Transistor MOSFET électrique de puissance du transistor IC HEXFET de transistor MOSFET de puissance d'IRL3713PBF
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-canal 30 V 260A (comité technique) 330W (comité technique) par le trou TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
30V
Tension de Porte-à-source:
± 20 V
Courant pulsé de drain:
A 1040
Facteur de sous-sollicitation linéaire:
2,2 W/°C
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
-55 à +175°C
Storage Temperature:
-55 to +175°C
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
IRL3713PbF IRL3713SPbF IRL3713LPbF
HEXFET ? Transistor MOSFET de puissance
TRANSISTOR MOSFET DE SMPS
Applications
- ? Convertisseurs d'isolement à haute fréquence de DC-DC avec la rectification synchrone pour des télécom et l'usage industriel ?
- Buck Converters à haute fréquence pour la puissance de processeur d'ordinateur ?
- 100% RG examiné ?
- Sans plomb
Avantages ?
- Impédance très réduite de porte ?
- Le bas RDS même (dessus) à 4.5V VGS ?
- Tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
Capacités absolues
| Symbole | Paramètre | Maximum | Unités |
| VDS | Tension de Drain-source | 30 | V |
| VGS | Tension de Porte-à-source | ± 20 | V |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 260 ? | |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 180 | |
| IDM | Courant pulsé de drain | 1040 | |
| Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance maximum | 330 | W |
| Palladium @TC = 100°C | Dissipation de puissance maximum | 170 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 2,2 | W/°C | |
| TJ, TSTG | Température ambiante de jonction et de température de stockage | -55 à +175 | °C |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| G5V-1-DC9 | 6255 | OMRON | 15+ | IMMERSION |
| G5V-2-12VDC | 7727 | OMRON | 14+ | IMMERSION |
| G60N100BNTD | 3498 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
| G65SC51P-2 | 6939 | CMD | 16+ | DIP-28 |
| G6K-2F-Y-5VDC | 10509 | OMRON | 13+ | SOP-8 |
| GAL16V8D-25LP | 5311 | TRELLIS | 16+ | DIP-20 |
| GBL08-E3/51 | 13704 | VISHAY | 14+ | DIP-4 |
| GBPC3508W-E4/51 | 8669 | VISHAY | 16+ | DIP-4 |
| GBU408 | 90000 | SEPT | 13+ | ZIP-4 |
| GBU6K | 14556 | LRC | 13+ | SIP-4 |
| GBU8M | 17593 | VISHAY | 15+ | DIP-4 |
| GE865-QUAD | 1285 | TELIT | 14+ | GPRS |
| GIPS20K60 | 2254 | St | 13+ | MODULE |
| GL34A | 4000 | DIOTEC | 13+ | DO-213AA |
| GL41D | 20000 | GS | 13+ | LL41 |
| GL852G-MNG12 | 7574 | GENESYS | 15+ | LQFP-48 |
| GL865 CONJUGUENT | 1174 | TELIT | 10+ | GPRS |
| GLL4760-E3/97 | 24000 | VISHAY | 10+ | Na |
| GP1S094HCZ0F | 5752 | DIÈSE | 13+ | DIP-4 |
| GS2978-CNE3 | 2125 | GENNUM | 15+ | QFN16 |
| GS2984-INE3 | 1336 | GENNUM | 13+ | QFN |
| GS2988-INE3 | 6693 | GENNUM | 16+ | QFN16 |
| GS3137-08-TAZ | 2008 | CONEXANT | 09+ | TSSOP |
| GSIB2580-E3/45 | 4938 | VISHAY | 16+ | GSIB-5S |
| GSOT03C-GS08 | 7000 | VISHAY | 15+ | SOT-23 |
| GVA-63+ | 8824 | MINI | 15+ | SOT-23 |
| GVA-84+ | 4397 | MINI | 14+ | SOT-89 |
| H11AA1SR2M | 14966 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-6 |
| H11AA4 | 15037 | FAIRCHILD | 14+ | IMMERSION |
| H11AG1SR2M | 4006 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-6 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs