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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Monophasé de transistor MOSFET de la puissance KBP210 de transistor MOSFET de puissance linéaire de fossé 2,0 ampères de ponts redresseurs passivés en verre

Monophasé de transistor MOSFET de la puissance KBP210 de transistor MOSFET de puissance linéaire de fossé 2,0 ampères de ponts redresseurs passivés en verre

Monophasé de transistor MOSFET de la puissance KBP210 de transistor MOSFET de puissance linéaire de fossé 2,0 ampères de ponts redresseurs passivés en verre
Monophasé de transistor MOSFET de la puissance KBP210 de transistor MOSFET de puissance linéaire de fossé 2,0 ampères de ponts redresseurs passivés en verre
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bridge Rectifier Single Phase Standard 1 kV Through Hole KBP
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Peak Repetitive Reverse Voltage...VRRM:
100 Volts
RMS Reverse Voltage...VR(rms):
70 Volts
DC Blocking Voltage...VDC:
100 Volts
Average Forward Rectified Current...IF(av) TA = 25°C:
. 2.0 Amps
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current...IFSM 8.3 mS Single ½ Sine Wave Imposed on Rated Load:
60 Amps
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Monophasé de transistor MOSFET de la puissance KBP210 de transistor MOSFET de puissance linéaire de fossé 2,0 ampères de ponts redresseurs passivés en verre

CARACTÉRISTIQUES

Idéal de ‧ pour la carte électronique

Le ‧ augmentent la température de surcharge : 60 ampères de maximal

Soudure à hautes températures de ‧ : 260O C/10 secondes sur des terminaux

Produit libre de Pb de ‧ à disponible : Sn de 99% au-dessus de demande directive de substance d'environnement de RoHS de rassemblement

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas de ‧ : Plastique moulé

Le ‧ collent : Taux de l'UL 94V-0 ignifuge

Avance de ‧ : MIL-STD-202E, la méthode 208 a garanti

Polarité de ‧ : Les symboles ont moulé ou ont marqué sur le corps

Position de montage de ‧ : Quels

Poids de ‧ : 2,74 grammes

ESTIMATIONS MAXIMUM ET CARACTÉRISTIQUES ÉLECTRIQUES

Estimations de ‧ à la température ambiante de 25 ℃ sauf indication contraire. Monophasé de ‧, mi-onde, 60 charges d'hertz, résistives ou inductives.

Le ‧ pour la charge capacitive, sous-sollicitent actuel de 20%.

BULLETIN DE LA COTE

PM200RSD060 230 MITSUBISH 05+ MOUDLE
PM200RSA060 120 MITSUBISH 13+ MOUDLE
MSM5219BGS-K-7 550 OKI 14+ QFP
PS11003-C 500 MITSUBISH 12+ MODULE
MB87020PF-G-BND 3531 FUJITSU 14+ QFP
MA2820 7689 SHINDENG 16+ FERMETURE ÉCLAIR
7MBP150RTB060 210 FUJI 12+ MODULE
MBM200HS6B 629 HITACHI 14+ MODULE
PM25RSK120 320 MITSUBISH 10+ MOUDLE
QM150DY-H 150 MITSUBISH 13+ MODULE
PWB130A40 120 SANREX 14+ MODULE
LA1185 3928 SANYO 14+ SIP9
BSM25GP120 458 EUPEC 15+ MODULE
LM2750LD-ADJ 3000 NSC 14+ QFN
NCN1188MUTAG 8480 SUR 16+ UQFN
NCN1154MUTAG 8400 SUR 16+ UQFN
LM2745MTCX 3000 NSC 14+ TSSOP-14
L78L05ABD 10000 St 15+ SOP8
AT24C08BN-SH 5000 ATMEL 15+ SOP-8
PS21563-P 500 MITSUBISH 12+ MODULE
BNX003-01 2058 MURATA 14+ IMMERSION
LTC4441IMSE 6207 LINÉAIRE 14+ MSOP
PA0173NLT 7386 IMPULSION 16+ CONCESSION
P0926NL 8560 IMPULSION 16+ CONCESSION
PM10CSJ060 145 MITSUBISH 10+ MOUDLE
PH150S280-24 914 Lambda 16+ IGBT
LM75CIMX-5 4325 NSC 14+ SOP-8
PDT15016 392 NIEC 14+ MODULE
CXA3834M 2531 SONY 15+ CONCESSION
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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Courant:
MOQ:
5pcs
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