Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor de transistor MOSFET de la puissance BCV49, courant de collecteur de DarliCM GROUPon Transistors High de silicium de NPN

Transistor de transistor MOSFET de la puissance BCV49, courant de collecteur de DarliCM GROUPon Transistors High de silicium de NPN

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - DarliCM GROUPon 60 V 500 mA 220MHz 1.3 W Surface Mount SOT-89
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-emitter voltage:
60 V
Collector-base voltage:
80 V
Emitter-base voltage:
10 V
Collector current:
500 mA
Peak collector current:
800 mA
Base current:
100 mA
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Transistor de transistor MOSFET de la puissance BCV49, courant de collecteur de DarliCM GROUPon Transistors High de silicium de NPN

• Pour des applications générales d'AF

• Courant de collecteur élevé

• Gain à forte intensité

• Types complémentaires : BCV28, BCV48 (PNP)

• (RoHS conforme) paquet sans Pb1)

• Qualifié accordant l'AEC Q101

Estimations maximum

Paramètre Symbole Valeur Unité

Tension de collecteur-émetteur

BCV29

BCV49

VCEO

30

60

V

Tension de collecteur-base

BCV29

BCV49

VCBO

40

80

V
tension d'Émetteur-base VEBO 10 V
Courant de collecteur IC 500 mA
Courant de collecteur maximal Missile aux performances améliorées 800 mA
Courant bas IB 100 mA
Courant bas maximal IBM 200 mA
°C du ≤ 130 de SOLIDES TOTAUX de dissipation de puissance totale Ptot 1 W
La température de jonction TJ 150 °C
Température de stockage Tstg -65… 150 °C

1 paquet Pb-contenant peut être disponible sur requête spéciale

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet

EL817B-F 12000 EL 16+ IMMERSION
EL817C-F 12000 EVERLIGHT 16+ IMMERSION
EL817S (A) (VENTRES) - F 68000 EVERLIGHT 12+ SOP-4
EM639165TS-6G 7930 ETRONTECH 15+ TSOP-54
EM63A165TS-6G 13467 ETRONTECH 14+ TSOP-54
EM78P459AKJ-G 9386 EMC 15+ DIP-24
EMI2121MTTAG 5294 SUR 15+ DFN
ENC28J60-I/SO 7461 PUCE 16+ SOP-28
EP1C3T144C8N 3452 ALTERA 13+ QFP144
EP3C5F256C8N 2848 ALTERA 15+ BGA
EP3C80F780I7N 283 ALTERA 16+ BGA
EP9132 3575 L'EXPLOREZ 16+ TQFP-80
EPC1213LC-20 3527 Alt 03+ PLCC20
EPC1213PC8 8853 ALTERA 95+ DIP-8
EPC2LI20N 2794 ALTERA 13+ PLCC
EPM7032SLC44-10N 2472 ALTERA 13+ PLCC44
EPM7064SLC44-10N 2498 ATLERA 15+ PLCC
EPM7128SQC100-10N 1714 ALTERA 12+ QFP
ERA-1SM+ 3210 MINI 15+ SOT-86
ES1B-E3/61T 18000 VISHAY 14+ DO-214AC
ES2G-E3/52T 12000 VISHAY 16+ SMB
ES2J-E3/52T 12000 VISHAY 13+ DO-214AA
ES3J 12000 FSC 15+ SMC
ES56031S 3498 Es 16+ SOP-24
ESAD92-02 6268 FUIJ 16+ TO-3P
ESD112-B1-02EL E6327 23000 15+ TSLP-2-20
ESD5Z5.0T1G 9000 SUR 13+ SOD-523
ESD5Z7.0T1G 12000 SUR 16+ SOD-523
ESDA6V1SC5 51000 St 15+ SOT23-5
ESP-12E 3991 AI 16+ SMT
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs