est la somme du jonction-à-cas et de la résistance thermique cas-à-ambiante où la référence thermique de cas est définie comme surface de montage de soudure des goupilles de drain. RθJC est garanti par conception tandis que RθCA est déterminé par la conception du conseil de l'utilisateur.

RθJA typique pour l'opération à un dispositif utilisant les dispositions de conseil montrées ci-dessous sur 4,5" » carte PCB de FR-4 x5 dans un environnement aérien encore :

a. 78℃/W quand a monté sur un 0,5 dansla protection2 du cpper 2oz.

b. 125℃/W quand a monté sur un 0,02 dansla protection2 du cpper 2oz.

c. 135℃/W quand a monté sur un 0,003 dansla protection2 du cpper 2oz.

Échelle 1 : 1 sur papier 8,5 x 11

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
LTC4301CMS8 4300 LINÉAIRE 16+ MSOP-8
LTC4311ISC6 3092 LT 15+ SC70
LTC4357CMS8#PBF 3990 LINÉAIRE 16+ MSOP-8
LTC4365CTS8 4339 LINÉAIRE 16+ SOT-23
LTC4365CTS8#TRPBF 4310 LINÉAIRE 15+ SOT23-6
LTC4425EMSE#TRPBF 2954 LINÉAIRE 16+ MSOP-12
LTC6903CMS8#PBF 6610 LT 14+ MSOP-8
LTC6903IMS8#PBF 5190 LT 11+ MSOP-8
LTC6908IS6-1 3669 LT 16+ SOT23-6
LTC6930CMS8-4.19#PBF 6620 LT 16+ MSOP-8
LTM8045IY#PBF 2038 LINÉAIRE 12+ BGA40
LTST-C150KSKT 12000 LITEON 13+ SMD
LTST-C170KGKT 9000 LITEON 15+ LED
LTST-C171KRKT 9000 LITEON 16+ SMD
LTST-C190KGKT 9000 LITEON 15+ SMD0603
LTST-C191KGKT 12000 LITEON 16+ SMD
LTST-C193KRKT-5A 21000 LITEON 15+ SMD
LTST-S220KRKT 116000 LITE-ON 16+ LED
LTV354T 18000 LITEON 14+ SOP-4
LTV-356T 119000 LITEON 14+ SMD-4
LTV356T-D 47000 LITEON 14+ SOP-4
LTV4N25 72000 LITEON 16+ IMMERSION
LTV817C 12000 LITEON 14+ IMMERSION
LTV-817S-TA1-A 56000 LITE-ON 13+ SMD-4
LTV827 62000 LITEON 16+ DIP-8
LTV847S 19474 LITEON 13+ SOP-16
LX6503IDW 9119 MSC 09+ SOP-16
LXT6234QE BO 4013 INTEL 16+ QFP100
LXT980AHC 740 INTEL 13+ QFP208
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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
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