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SST27SF010-70-3C-PH 256 Kbit Kbit/512/1 Mbit Mbit/2 beaucoup chronomètrent l'éclair programmable

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Memory IC
Catégorie:
Puce d'IC de mémoire instantanée
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Temperature Under Bias:
-55°C to +125°C
Storage Temperature:
-65°C to +150°C
D. C. Voltage on Any Pin to Ground Potential:
.-0.5V to VDD+0.5V
Transient Voltage (<20 ns) on Any Pin to Ground Potential:
-1.0V to VDD+1.0V
Voltage on A9 and VPP Pin to Ground Potential:
-0.5V to 14.0V
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

SST27SF010-70-3C-PH 256 Kbit Kbit/512/1 Mbit Mbit/2 beaucoup chronomètrent l'éclair programmable

CARACTÉRISTIQUES :

• Organisé comme 32K x8/64K x8/128K x8/256K x8

• 4.5-5.5V l'opération "lecture"

• Fiabilité supérieure

– Résistance : Au moins 1000 cycles

– Plus considérablement que 100 ans de conservation de données

• Consommation de puissance faible

– Courant actif : 20 mA (de typique)

– Courant de réserve : µA 10 (typique)

• Accès en lecture rapide Tim

– 70 NS

– 90 NS

DESCRIPTION DE PRODUIT

Les SST27SF256/512/010/020 sont des 32K x8/64K x8/128K x8/256K x8 CMOS, éclair programmable Beaucoup fois du coût bas (MTP), construit avec SST de propriété industrielle, technologie de SuperFlash de haute performance. L'injecteur de perçage d'un tunnel de conception de cellules de fente-porte et d'oxyde épais atteignent une meilleure fiabilité et un manufacturability comparés aux approches alternatives. Ces dispositifs de MTP peuvent être électriquement effacés et programmés au moins 1000 fois utilisant un programmeur externe avec une alimentation d'énergie de 12 volts. Ils doivent être effacés avant de programmer. Ces dispositifs se conforment aux pinouts standard de JEDEC pour des souvenirs d'un octet

Comportant l'Octet-programme de haute performance, les SST27SF256/512/010/020 fournissent un temps d'Octet-programme de 20 µs. Conçus, construits, et déterminés une gamme étendue d'applications, ces dispositifs sont offerts avec une résistance au moins de 1000 cycles. La conservation de données est évaluée à plus considérablement que 100 ans.

Les SST27SF256/512/010/020 approprié aux applications qui exigent peu fréquent écrivent et puissance faible mémoire permanente. Ces dispositifs amélioreront la flexibilité, l'efficacité, et la représentation tout en assortissant le coût bas dans les applications non-volatiles qui utilisent actuellement des UV-EPROM, OTPs, et des ROM de masque.

BULLETIN DE LA COTE

XC3S250E-4TQG144C 1968 XILINX 15+ QFP144
CY7C68014A-100AXC 1156 CYPRESS 15+ QFP
LP2985A-10DBVR 4710 TI 15+ SOT-23-5
PB4350 10940 16+ SOT-23
M27C512-70XF1 4087 St 16+ IMMERSION
QM200DY-H 250 MITSUBISH 12+ MODULE
ATTINY85-20PU 500 ATMEL 14+ DIP-8
A50L-0001-0284 100 FUJI 10+ MODULE
PC357N1TJ00F 10000 DIÈSE 16+ CONCESSION
2MBI150US-120-50 388 FUJI 14+ MODULE
2MBI75P-140 523 FUJI 12+ MODULE
LNK364PN 4211 PUISSANCE 15+ DIP-7
RA30H2127M 200 MITSUBISH 12+ MODULE
CM110YE4-12F 228 MITSUBI 15+ MODULE
MRF321 642 MOT 14+ TO-55s
A3972SB 1000 ALLÉGRO 13+ DIP-24
MR4010 6253 SHINDENGE 16+ TO220-7
PMD1000 5000 ALLÉGRO 10+ QFP-48
LTC2294IUP 726 LT 15+ QFN
M30620FCAFP 3750 RENESAS 16+ QFP
BT148W-600R 10000 14+ TO220
MAX4312EEE+T 3600 MAXIME 14+ QSOP
LTC1967CMS8 1628 LINÉAIRE 15+ MSOP
PM200CLA120 100 MITSUBISH 05+ MOUDLE
MAX5160MEUA 14950 MAXIME 16+ MSOP
P89C51RC+JB 1140 PHILIPS 15+ QFP
MC68CK16Z1CAG16 3682 FREESCALE 15+ QFP
PBY201209T-601Y-S 20000 YAGEO 16+ SMD
PACDN046M 10620 CMD 16+ MSOP8
XQ18V04VQ44N 890 XILINX 14+ QFP44
MAX17126BETM 6650 MAXIME 15+ QFN
CY20AAJ-8F 500 MIT 10+ SOP-8
LME49720MA 2428 NSC 14+ SOP-8
BL05A 888 SUR 12+ SOP-8
BT4830 2322 BOOM 15+ FERMETURE ÉCLAIR
BLF278 112 12+ SOT-262
M51996AFP 3334 RENESAS 16+ CONCESSION
M25PE20-VMN6TP 4331 St 16+ CONCESSION
MB81F643242B-10FN 6418 FUJI 15+ TSSOP
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