Transistor de puissance frais du transistor MOS™ de transistor MOSFET de la puissance SPW47N60C3FKSA1
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 650 V 47A (Tc) 415W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-source breakdown voltage:
600 V
Drain-Source avalanche breakdown voltage:
700 V
Gate threshold voltage:
3 V
Gate-source leakage current:
100 nA
Gate input resistance:
0.62 Ω
Input capacitance:
6800 pF
Output capacitance:
2200 pF
Reverse transfer capacitance:
145 pF
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Transistor de puissance frais de SPW47N60C3 MOSTM
Caractéristique
• Nouvelle technologie à haute tension révolutionnaire
• Le meilleur RDS mondial (dessus) dedans à 247
• Charge très réduite de porte
• L'avalanche périodique a évalué
• Dv/dt extrême a évalué
• Capacités efficaces très réduites
Estimations maximum
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
|
Courant continu de drain Comité technique = °C 25 Comité technique = °C 100 |
Identification |
47 30 |
|
| Le courant pulsé de drain, tp a limité par Tjmax | Puls d'identification | 141 | |
| Énergie d'avalanche, impulsion simple identification = 10 A, VDD = 50 V | EAS | 1800 | MJ |
| Énergie d'avalanche, goudron répétitif limités par Tjmax 1)identification = 20 A, VDD = 50 V | OREILLE | 1 | MJ |
| Avalanche actuelle, goudron répétitif limité par Tjmax | IAR | 20 | |
| Charge statique de tension de source de porte | VGS | ±20 | V |
| C.A. de tension de source de porte (f >1Hz) | VGS | ±30 | V |
| Dissipation de puissance, comité technique = 25°C | Ptot | 415 | W |
| Opération et température de stockage | Tj, Tstg | -55… +150 | °C |
| Vidangez la pente de tension de source VDS = 480 V, identification = 47 A, Tj = le °C 125 | dv/dt | 50 | V/ns |
Pertes de 1 de Repetitve d'avalanche puissance supplémentaires de causes qui peuvent être calculées comme PAV=EAR*f.
P-TO-247-3-1
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| RB056L-40 | 45500 | ROHM | 16+ | SMA |
| RB056L-40TE25 | 78000 | ROHM | 16+ | SMA |
| RB160L-40 | 129000 | ROHM | 14+ | SMA |
| RF201L2S | 8500 | ROHM | 16+ | SMA |
| STTH2R02A | 138000 | St | 16+ | SMA |
| RCLAMP0524P | 9000 | SEMTECH | 16+ | SLP2510P8 |
| RCLAMP0522P | 7500 | SEMTECH | 16+ | SLP1610P4 |
| UCLAMP0511P | 79500 | SEMTECH | 16+ | SLP1006P2 |
| TDA2611A | 1901 | PHILIPS | 11+ | SIP-9 |
| STRS6707 | 37436 | SANKEN | 16+ | SIP-9 |
| TDA7261 | 16344 | St | 16+ | SIP-8 |
| STRL472 | 17100 | SANKEN | 14+ | SIP8 |
| SHT75 | 449 | SENSIRION | 16+ | SIP4 |
| STK461 | 1334 | SANYO | 16+ | SIP16 |
| STK403-040 | 1079 | SANYO | 13+ | SIP14 |
| SLA6010 | 14881 | SANKE | 16+ | SIP12 |
| SPR01M-05 | 677 | MEANWELL | 16+ | PETITE GORGÉE |
| SLA4031 | 15014 | SANKEN | 14+ | PETITE GORGÉE |
| STK403-130 | 806 | SANYO | 13+ | PETITE GORGÉE |
| STGIPS10K60A | 863 | St | 13+ | SDIP-25L |
| TLE4296-2GV50 | 15098 | 13+ | SCT-595 | |
| RCLAMP0502A.TCT | 8000 | SEMTECH | 16+ | SC89-6 |
| RCLAMP0504FATCT | 18302 | SEMTECH | 13+ | SC70-6 |
| RT9030-25GU5 | 10562 | RICHTEK | 15+ | SC70-5 |
| SI-40138-F | 14160 | BEL | 16+ | RJ45 |
| SI-46001-F | 3334 | BEL | 13+ | RJ45 |
| SI-60002-F | 7204 | BEL | 14+ | RJ45 |
| SI-60005-F | 27684 | BEL | 16+ | RJ45 |
| SI-60062-F | 14244 | BEL | 16+ | RJ45 |
| JK0-0044NL | 9254 | IMPULSION | 16+ | RJ45 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs