L'électronique IC de transistor de transistor MOSFET de la puissance 30EPH03PBF ébrèchent le circuit d'Integared de fournisseur d'IC Chine
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Redresseur ultra-rapide, 30 un FRED PtTM
CARACTÉRISTIQUES
• Temps de rétablissement ultra-rapide
• Basse chute de tension en avant
• Bas courant de fuite
• la température de jonction fonctionnante de 175 °C
• Avance (Pb) sans (suffixe de « PbF »)
• Conçu et qualifié pour le niveau industriel
DESCRIPTION/APPLICATIONS
300 séries de V sont les redresseurs ultra-rapides de pointe de récupération conçus avec la représentation optimisée de la chute de tension en avant et du temps de rétablissement ultra-rapide. La structure planaire et le platine ont enduit le minuteur de la vie garantissent les meilleures caractéristiques globales de représentation, de rugosité et de fiabilité. Ces dispositifs sont prévus pour l'usage dans l'étape de rectification de sortie de SMPS, UPS, les convertisseurs C.C-à-C.C aussi bien que laissant aller des diodes dans des inverseurs de basse tension et des commandes de moteur de couperet. Leur charge stockée extrêmement optimisée et bas courant de récupération réduisent au maximum les pertes de changement et réduire au-dessus de la dissipation dans l'élément et les séparateurs de changement.
Une partie du bulletin de la cote
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
| PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Capacités absolues
Tj = 25C
| Paramètre | Symbole | Valeur | Union |
| Drain-source voltage3 | 300 | V | |
| tension de Porte-source | VGSS | ±30 | V |
| Courant de drain de C.C | Identification | 8 | |
| Vidangez la dissipation de puissance | Palladium | 32 | |
| La température de jonction | Tch | 150 | °C |
| Température ambiante de température de stockage | Tstg | -55 à +150 | °C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G A MORDU Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK stock nouveau et original
Mémoire instantanée NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS d'IC de DSPIC30F3011-30I/PT
NOUVELLES ET ORIGINALES ACTIONS D'IR2110PBF
Puce d'IC de mémoire instantanée de S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuit intégré de mémoire de Spi de quadruple de BIT instantané périodique de la puce 3V 8M de W25Q80DVSNIG double
Module IRF520 du lecteur PWM Controlador de MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 module TTL RS-485 au module TTL à 485