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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > 2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N

2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N

2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N
2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N
2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N
2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N
2SK3564 transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VDSS:
900 V
VDGR:
900 V
VGSS:
±30 V
ID:
3 A
IDP:
9 A
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

2SK3564

Transistor MOSFET de changement de puissance de MOS Type Switching Regulator Applications de la Manche du silicium N

Applications de régulateur de commutation

• Basse drain-source SUR la résistance : Le RDS (DESSUS) = 3.7Ω (type.)

• Accès de transfert en avant élevé : |Yfs| = 2,6 S (type.)

• Bas courant de fuite : IDSS = μA 100 (VDS = 720 V)

• Mode d'amélioration : Vth = 2.0~4.0 V (VDS = 10 V, identifications = 1 mA)

Note : Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

BULLETIN DE LA COTE

MAX4312EEE+T 3600 MAXIME 14+ QSOP
LTC1967CMS8 1628 LINÉAIRE 15+ MSOP
PM200CLA120 100 MITSUBISH 05+ MOUDLE
MAX5160MEUA 14950 MAXIME 16+ MSOP
P89C51RC+JB 1140 PHILIPS 15+ QFP
MC68CK16Z1CAG16 3682 FREESCALE 15+ QFP
PBY201209T-601Y-S 20000 YAGEO 16+ SMD
PACDN046M 10620 CMD 16+ MSOP8
XQ18V04VQ44N 890 XILINX 14+ QFP44
MAX17126BETM 6650 MAXIME 15+ QFN
CY20AAJ-8F 500 MIT 10+ SOP-8
LME49720MA 2428 NSC 14+ SOP-8
BL05A 888 SUR 12+ SOP-8
BT4830 2322 BOOM 15+ FERMETURE ÉCLAIR
BLF278 112 12+ SOT-262
M51996AFP 3334 RENESAS 16+ CONCESSION
M25PE20-VMN6TP 4331 St 16+ CONCESSION
MB81F643242B-10FN 6418 FUJI 15+ TSSOP
MPC5200CVR400B 588 FREESCALE 14+ BGA
XC2C64A-7VQG44I 200 XILINX 14+ VQFP44
XC6SLX100-3CSG484I 100 XILINX 15+ BGA
PESD3V3L5UY 30000 16+ IVROGNE
PDTC124EU 20000 16+ IVROGNE
PBSS5350Z 30000 16+ SOT-23
LPC11C22FBD48/301 3665 15+ LQFP-48
MWIC930NR1 807 FREESCALE 16+ TO-272
XCS05XL-4VQ100C 422 XILINX 12+ QFP100
LM2737MTC 3000 NSC 14+ TSSOP-14
XC7K325T-2FFG900I 155 XILINX 15+ BGA
NE5500234-T1 17120 NEC 16+ SOT-89
CXL5502M-T4 3210 SONY 10+ SOP-16
MAX706CSA 10000 MAXIME 16+ CONCESSION
ATTINY13-20PU 1300 ATMEL 14+ DIP-8
MBRF1060CT 17435 SSG 16+ TO-220
MCP9701AT-E/TT 5704 PUCE 16+ SOT-23
OPA335AIDBVT 7380 TI 16+ SOT23-5
ATTINY261A-MU 870 ATMEL 14+ QFN-32
LTC4011CFE#PBF 6545 LINÉAIRE 14+ TSSOP
MAX8997EWW 9871 MAXIME 15+ BGA
MAX6675ISA 5174 MAXIME 14+ CONCESSION
P80C552EBA 9800 PHILIPS 15+ PLCC
MCO500-16IO1 882 IXYS 15+ MODULE
BTA16-800BW 10000 St 15+ TO-220
NTD4909NT4G 4560 SUR 16+ TO-252
P6SMB6.8A 25000 SUR 16+ DO-214
PESD3V3S2UT 30000 16+ IVROGNE
NCP1200P40 10560 SUR 16+ IMMERSION
MC7805CD2TR4G 4452 SUR 16+ TO-264
MC7818CD2TR4G 4246 SUR 16+ TO-263
ZTX757 4500 ZETEX 11+ TO-92
L78L15ACD13TR 10000 St 15+ SOP8
PM30RHC060 120 MITSUBISH 11+ MOUDLE
M24C02-WBN6 4647 St 16+ IMMERSION
ZXMP6A13FTA 9200 DIODES 15+ SOT23
MC14516BCP 5798 SUR 16+ IMMERSION
MC14106BCP 6680 SUR 16+ IMMERSION
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film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
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Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

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Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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5pcs
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