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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor
De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mosfet Array 30V 7.5A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-Source Voltage:
30 V
Gate-Source Voltage:
± 20 V
Operating Junction Temperature:
–55 to +150 °C
Storage Temperature:
–55 to +150 °C
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient:
78 °C/W
Thermal Resistance, Junction-to-Case:
40 °C/W
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

De FDS6990A de puissance de transistor MOSFET double N transistor MOSFET de PowerTrench de logique de la Manche du transistor

Description générale

Ces transistors MOSFET de niveau de logique de N-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation de changement supérieure.

Ces dispositifs sont bien adaptés pour la basse tension et les applications à piles où la basse perte de puissance intégrée et la commutation rapide sont exigées.

Caractéristiques

· 7,5 A, 30 V. Le RDS (DESSUS) = 18 mW @ VGS = 10 V

Le RDS (DESSUS) = 23 mW @ VGS = 4,5 V

· Vitesse de changement rapide

· Basse charge de porte

· Technologie de fossé de haute performance pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS)

· Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle

Capacités absolues MERCI =25℃ sauf indication contraire

Symbole Paramètre Estimations Unités
VDSS Tension de Drain-source 30 V
VGSS Tension de Porte-source ± 20 V
Identification

Vidangez actuel – continu (note 1a)

– Pulsé

 7,5
20
Palladium

Dissipation de puissance pour l'opération simple (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

 1,6 W
1,0
0,9
TJ, TSTG Température ambiante de jonction d'opération et de stockage – 55 à +150 ℃

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet

G5V-1-DC9 6255 OMRON 15+ IMMERSION
G5V-2-12VDC 7727 OMRON 14+ IMMERSION
G60N100BNTD 3498 FAIRCHILD 13+ TO-264
G65SC51P-2 6939 CMD 16+ DIP-28
G6K-2F-Y-5VDC 10509 OMRON 13+ SOP-8
GAL16V8D-25LP 5311 TRELLIS 16+ DIP-20
GBL08-E3/51 13704 VISHAY 14+ DIP-4
GBPC3508W-E4/51 8669 VISHAY 16+ DIP-4
GBU408 90000 SEPT 13+ ZIP-4
GBU6K 14556 LRC 13+ SIP-4
GBU8M 17593 VISHAY 15+ DIP-4
GE865-QUAD 1285 TELIT 14+ GPRS
GIPS20K60 2254 St 13+ MODULE
GL34A 4000 DIOTEC 13+ DO-213AA
GL41D 20000 GS 13+ LL41
GL852G-MNG12 7574 GENESYS 15+ LQFP-48
GL865 CONJUGUENT 1174 TELIT 10+ GPRS
GLL4760-E3/97 24000 VISHAY 10+ Na
GP1S094HCZ0F 5752 DIÈSE 13+ DIP-4
GS2978-CNE3 2125 GENNUM 15+ QFN16
GS2984-INE3 1336 GENNUM 13+ QFN
GS2988-INE3 6693 GENNUM 16+ QFN16
GS3137-08-TAZ 2008 CONEXANT 09+ TSSOP
GSIB2580-E3/45 4938 VISHAY 16+ GSIB-5S
GSOT03C-GS08 7000 VISHAY 15+ SOT-23
GVA-63+ 8824 MINI 15+ SOT-23
GVA-84+ 4397 MINI 14+ SOT-89
H11AA1SR2M 14966 FAIRCHILD 14+ SOP-6
H11AA4 15037 FAIRCHILD 14+ IMMERSION
H11AG1SR2M 4006 FAIRCHILD 14+ SOP-6

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
10pcs
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