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Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC327-40

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor bipolaire (BJT) PNP 45 V 800 mA 100 MHz 625 mW Trou traversant TO-92
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
collector-base voltage:
−50 V
Tension de collecteur-émetteur:
−45 V
tension d'Émetteur-base:
−5 V
collector current (DC):
−500 mA
total power dissipation:
625 mW
storage temperature:
−65 to +150 °C
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
ESP8266EX 5982 ESPRESSIF 14+ QFN32
ETC1.6-4-2-3TR 4563 M/A-COM 15+ SMD
EX5418-EG11 7577 EETI 13+ QFN
EXC7900-SG11 4967 EETI 13+ QFN
EXCCET103U 9515 PANASONIC 16+ SMD
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FC-135 32.7680KA 4093 EPSON 13+ SMD
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FDLL4148 25000 FAIRCHILD 15+ LL34
FDMS3604S 5436 FAIRCHILD 16+ QFN
FDMS86500L 8142 FAIRCHILD 13+ QFN-8
FDMS86520L 7901 FAIRCHILD 15+ QFN
FDMS8672S 6190 FAIRCHILD 16+ QFN-8
FDMS8692 20717 FAIRCHILD 16+ QFN

Transistor d'usage universel de BC327 PNP

CARACTÉRISTIQUES

• À forte intensité (maximum 500 mA)

• Basse tension (maximum 45 V).

APPLICATIONS

• Commutation et amplification d'usage universel, étapes par exemple de conducteur et de sortie des amplificateurs audio.

DESCRIPTION

Transistor de PNP dans un TO-92 ; Paquet SOT54 en plastique. Complément de NPN : BC337.

VALEURS LIMITES

Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134).

SYMBOLE PARAMÈTRE CONDITIONS Mn. MAXIMUM. UNITÉ
VCBO tension de collecteur-base émetteur ouvert −50 V
VCEO tension de collecteur-émetteur base ouverte −45 V
VEBO tension d'émetteur-base collecteur ouvert −5 V
IC courant de collecteur (C.C) −500 mA
Missile aux performances améliorées courant de collecteur maximal −1
IBM courant bas maximal −200 mA
Ptot dissipation de puissance totale °C du ≤ 25 de Tamb ; note 1 625 mW
Tstg température de stockage −65 +150 °C
Tj la température de jonction 150 °C
Tamb température ambiante fonctionnante −65 +150 °C

Le transistor de la note 1. a monté sur un panneau du circuit imprimé FR4.

Fig.1 a simplifié le contour (TO-92 ; SOT54) et symbole.

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