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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche

Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche

Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche
Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-Channel 30 V 5.3A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-Source Voltage:
–30 V
Gate-Source Voltage:
±25 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +175 °C
Storage Temperature:
–55 to +175 °C
Drain Current (Continuous):
–5.3 A
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
25 °C/W
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor P simple - transistor à effet de champ de transistor MOSFET de puissance de FDS9435A de la Manche

Description générale

Ce transistor MOSFET de P-canal est une version rocailleuse de porte du processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild. Il a été optimisé pour des applications de gestion de puissance que l'exigence un large éventail a donné les estimations de tension d'entraînement (4.5V – 25V).

Applications

· Gestion de puissance

· Commutateur de charge

· Protection de batterie

Caractéristiques

· – 5,3 A, – 30 V Le RDS (DESSUS) = 50 mW @ VGS = – 10 V

Le RDS (DESSUS) = 80 mW @ VGS = – 4,5 V

· Basse charge de porte

· Vitesse de changement rapide

· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

· Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues MERCI =25℃ sauf indication contraire

Symbole Paramètre Estimations Unités
VDSS Tension de Drain-source -30 V
VGSS Tension de Porte-source ±25 V
Identification

Vidangez actuel – continu (note 1a)

– Pulsé

 -5,3
-50
Palladium

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

 2,5 W
1,2
1
TJ, TSTG Température ambiante de jonction d'opération et de stockage -55 à +175 °C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
H11G1SR2M 3977 FAIRCHILD 10+ SOP-6
H11L1SR2M 14256 FAIRCHILD 16+ CONCESSION
H1260NL 10280 IMPULSION 15+ SMD
HA17324 3948 RENESAS 14+ DIP-14
HA17324ARPEL-E-Q 7361 RENESAS 15+ SOP-14
HCF4051BEY 3919 St 16+ IMMERSION
HCF4052M013TR 7598 St 13+ SOP-16
HCF4060BE 18658 St 14+ IMMERSION
HCNR200 6587 AVAGO 15+ DIPSOP
HCNR200-000E 7432 AVAGO 15+ IMMERSION
HCNW2611-000E 5720 AVAGO 16+ DIP-8
HCNW4502 6210 AVAGO 13+ CONCESSION
HCPL-0466 3551 AVAGO 15+ SOP-8
HCPL-0630 15108 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL-0639 5791 FAIRCHILD 13+ SOP-8
HCPL-181-000E 9000 AVAGO 16+ SOP-4
HCPL-2602 8795 AVAGO 16+ SOP-8
HCPL2630SD 2204 FSC 16+ CONCESSION
HCPL-2731 15179 AVAGO 13+ DIPSOP
HCPL-3120 9870 AVAGO 15+ DIPSOP
HCPL-316J 13751 AVAGO 12+ SOP-18
HCPL-4504 21001 AVAGO 16+ DIPSOP
HCPL-4506 12623 AVAGO 14+ DIP-8
HCPL-7840-500E 5971 AVAGO 15+ CONCESSION
HCPL-786J 13822 AVAGO 16+ SOP-16
HD06-T 54000 DIODES 15+ SMD
HD64F3687FPV 3168 RENESAS 14+ TQFP-64
HD74LS00P 8647 RENESAS 16+ DIP-14
HD74LS04P 8718 RENESAS 13+ DIP-14
HD74LS125P 8931 RENESAS 15+ IMMERSION

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs
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