Transistor d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de la puissance BC327-40
power mosfet ic
,silicon power transistors
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
ESP8266EX | 5982 | ESPRESSIF | 14+ | QFN32 |
ETC1.6-4-2-3TR | 4563 | M/A-COM | 15+ | SMD |
EX5418-EG11 | 7577 | EETI | 13+ | QFN |
EXC7900-SG11 | 4967 | EETI | 13+ | QFN |
EXCCET103U | 9515 | PANASONIC | 16+ | SMD |
EZ80190AZ050SG | 2645 | ZILOG | 05+ | QFP |
F2405S-1WR2 | 4629 | MORNSUN | 16+ | PETITE GORGÉE |
F65550B | 1918 | PUCES | 13+ | QFP |
FA5518N-A2-TE1 | 9586 | FUJITSU | 14+ | SOP-8 |
FAN1112DX | 20504 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FAN3225TMPX | 3081 | FAIRCHILD | 16+ | DFN-8 |
FAN3225TMX | 5365 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
FAN6862TY | 13420 | FAIRCHILD | 16+ | SSOT-6 |
FAN9612MX | 7548 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
FC-135 32.7680KA | 4093 | EPSON | 13+ | SMD |
FCB11N60TM | 12339 | FAIRCHILD | 15+ | TO-263 |
FCX495TA | 46000 | ZETEX | 14+ | SOT-89 |
FDB3632 | 8071 | FAIRCHILD | 14+ | TO-263 |
FDC6330L | 7527 | FAIRCHILD | 04+ | SOT-163 |
FDC6420C | 20575 | FAIRCHILD | 14+ | SOT-163 |
FDD4141 | 9286 | FAIRCHILD | 16+ | TO-252 |
FDD850N10L | 20646 | FAIRCHILD | 11+ | TO-252 |
FDH055N15A | 7591 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
FDL100N50F | 3233 | FAIRCHILD | 13+ | TO-264 |
FDLL4148 | 25000 | FAIRCHILD | 15+ | LL34 |
FDMS3604S | 5436 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
FDMS86500L | 8142 | FAIRCHILD | 13+ | QFN-8 |
FDMS86520L | 7901 | FAIRCHILD | 15+ | QFN |
FDMS8672S | 6190 | FAIRCHILD | 16+ | QFN-8 |
FDMS8692 | 20717 | FAIRCHILD | 16+ | QFN |
Transistor d'usage universel de BC327 PNP
CARACTÉRISTIQUES
• À forte intensité (maximum 500 mA)
• Basse tension (maximum 45 V).
APPLICATIONS
• Commutation et amplification d'usage universel, étapes par exemple de conducteur et de sortie des amplificateurs audio.
DESCRIPTION
Transistor de PNP dans un TO-92 ; Paquet SOT54 en plastique. Complément de NPN : BC337.
VALEURS LIMITES
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134).
SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Mn. | MAXIMUM. | UNITÉ |
VCBO | tension de collecteur-base | émetteur ouvert | − | −50 | V |
VCEO | tension de collecteur-émetteur | base ouverte | − | −45 | V |
VEBO | tension d'émetteur-base | collecteur ouvert | − | −5 | V |
IC | courant de collecteur (C.C) | − | −500 | mA | |
Missile aux performances améliorées | courant de collecteur maximal | − | −1 | ||
IBM | courant bas maximal | − | −200 | mA | |
Ptot | dissipation de puissance totale | °C du ≤ 25 de Tamb ; note 1 | − | 625 | mW |
Tstg | température de stockage | −65 | +150 | °C | |
Tj | la température de jonction | − | 150 | °C | |
Tamb | température ambiante fonctionnante | −65 | +150 | °C |
Le transistor de la note 1. a monté sur un panneau du circuit imprimé FR4.
Fig.1 a simplifié le contour (TO-92 ; SOT54) et symbole.