Transistor MOSFET de changement complémentaire de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de MJD122G DarliCM GROUPon Power Transistor
power mosfet ic
,silicon power transistors
Transistor MOSFET de changement complémentaire de puissance faible de transistor MOSFET de puissance de MJD122G DarliCM GROUPon Power Transistor
Conçu pour l'amplificateur d'usage universel et les applications de changement à vitesse réduite.
Caractéristiques
• Avance formée pour les applications extérieures de bâti dans des gaines plastiques • Remplacements extérieurs de bâti pour les séries 2N6040−2N6045, les séries TIP120−TIP122, et les séries TIP125−TIP127
• Construction monolithique avec des résistances de shunt de Built−in Base−Emitter
• Gain actuel élevé de C.C : hFE = 2500 (type) @ IC = 4,0 CDA
• UL époxyde 94 V−0 @ 0,125 de rassemblements po
• Estimations d'ESD : Modèle de corps humain, modèle de machine de 3B 8000 V, C 400 V
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES TYPIQUES
BULLETIN DE LA COTE
TLV2382IDRG4 | 19004 | TI | 14+ | SOP-8 |
TLV2772CDR | 19704 | TI | 16+ | SOP-8 |
TLV27L2IDR | 20112 | TI | 14+ | SOP-8 |
TPS2013DR | 13152 | TI | 07+ | SOP-8 |
TPS2041DR | 48796 | TI | 16+ | SOP-8 |
TPS3705-33DR | 15280 | TI | 12+ | SOP-8 |
TPS5410DR | 24072 | TI | 16+ | SOP-8 |
TPS54231DRG4 | 7750 | TI | 14+ | SOP-8 |
TPS54560DDAR | 2879 | TI | 14+ | SOP-8 |
TPS7150QDR | 20068 | TI | 10+ | SOP-8 |
TPS7350QDR | 20201 | TI | 16+ | SOP-8 |
TPS76625DR | 2698 | TI | 11+ | SOP-8 |
TPS92210DR | 25584 | TI | 16+ | SOP-8 |
UC2843AD8 | 16308 | TI | 16+ | SOP-8 |
UC2844AD8TR | 6348 | TI | 13+ | SOP-8 |
UC2845AD8TR | 31816 | TI | 11+ | SOP-8 |
UC3844AD8 | 3232 | TI | 16+ | SOP-8 |
UC3844D8TR | 12766 | TI | 11+ | SOP-8 |
UC3845AD8TR | 5712 | TI | 16+ | SOP-8 |
UC3845D8TR | 32100 | TI | 16+ | SOP-8 |
UCC25600DR | 2916 | TI | 16+ | SOP-8 |
UCC2808DTR-2 | 13320 | TI | 06+ | SOP-8 |
UCC28600DR | 32384 | TI | 14+ | SOP-8 |
TPC8213-H | 13888 | TOS | 16+ | SOP-8 |
TC7W125FU | 9158 | TOSHIBA | 16+ | SOP-8 |
TPC8117 | 9422 | TOSHIBA | 11+ | SOP-8 |
TP4056 | 9734 | TP | 16+ | SOP-8 |
UP6103S8 | 9378 | UPI | 16+ | SOP-8 |
UP6281BSU8 | 3640 | UPI | 16+ | SOP-8 |
SFH6325 | 14508 | VISHAY | 16+ | SOP-8 |
SI4134DY-T1-GE3 | 9246 | VISHAY | 13+ | SOP-8 |
SI4378DY-T1-E3 | 7552 | VISHAY | 16+ | SOP-8 |
SI4412DY-T1-E3 | 22728 | VISHAY | 12+ | SOP-8 |
SI4423DY-T1-E3 | 9224 | VISHAY | 16+ | SOP-8 |
SI4431BDY-T1-E3 | 10166 | VISHAY | 15+ | SOP-8 |
SI4490DY-T1 | 9076 | VISHAY | 16+ | SOP-8 |
SI4490DY-T1-E3 | 6360 | VISHAY | 14+ | SOP-8 |
SI4532ADY-T1-E3 | 9180 | VISHAY | 10+ | SOP-8 |
SI4562DY-T1-E3 | 9158 | VISHAY | 08+ | SOP-8 |
SI4800BDY | 9136 | VISHAY | 16+ | SOP-8 |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
