Transistor d'usage universel de npn de transistor de transistor MOSFET de la puissance STP75NF75
multi emitter transistor
,silicon power transistors
STB75NF75
STP75NF75 - STP75NF75FP
N-canal 75V - 0.0095Ω - 80A - TO-220 - TO-220FP -
Transistor MOSFETdepuissancede D2PAKSTripFET™II
Caractéristiques générales
| Type | VDSS | Le RDS (dessus) | Identification |
| STB75NF75 | 75V | <0> | 80A (1) |
| STP75NF75 | 75V | <0> | 80A (1) |
| STP75NF75FP | 75V | <0> | 80A (1) |
1. Courant limité par le paquet
■Capacité exceptionnelle de dv/dt
■l'avalanche 100% a examiné
Description
Cette série de transistor MOSFET de puissance a réalisé avec STMicroelectronics le processus qu'unique de STripFET™ a été spécifiquement conçu pour réduire au minimum la capacité d'entrée et la charge de porte. Il est donc approprié en tant que commutateur primaire dans les convertisseurs d'isolement à haute efficacité et à haute fréquence avancés de DC-DC pour des télécom et les applications informatiques. On le prévoit également pour toutes les applications avec de basses conditions d'entraînement de porte.
Applications
■Application de changement
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unité | |
| D2PAK/TO-220 | TO-220FP | |||
| VDS | tension de Drain-source (VGS = 0) | 75 | V | |
| VDGR | tension de Drain-porte (RGS = 20KΩ) | 75 | V | |
| VGS | tension de Porte-source | ± 20 | V | |
| Identification (1) | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 25°C | 80 | 80 | |
| Identification (1) | Vidangez actuel (continu) à comité technique = 100°C | 70 | 70 | |
| IDM (2) | Courant de drain (pulsé) | 320 | 320 | |
| PTOT | Dissipation totale à comité technique = 25°C | 300 | 45 | W |
| Sous-sollicitation du facteur | 2,0 | 0,3 | W/°C | |
| dv/dt (3) | Pente maximale de tension de récupération de diode | 12 | V/ns | |
| EAS (4) | Énergie simple d'avalanche d'impulsion | 700 | MJ | |
| VISO | La tension de tenue d'isolation (RMS) de chacun des trois mène au radiateur externe (t=1s ; Comité technique =25°C) | -- | 2000 | V |
|
TJ Tstg |
La température de jonction fonctionnante Température de stockage |
-55 à 175 | °C | |
1. Courant limité par le paquet
2. Durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre
3. ≤ 80A, di/dt ≤300A/µs, ≤ V (BR) SAD, ≤ TJMAX d'ISD de VDD de Tj
4. Commençant TJ = 25°C, identification = 40A, VDD = 37.5V
Schéma de principe interne
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| STM32F102C8T6 | 2660 | St | 13+ | QFP48 |
| STM32F102CBT6 | 16078 | St | 11+ | QFP48 |
| STP24DP05BTR | 2828 | St | 16+ | QFP48 |
| TSL1018IF | 4920 | St | 10+ | QFP48 |
| SC56F8034V | 2006 | FREESCALE | 16+ | QFP44 |
| SC79854-64J01 | 15168 | MOT | 16+ | QFP44 |
| UDA1355H | 1895 | 02+ | QFP44 | |
| TDA9859H/V2 | 3086 | PHI | 13+ | QFP44 |
| SAA5284GP | 2759 | PHILIPS | 10+ | QFP44 |
| TW9900-TA1-GR | 3044 | INTERSIL | 16+ | QFP32 |
| SY55858UHG | 2294 | MICREL | 16+ | QFP32 |
| TDA8020HL/C2 | 2036 | 11+ | QFP32 | |
| STM8AF6266TC | 8784 | St | 13+ | QFP32 |
| STM8AF6266TCY | 5788 | St | 14+ | QFP32 |
| STM8L151K4T6 | 29952 | St | 14+ | QFP32 |
| STM8L152K6T6 | 2351 | St | 16+ | QFP32 |
| STM8S005K6T6C | 41128 | St | 15+ | QFP32 |
| STM8S903K3T6CTR | 21420 | St | 16+ | QFP32 |
| STI5105ALC | 1604 | St | 16+ | QFP216 |
| SLA913FFOR | 692 | EPSON | 10+ | QFP160 |
| STM32F405ZGT6 | 572 | St | 16+ | QFP144 |
| S1D13506F00A200 | 743 | EPSON | 13+ | QFP128 |
| TW2866-LC1-CR | 2015 | INTERSIL | 14+ | QFP128 |
| TW2868-LA2-CR | 1586 | INTERSIL | 16+ | QFP128 |
| W83627HG-AW | 4108 | NUVOTON | 13+ | QFP128 |
| RTL8110SC-GR | 2972 | REALTEK | 16+ | QFP128 |
| RTL8204B-VC | 15914 | REALTEK | 08+ | QFP128 |
| RTL8212-GR | 1682 | REALTEK | 14+ | QFP128 |
| SCH5514E-NS | 1829 | SMSC | 10+ | QFP128 |
| STV0900A | 665 | St | 13+ | QFP128 |
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC