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Transistor de changement complémentaire de transistor MOSFET de puissance de NJW0302G, NPN - transistors bipolaires de puissance de PNP

Transistor de changement complémentaire de transistor MOSFET de puissance de NJW0302G, NPN - transistors bipolaires de puissance de PNP
Transistor de changement complémentaire de transistor MOSFET de puissance de NJW0302G, NPN - transistors bipolaires de puissance de PNP
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 250 V 15 A 30MHz 150 W Through Hole TO-3P-3L
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VCEO:
250 volts continu
VCBO:
250 volts continu
VEBO:
5.0 Vdc
VCEX:
250 Vdc
IC:
15 30 Adc
Point culminant:

multi emitter transistor

,

silicon power transistors

Introduction

Transistors bipolaires de puissance complémentaire de NPN-PNP

Ces dispositifs complémentaires sont des versions de puissance faible des transistors de NJW3281G et de NJW1302G de sortie audio populaire. Avec des linéarités de gain et la représentation supérieures de secteur de fonctionnement sûr, ces transistors sont idéaux pour les étapes de haute fidélité de sortie d'amplificateur audio et d'autres applications linéaires.

Caractéristiques

•Région exceptionnelle d'opération sûre

•Gain de NPN/PNP s'assortissant à moins de 10% de 50 mA à 3 A

•Excellentes linéarités de gain

•Haut BVCEO

•À haute fréquence

•Ce sont les dispositifs sans Pb Bene

Avantages

•Représentation fiable à des puissances plus élevées

•Caractéristiques symétriques dans des configurations complémentaires •Reproduction précise de signal d'entrée

•Une plus grande dynamique

•Haut appli de largeur de bande d'amplificateur

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de collecteur-émetteur VCEO 250 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 250 Volts continu
Tension d'Émetteur-base VEBO 5,0 Volts continu
Tension de collecteur-émetteur - 1,5 V VCEX 250 Volts continu

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