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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Transistor à effet de champ de P-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de NDT456P

Transistor à effet de champ de P-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de NDT456P

Transistor à effet de champ de P-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de NDT456P
Transistor à effet de champ de P-canal de transistor de transistor MOSFET de puissance de NDT456P
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
P-Channel 30 V 7.5A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Drain-Source Voltage:
-30 V
Gate-Source Voltage:
±20 V
Operating and Storage Temperature:
-65 to 150 °C
Package:
SOT-223
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Transistor à effet de champ de mode d'amélioration de P-canal de NDT456P

Description générale

Des transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration de P-canal d'IVROGNE de puissance sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, densité élevée de cellules, technologie de DMOS. Ce processus très à haute densité est particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état et pour fournir la représentation de changement supérieure. Ces dispositifs approprié en particulier aux applications de basse tension contrôle telles que la gestion de puissance d'ordinateur portable, les circuits à piles, et de C.C moteur.

Caractéristiques

  • -7,5 A, -30 V. LE RDS (DESSUS) = 0,030 W @ VGS = -10 V
  • LE RDS (DESSUS) = 0,045 W @ VGS = -4,5 V.
  • Conception à haute densité de cellules pour extrêmement - le bas RDS (DESSUS).
  • Puissance élevée et capacité de manipulation actuelle dans un paquet extérieur très utilisé de bâti.

Capacités absolues MERCI = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre NDT456P Unités
VDSS Tension de Drain-source -30 V
VGSS Tension de Porte-source ±20 V
Identification

Vidangez actuel - continu (note 1a)

- Pulsé

 ±7.5
±20
Palladium

Dissipation de puissance maximum (note 1a)

(Note 1B)

(Note 1c)

 3 W
1,3 W
1,1 W
TJ, TSTG Température ambiante d'opération et de température de stockage -65 à 150 °C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet

RT9026GSP 23872 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9045GSP 11490 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9214PS 15944 RICHTEK 16+ SOP-8
SHT10 1175 SENSIRION 15+ SOP-8
SP706RCN 7732 SIPEX 16+ SOP-8
TSM101AIDT 9770 SOP-8 16+ SOP-8
SST25VF010A-33-4C-SAE 16984 SST 13+ SOP-8
SST25VF016B-75-4I-S2AF 26844 SST 14+ SOP-8
SST25VF080B-80-4C-S2AE 26928 SST 15+ SOP-8
SLVU2.8-4A1 13096 St 14+ SOP-8
ST1480ACDR 24912 St 13+ SOP-8
ST1S40IDR 9040 St 16+ SOP-8
ST24C02WP 2800 St 10+ SOP-8
ST662ACD 20852 St 15+ SOP-8
TL062IDT 16250 St 12+ SOP-8
TL072CDT 17438 St 16+ SOP-8
TS4871IDT 7980 St 15+ SOP-8
TS555IDT 16286 St 16+ SOP-8
TS912BIDT 8264 St 16+ SOP-8
TSM103WIDT 8420 St 07+ SOP-8
UA741CDT 54000 St 16+ SOP-8
REF01CSZ 3186 ANNONCE 16+ SOP-8
REF192GS 11689 ANNONCE 10+ SOP-8
REF193GSZ 2699 ANNONCE 15+ SOP-8
SSM2143S 11955 ANNONCE 10+ SOP-8
REF195GSZ 5340 L'ADI 10+ SOP-8
SSM2143SZ 1994 L'ADI 07+ SOP-8
TSL2550D-TR 12487 L'AMS 16+ SOP-8
TISP61089BDR-S 15208 BOURNS 10+ SOP-8
RH56 14328 CONEXANT 16+ SOP-8

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Courant:
MOQ:
20pcs
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