Transistors de puissance du silicium NPN de TIP35C commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 25 A 3MHz 125 W Through Hole TO-247-3
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Emitter-base voltage Open collector:
5 V
Collector current:
25 A
Collector current-peak:
40 A
Base current:
5 A
Collector power dissipation TC=25:
125 W
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Transistors de puissance du silicium NPN de TIP35C commutant le transistor MOSFET de puissance faible de transistor MOSFET de puissance
BULLETIN DE LA COTE
| HT7610B | 2460 | HOLTEK | 16+ | SOP/DIP |
| 74AHC00PW | 7500 | 15+ | TSSOP | |
| IRL540NPBF | 1800 | IR | 12+ | TO-220 |
| LM5001MAX | 2945 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| MBM29LV650UE-90PFTN | 5566 | FUJITSU | 14+ | TSOP |
| BTA54C | 10000 | 15+ | SOT-23 | |
| PIC16F877-20/L | 4863 | PUCE | 16+ | PLCC |
| MAX6361LUT31-T | 4442 | MAXIME | 14+ | IVROGNE |
| MFRC53101T | 6106 | 14+ | CONCESSION | |
| NCP612SQ30T1G | 13680 | SUR | 16+ | SOT-353 |
| NCP612SQ18T1G | 38000 | SUR | 16+ | SC70-5 |
| MB8421-90LPFQ | 3348 | FUJI | 14+ | QFP |
| NH82801IB/SLA9M | 2260 | INTEL | 16+ | BGA |
| M62213FP | 3178 | MIT | 16+ | CONCESSION |
| NCP699SN33T1G | 10000 | SUR | 16+ | SOT23-5 |
| PC16550DV | 7210 | NSC | 10+ | PLCC |
| ADG774BR | 2000 | ANNONCE | 16+ | SOP-16 |
| ARF447 | 1600 | Appartement | 14+ | TO-247 |
| ARF446 | 1600 | Appartement | 13+ | TO-247 |
| CD4017BCMX | 1640 | FSC | 15+ | CONCESSION |
| ADG936BRUZ | 2000 | ANNONCE | 14+ | TSSOP |
| ADV7184BSTZ | 2000 | ANNONCE | 16+ | QFP |
| AD9833BRMZ | 2450 | ANNONCE | 15+ | MSOP-10 |
| DS90LV018ATMX | 4200 | NSC | 16+ | SOP-8 |
| IRLZ44NSTR | 1200 | IR | 12+ | TO-263 |
| AD73360LARZ | 2450 | ANNONCE | 14+ | CONCESSION |
| 74VHCT245AMTCX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | TSSOP-20 |
| ATMEGA16L-8AU | 2500 | ATMEL | 16+ | QFP |
| 20F001NG | 3000 | YCL | 13+ | DIP-12 |
| AM29LV081B-70EC | 1600 | AMD | 15+ | TSOP-40 |
| IS42S81600E-7TL | 550 | ISSI | 15+ | TSOP-54 |
| 74LCX573WMX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | CONCESSION |
| IRL3705NPBF | 800 | IR | 12+ | TO-220 |
| 93LC46B-I/P | 2230 | PUCE | 15+ | IMMERSION |
| IRFR18N15D | 1500 | IR | 14+ | TO-252 |
| IRF7832TRPBF | 1500 | IR | 14+ | SOP-8 |
| MCR25NG | 5776 | SUR | 11+ | TO-220 |
| MC7806ACTG | 4444 | SUR | 12+ | TO-220 |
| MCR16NG | 5770 | SUR | 12+ | TO-220 |
| BTB06-600SW | 3972 | St | 14+ | TO-220 |
| MX25L1606EM2I-12G | 5400 | MXIC | 16+ | CONCESSION |
| HCF4098BEY | 3460 | St | 15+ | IMMERSION |
| 74LCX125MX | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | CONCESSION |
| 24LC01BT-I/SN | 3000 | PUCE | 16+ | CONCESSION |
| IRF7404TR | 1500 | IR | 14+ | SOP-8 |
| 74LCX16244MTD | 7500 | FAIRCHILD | 15+ | TSOP |
| BC846A | 15000 | 15+ | SOT-23 | |
| HEF4046BP | 1520 | 14+ | IMMERSION | |
| 74AC08DR | 7500 | TI | 15+ | CONCESSION |
| HEF4520BP | 1520 | 14+ | DIP-16 | |
| PIC16F877-20I/PT | 4848 | PUCE | 15+ | QFP |
| OPA452FAKTWT | 7880 | TI | 15+ | TO263-7 |
| MC68HC908JL3ECP | 3790 | FREESCALE | 10+ | IMMERSION |
| OPA548T-1 | 7960 | TI | 16+ | TO-220 |
DESCRIPTION
·Avec le paquet de TO-3PN
·Complément pour dactylographier TIP36/36A/36B/36C
·Gain actuel hFE=25 (minute) @IC=1.5A de C.C
APPLICATIONS
·Conçu pour l'usage dans l'usage universel
amplificateur de puissance et applications de changement.
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs