Transistors de puissance du silicium NPN de transistors de transistor MOSFET de la puissance 2SD669A élevée
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 1.5 A 140MHz 1 W Through Hole TO-126
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector-base voltage:
180 V
Collector-emitter voltage:
160 V
Emitter-base voltage:
5 V
Collector current (DC):
1.5 A
Collector current-peak:
3 A
Junction temperature:
150 ℃
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
Transistors de puissance du silicium NPN 2SD669 2SD669A
DESCRIPTION
·Avec le paquet TO-126
·Complément pour dactylographier 2SB649/649A
·Tension claque élevée VCEO : 120/160V
·1.5A à forte intensité
·Basse tension de saturation, excellente linéarité de hFE
APPLICATIONS
·Pour des applications basses fréquences d'amplificateur de puissance
Capacités absolues (Ta=25℃)
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | VALEUR | UNITÉ | |
| VCBO | Tension de collecteur-base | 2SD669 | Émetteur ouvert | 180 | V |
| 2SD669A | 180 | V | |||
| VCEO | Tension de collecteur-émetteur | 2SD669 | Base ouverte | 120 | V |
| 2SD669A | 160 | V | |||
| VEBO | tension d'Émetteur-base | Collecteur ouvert | 5 | V | |
| IC | Courant de collecteur (C.C) | 1,5 | |||
| Missile aux performances améliorées | Actuel-crête de collecteur | 3 | |||
| Palladium | Dissipation de puissance totale | Ta=25℃ | 1 | W | |
| Comité technique =25℃ | 20 | W | |||
| Tj | La température de jonction | 150 | ℃ | ||
| Tstg | Température de stockage | -55~150 | ℃ | ||
CONTOUR DE PAQUET
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| TIL111M | 12128 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-6 |
| TGS813 | 821 | FIGARO | 16+ | DIP-6 |
| PS710A | 11988 | NEC | 15+ | DIP-6 |
| S21MD4V | 7520 | DIÈSE | 13+ | DIP-6 |
| STV2247H | 18192 | St | 14+ | DIP-56 |
| TDA9855 | 1904 | PHILIPS | 16+ | DIP-52 |
| SKBPC3516 | 14738 | SEPT | 15+ | DIP-5 |
| ST16C550IP | 7940 | EXAR | 16+ | DIP-40 |
| UPD765AC-2 | 2750 | NEC | 15+ | DIP-40 |
| SC26C92C1N | 1454 | 16+ | DIP-40 | |
| PS2501-1-A | 25500 | RENESAS | 13+ | DIP-4 |
| RPI-441C1 | 12436 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
| RPI-574 | 11358 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
| RPI-579N1 | 17364 | ROHM | 08+ | DIP-4 |
| RPR-220 | 16400 | ROHM | 14+ | DIP-4 |
| RPR359F | 15732 | ROHM | 10+ | DIP-4 |
| RPR-359F | 4500 | ROHM | 16+ | DIP-4 |
| S1WBS80 | 17654 | SANYO | 11+ | DIP-4 |
| RS206 | 14768 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
| W08 | 81500 | SEPT | 16+ | DIP-4 |
| UPD431000ACZ-70L | 12540 | NEC | 16+ | DIP-32 |
| TDA4855 | 15174 | PHILIPS | 16+ | DIP-32 |
| TDA9160A | 13684 | PHILIPS | 16+ | DIP-32 |
| ST-1MLBR2 | 6480 | KODENSHI | 13+ | DIP-3 |
| SL1021B090 | 4236 | LITTELFUS | 16+ | DIP-3 |
| RE200B | 6368 | NICERA | 13+ | DIP-3 |
| RE200B-P | 7904 | NICERA | 12+ | DIP-3 |
| SPLLL90-3 | 521 | OSRAM | 10+ | DIP-3 |
| RPM6938 | 36584 | ROHM | 06+ | DIP-3 |
| RPM6938-V4 | 5972 | ROHM | 16+ | DIP-3 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs