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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistors à haute tension de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de MMBTA42LT1G

Transistors à haute tension de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de MMBTA42LT1G

Transistors à haute tension de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de MMBTA42LT1G
Transistors à haute tension de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de MMBTA42LT1G
Transistors à haute tension de silicium du transistor NPN de transistor MOSFET de puissance de MMBTA42LT1G
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector−Emitter Voltage:
300 Vdc
Collector−Base Voltage:
300 Vdc
Emitter−Base Voltage:
6.0 Vdc
Collector Current (Continuous):
500 mAdc
Junction and Storage Temperature:
−55 to +150 °C
Package:
SOT−23
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

MMBTA42LT1G, MMBTA43LT1G

Transistors à haute tension

Silicium de NPN

Caractéristiques

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme

ESTIMATIONS MAXIMUM

Caractéristique Symbole Valeur Unité

Tension MMBTA42 de Collector−Emitter

MMBTA43

 VCEO

300

200

 Volts continu

Tension MMBTA42 de Collector−Base

MMBTA43

 VCBO

300

200

 Volts continu

Tension MMBTA42 d'Emitter−Base

MMBTA43

 VEBO

6,0

6,0

 Volts continu
− de courant de collecteur continu IC 500 mAdc

CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES

Caractéristique Symbole Valeur Unité

Conseil total de la dissipation FR−5 de dispositif

(Notez 1) les VENTRES = le 25°C

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

 Palladium

225

1,8

mW

mW/°C

Résistance thermique, Junction−to−Ambient

 RθJA

556

 °C/W

Substrat total d'alumine de dissipation de dispositif

(Notez 2) les VENTRES = le 25°C

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

 Palladium

300

2,4

mW

mW/°C
Résistance thermique, Junction−to−Ambient RθJA 417 °C/W
Jonction et température de stockage TJ, Tstg −55 à +150 °C

Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.

1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,062 po.

2. Alumine = 0,4 x 0,3 x 0,024 po. alumine 99,5%.

DIMENSIONS DE PAQUET

SOT−23 (TO−236)

CAS 318−08

QUESTION AP

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
LPC4078FBD208 2821 16+ QFP208
LPS331APTR 6770 St 16+ LGA16
LPS4012-152MLC 4955 COILCRAFT 08+ SMD
LPS6225-103MLC 9148 COILCRAFT 16+ SMD
LQG18HNR10J00D 24000 MURATA 16+ SMD
LQH32CNR47M33L 113000 MURATA 15+ SMD
LQH43MN1R0M03L 13000 MURATA 16+ SMD
LQW15AN13NG00D 3000 MURATA 15+ SMD
LQW18AN3N9C10D 16000 MURATA 13+ SMD
LQW18ANR22G00D 12000 MURATA 15+ SMD
LQW2BASR15J00L 61000 MURATA 15+ SMD
LQW2BHNR47K03L 55000 MURATA 16+ SMD
LS4448-GS08 20000 VISHAY 16+ LL34
LSM303DLHTR 10067 St 16+ LGA
LT1004CDR-2-5 3519 TI 12+ SOP-8
LT1009IS8#PBF 7519 LINÉAIRE 14+ SOP-8
LT1013DIDR 7843 TI 16+ SOP-8
LT1072CN8 8677 LT 13+ DIP-8
LT1085CT-12 4387 LT 16+ TO-220
LT1117CST 1387 LINÉAIRE 15+ SOT223
LT1373CS8 4358 LT 13+ SOP-8
LT1460GIZ-5 3179 LT 16+ TO-92
LT1611CS5 15029 LT 15+ SOT23-5
LT1764AEQ-1.5#PBF 4513 LINÉAIRE 14+ TO-263
LT1764AEQ-1.8#TRPBF 2400 LT 09+ TO263-5
LT1764AEQ-3.3 3962 LT 15+ TO-263
LT1783CS5 3598 LT 14+ SOT-153
LT1806CS8 3157 LT 14+ CONCESSION
LT1931AES5#TRPBF 4880 LINÉAIRE 06+ SOT23-5
LT1931ES5#TRPBF 4368 LINÉAIRE 16+ SOT23-5

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