Transistor MOSFET à haute tension de puissance de transistor de transistor MOSFET de la puissance SPW47N60CFDFKSA1
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 600 V 46A (Tc) 417W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source breakdown voltage:
600 V
Avalanche breakdown voltage:
700 V
Gate threshold voltage:
4 V
Gate-source leakage current:
100 nA
Gate resistance:
0.62 Ω
Input capacitance:
7700 pF
Output capacitance:
2200 pF
Reverse transfer capacitance:
77 pF
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Transistor de puissance de SPW47N60CFD CoolMOSTM
Caractéristiques
• Nouvelle technologie à haute tension révolutionnaire
• Diode intrinsèque de corps de rapide-récupération
• Extrêmement - basse charge inverse de récupération
• Charge très réduite de porte
• Le dv extrême /dt a évalué
• Capacité de courant de pointe élevée
• L'avalanche périodique a évalué
• Qualifié selon JEDEC1) pour des applications de cible
• électrodéposition sans Pb d'avance ; RoHS conforme
Résumé de produit
| VDS | 600 | V |
| Le RDS (dessus), maximum | 0,083 | Ω |
| Identification | 46 |
Estimations maximum, au °C de Tj =25, sauf indication contraire
| Paramètre | Symbole | Conditions | Valeur | Unité |
| Courant continu de drain | Identification |
°C du comité technique =25 °C du comité technique =100 |
46 29 |
|
| Courant pulsé1de drain) | Identification, impulsion | °C du comité technique =25 | 115 | |
| Énergie d'avalanche, impulsion simple | EAS | IDENTIFICATION =10 A, VDD =50 V | 1800 | MJ |
| Énergie d'avalanche, goudron répétitif 2), 3) | OREILLE | IDENTIFICATION =20 A, VDD =50 V | 1 | MJ |
| Avalanche actuelle, goudron répétitif 2), 3) | IAR | 20 | ||
| Vidangez la pente de tension de source | dv /dt | Identification =46 A, VDS =480 V, °C de Tj =125 | 80 | V/ns |
| Dv inverse /dt de diode | dv /dt | EST =46 A, VDS =480 V, °C de Tj =125 | 40 | V/ns |
| Vitesse maximum de commutation de diode | di /dt | 600 | A/µs | |
| Tension de source de porte | VGS |
statique C.A. (f >1 hertz) |
±20 ±30 |
V |
| Dissipation de puissance | Ptot | °C du comité technique =25 | 417 | W |
| Opération et température de stockage | Tj, Tstg | -55… 150 | °C |
1) J-STD20 et JESD22
2) Durée d'impulsion tp limitée par Tj, maximum
3) L'avalanche répétitive cause les pertes de puissance supplémentaires qui peuvent être calculées comme =EAR*f de PAV
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| TJLC-001LA1 | 9120 | St | 15+ | RJ45 |
| RJK03B7DPA-0G-J7A | 8620 | RENESAS | 16+ | RENESAS |
| RJP30E4DPE | 7860 | RENESAS | 16+ | RENESAS |
| UPS161 | 1450 | AU | 10+ | QFP80 |
| S1D13705F00A200 | 857 | EPSON | 16+ | QFP80 |
| TDA9586H/N3/3/1809 | 1301 | 07+ | QFP80 | |
| TDA9555H/N1/3I1098 | 1205 | PHI | 05+ | QFP80 |
| UPSD3354D-40U6 | 365 | St | 16+ | QFP80 |
| SD4002 | 992 | PINGOUIN | 16+ | QFP64 |
| TLE6244X | 2200 | 1026+ | QFP64 | |
| STLC5046BCL | 2345 | St | 16+ | QFP64 |
| STM32F100RBT6B | 2498 | St | 15+ | QFP64 |
| STM32F103KBT6 | 2501 | St | 14+ | QFP64 |
| STM32F373RCT6 | 968 | St | 14+ | QFP64 |
| STR711FR1T6 | 1352 | St | 16+ | QFP64 |
| STR755FR2T6 | 1247 | St | 14+ | QFP64 |
| STV0297D | 2980 | St | 06+ | QFP64 |
| UE06AB6 | 1724 | St | 16+ | QFP64 |
| PT6311B | 21936 | Ptc | 16+ | QFP52 |
| R5F21256SNFP | 1310 | RENESAS | 10+ | QFP52 |
| SL811HST-AXC | 1820 | CYPRESS | 16+ | QFP48 |
| VNC1L-1A | 749 | FTDI | 13+ | QFP48 |
| UPD720114GA-YEU-A | 15504 | NEC | 16+ | QFP48 |
| TDA8007BHL/C3 | 2177 | 16+ | QFP48 | |
| TDA8007BHL/C2 | 2306 | PHILIPS | 04+ | QFP48 |
| RTL8111DL-GR | 14216 | REALTEK | 16+ | QFP48 |
| RTL8111DL-VB-GR | 7776 | REALTEK | 16+ | QFP48 |
| RTL8201CL-VD-LF | 17408 | REALTEK | 14+ | QFP48 |
| RTL8211CL | 16062 | REALTEK | 11+ | QFP48 |
| STM32F101C8T6 | 3474 | St | 16+ | QFP48 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs