Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur

Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur

Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur
Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur
Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur
Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur DO-213AB de la diode 200 V 1A
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
SI (POIDS DU COMMERCE):
1,0 A
VRRM:
50 V à 400 V
IFSM:
30 A
TRR:
50 NS
VF:
1,0 V, 1,25 V
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Le verre extérieur du bâti EGL41D-E3/97 a passivé le modèle ultra-rapide de double diode de redresseur

CARACTÉRISTIQUES

• jonction verre-passivée sans cavité

• Idéal pour le placement automatisé

• Temps de rétablissement inverse ultra-rapide

• Basses pertes de changement, rendement élevé

• Capacité de crête en avant élevée

• Norme environnementale MIL-S-19500 de rassemblements

• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 250 • °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s

• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS TYPIQUES

Pour l'usage dans l'application à haute fréquence de rectification et de laisser aller dans les convertisseurs et des inverseurs de changement de mode pour le consommateur, l'ordinateur, des véhicules à moteur et télécommunication.

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas : DO-213AB, époxyde moulé au-dessus d'époxyde de corps en verre rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0

Terminaux : Les avances plaque en fer blanc, solderable mats par suffixe de J-STD-002 et de JESD22-B102 E3 pour la qualité grand public, rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 pour la catégorie élevée de fiabilité (l'AEC Q101 qualifiée), rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201

Polarité : Deux bandes indiquent l'extrémité de cathode - la 1ère bande dénote le type de dispositif et la 2ème bande dénote l'estimation maximale répétitive de tension inverse

BULLETIN DE LA COTE

SI1555DL-T1 15098 VISHAY 14+ SOT363
SN74LVC1G07DCKR 141000 TI 13+ SOT353
SN74LVC1G132DCKRG4 129000 TI 16+ SOT353
SN74LVC1G240DCKR 23000 TI 16+ SOT353
TPS71550DCKR 14604 TI 09+ SOT353
TC7SH32FU 141000 TOSHIBA 16+ SOT353
TPD2EUSB30ADRTR 14042 TI 12+ SOT-3
VND14NV04TR 8832 St 16+ SOT-252
VS-50WQ04FNTRPBF 5348 VISHAY 16+ SOT-252
TCS20DLR 13844 TOSHIBA 16+ SOT-23F
UP7501M8 10148 UPI 16+ SOT23-8
UP7536AMA8 18068 UPI 16+ SOT23-8
REF3225AIDBVR 2210 TI 16+ SOT23-6
SN65220DBVR 14408 TI 13+ SOT23-6
SN74AVC1T45DBVR 9572 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G175DBVR 13730 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G3157DBVR 57000 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G373DBVR 51500 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G97DBVR 13766 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC1G98DBVR 10922 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC1T45DBVR 11714 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC2G04DBVR 57500 TI 15+ SOT23-6
SN74LVC2G07DBVR 17906 TI 16+ SOT23-6
SN74LVC2G34DBVR 16646 TI 16+ SOT23-6
TMP123AIDBVR 3668 TI 13+ SOT23-6
TPD4E001DBVR 11048 TI 16+ SOT23-6
TPS22929DDBVR 4948 TI 16+ SOT23-6
TPS2513DBVR 17628 TI 16+ SOT23-6
TPS2552DBVR 3512 TI 13+ SOT23-6
TPS2553DBVR-1 12524 TI 13+ SOT23-6
TPS27081ADDCR 8960 TI 13+ SOT23-6
TPS3106K33DBVR 8208 TI 14+ SOT23-6
TPS3700DDCR 7330 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G01QDBVRQ1 2858 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G18QDBVRQ1 11672 TI 16+ SOT23-6
TPS3808G25DBVR 9972 TI 13+ SOT23-6
TPS3808G33DBVR 26420 TI 16+ SOT23-6
TPS61070DDCR 28124 TI 16+ SOT23-6
TPS73001DBVR 9906 TI 14+ SOT23-6
TS5A3159DBVR 9644 TI 16+ SOT23-6
TXB0101DBVR 13848 TI 14+ SOT23-6
TXS0101DBVR 14500 TI 16+ SOT23-6
SI3443BDV-T1-E3 20000 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3443DV-T1 18068 VISHAY 14+ SOT23-6
SI3443DV-T1-E3 59500 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3456CDV-T1-GE3 20500 VISHAY 16+ SOT23-6
SI3458DV-T1-E3 14162 VISHAY 16+ SOT23-6

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tous droits réservés.