Transistor de la Manche IGBT du silicium N de transistor de transistor MOSFET de la puissance RJH60F7ADPK-00#T0
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
IGBT Trench 600 V 90 A 328.9 W Through Hole TO-3P
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Collector to emitter voltage:
600 V
Gate to emitter voltage:
±30 V
Collector peak current:
180 A
Collecteur d'émetteur de diode au courant de pointe en avant:
100 A
Collector dissipation:
328.9 W
Junction temperature:
150 °C
Point culminant:
power mosfet ic
,silicon power transistors
Introduction
RJH60F7ADPK
Le silicium N creusent des rigoles la commutation à grande vitesse de puissance d'IGBT
Caractéristiques
- Bas collecteur à la tension de saturation d'émetteur VCE (reposé) de = type 1,35 V. (chez IC = 50 A, VGE = 15V, merci = 25°C)
- Construit dans la diode rapide de récupération en un paquet
- Porte de fossé et technologie mince de gaufrette
- Commutation à grande vitesse tf = type de 95 NS. (chez IC = 30 A, charge résistive, VCC = 300 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, merci = 25°C)
Capacités absolues (comité technique = 25°C)
| Article | Symbole | Estimations | Unité | |
| Collecteur à la tension d'émetteur | VCES | 600 | V | |
| Porte à la tension d'émetteur | VGES | ±30 | V | |
| Courant de collecteur | Comité technique = 25°C | IC | 90 | |
| Comité technique = 100°C | IC | 50 | ||
| Courant de pointe de collecteur | IC (crête) Note1 | 180 | ||
| Collecteur d'émetteur de diode au courant de pointe en avant | DF (crête) Note2 | 100 | ||
| Dissipation de collecteur | PC | 328,9 | W | |
| Jonction pour enfermer l'impédance thermique (IGBT) | θj-c | 0,38 | °C/W | |
| Jonction pour enfermer l'impédance thermique (diode) | θj-c | 2,0 | °C/W | |
| La température de jonction | Tj | 150 | °C | |
| Température de stockage | Tstg | – 55 à +150 | °C | |
Notes : 1. durée d'impulsion limitée par secteur d'opération sûre.
2. μs du ≤ 5 de picowatt, ≤ 1% de coefficient d'utilisation
Contour
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| U2010B-MFPG3 | 6996 | ATMEL | 16+ | SOP-16 |
| U2010B-MFPG3Y | 27516 | ATMEL | 14+ | SOP-16 |
| U211B | 4332 | ATMEL | 16+ | SOP-16 |
| S558-5999-U7-F | 15230 | BEL | 16+ | SOP-16 |
| S558-5999-Z5-F | 17540 | BEL | 14+ | SOP-16 |
| S558-5500-25-F | 14260 | BELFUSE | 16+ | SOP-16 |
| TG01-0756NTR | 12753 | HALO | 04+ | SOP-16 |
| TG110-S050N2 | 12084 | HALO | 15+ | SOP-16 |
| TG43-1406NTR | 6264 | HALO | 13+ | SOP-16 |
| SG3846DW | 29768 | LINFINITY | 13+ | SOP-16 |
| TC500ACOE | 2656 | PUCE | 13+ | SOP-16 |
| SN74LS157DR | 11842 | MOT | 16+ | SOP-16 |
| PS2501-4 | 11798 | NEC | 16+ | SOP-16 |
| UPC1099GS-E2 | 17776 | NEC | 15+ | SOP-16 |
| SA604AD | 9976 | 16+ | SOP-16 | |
| TEA1062AT/C4 | 16528 | 08+ | SOP-16 | |
| TEA1610T | 14196 | 16+ | SOP-16 | |
| TEA1751LT | 33460 | 16+ | SOP-16 | |
| MC14551BDR2G | 2756 | SUR | 15+ | SOP-16 |
| TEA1112AT/C1 | 5780 | PHILIPS | 03+ | SOP-16 |
| PT2260-R4S | 15836 | Ptc | 16+ | SOP-16 |
| T1094NL | 8336 | IMPULSION | 16+ | SOP-16 |
| RDA5807SP | 13334 | RDA | 16+ | SOP-16 |
| PS2801-4 | 15384 | RENESAS | 16+ | SOP-16 |
| PS2801-4-F3-A | 24660 | RENESAS | 14+ | SOP-16 |
| PS2801C-4 | 12312 | RENESAS | 14+ | SOP-16 |
| PS2845 | 2183 | RENESAS | 16+ | SOP-16 |
| RT9206PS | 11424 | RICHTEK | 15+ | SOP-16 |
| RT9206 | 28860 | RTCHTEK | 16+ | SOP-16 |
| SI3000-C-FSR | 4640 | SILICIUM | 12+ | SOP-16 |
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MOQ:
20pcs