Transistor MOSFET IC de puissance de transistor de transistor MOSFET de puissance d'IRFB20N50KPBF
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-220AB
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Pulsed Drain Current:
80 A
Power Dissipation:
280 W
Linear Derating Factor:
2.2 W/°C
Gate-to-Source Voltage:
± 30 V
Récupération maximale dv/dt de diode:
6,9 V/ns
Operating Junction and Storage Temperature:
-55 to + 150°C
Point culminant:
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Introduction
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| MMBT4403LT1G | 24000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5401LT1G | 27000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| MMBT5550 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBT5551LT1G | 15000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBT6427 | 9000 | FSC | 08+ | SOT-23 |
| MMBTA06-7-F | 9000 | DIODES | 15+ | SOT-23 |
| MMBTA13LT1G | 9000 | SUR | 16+ | SOT-23 |
| MMBTA14 | 6000 | FSC | 05+ | SOT23-3 |
| MMBTA42LT1G | 9000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5230BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5234BLT1G | 18000 | SUR | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5248BLT1G | 18000 | LRC | 16+ | SOT-23 |
| MMBZ5257BLT1G | 18000 | LRC | 15+ | SOT-23 |
| MMBZ5V6ALT1G | 18000 | SUR | 10+ | SOT-23 |
| MMSZ2V4T1G | 12000 | SUR | 14+ | SOD-123 |
| MMSZ2V7T1G | 9000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ4681T1G | 12000 | SUR | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4684T1G | 12000 | SUR | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ4689T1G | 9000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5234B-7-F | 12000 | DIODES | 12+ | SOD-123 |
| MMSZ5243BT1G | 21000 | LRC | 15+ | SOD-123 |
| MMSZ5250BT1G | 21000 | SUR | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ5254BT1G | 9000 | SUR | 14+ | SOD-323 |
| MMSZ5255B | 9000 | DIODES | 16+ | SOD-123 |
| MMSZ6V2T1G | 9000 | SUR | 13+ | SOD-123 |
| MOC3022S-TA1 | 22000 | LITEON | 15+ | SMD |
| MOC3023M | 14343 | FSC | 16+ | DIP-6 |
| MOC3023SR2M | 7397 | FSC | 16+ | SOP-6 |
| MOC3023S-TA1 | 30000 | LITEON | 14+ | SMD-6 |
| MOC3030 | 6391 | FSC | 14+ | DIP-6 |
Transistor MOSFET d'IRFB20N50KPbF SMPS
HEXFET ? Transistor MOSFET de puissance
Applications
- Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)
- Alimentation d'énergie non interruptible
- Commutation à grande vitesse de puissance
- Circuits dur commutés et à haute fréquence
- Sans plomb
Avantages
- Bas résultats de Qg de charge de porte dans la condition simple d'entraînement
- Porte, avalanche et rugosité améliorées de Dynamicdv/dt
- Capacité et tension et courant d'avalanche entièrement caractérisés
- Le bas RDS (dessus)
Capacités absolues
| Paramètre | Maximum. | Unités | |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 25°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 20 | |
| Identification @ COMITÉ TECHNIQUE = 100°C | Courant continu de drain, VGS @ 10V | 12 | |
| IDM | Courant pulsé de drain ? | 80 | |
| Palladium @TC = 25°C | Dissipation de puissance | 280 | W |
| Facteur de sous-sollicitation linéaire | 2,2 | W/°C | |
| VGS | Tension de Porte-à-source | ± 30 | V |
| dv/dt | Récupération maximale dv/dt de diode | 6,9 | V/ns |
|
TJ TSTG |
Jonction fonctionnante et Température ambiante de température de stockage |
-55 + à 150 | °C |
| La température de soudure, pendant 10 secondes (1.6mm du cas) | 300 | °C | |
| Montant le couple, 6-32 ou la vis M3 | 10 | N |
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MOQ:
10pcs