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Transistor de transistor MOSFET de puissance de NJW0281G NJW0302G, transistors de puissance de NPN PNP

Transistor de transistor MOSFET de puissance de NJW0281G NJW0302G, transistors de puissance de NPN PNP
Transistor de transistor MOSFET de puissance de NJW0281G NJW0302G, transistors de puissance de NPN PNP
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor bipolaire (BJT) NPN 250 V 15 A 30 MHz 150 W Trou traversant TO-3P-3L
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Pyapal
Caractéristiques
Collector-Emitter Voltage:
250 Vdc
Tension de collecteur-base:
250 volts continu
tension d'Émetteur-base:
5,0 volts continu
Base Current:
1.5 Adc
Total Power Dissipation @ TC = 25°C:
150 Watts
Operating and Storage Junction Temperature:
- 65 to +150 °C
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Transistor de transistor MOSFET de puissance de NJW0281G NJW0302G, transistors de puissance de NPN PNP

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
AT91SAM7S64C-AU 3522 ATMEL 14+ QFP
ATMEGA88PA-AU 3554 ATMEL 14+ QFP
BFG135 3586 14+ SOT-223
BTA40-600B 3618 St 16+ TO-3
IR2184PBF 3650 IR 16+ DIP-8
PIC18F452-I/P 3682 PUCE 13+ QFP
PC-5P-3a1b-24V 3714 Panasonic 15+
PIC18LF4520-I/PT 3746 PUCE 16+ QFP
ADF4360-4BCPZ 3778 ANNONCE 16+ LFCSP
ADM2483BRWZ 3810 ANNONCE 14+ CONCESSION
BCM3349KFBG 3842 BROADCOM 14+ BGA
LMD18200T 3874 NS 14+ ZIP11
USBN9603-28M 3906 NS 16+ SOP-28
PIC18F2550-I/SP 3938 PUCE 16+ DIP-28
IRFP360 3970 IR 13+ TO-247
HCF4053BM1 4002 St 15+ CONCESSION
ADP3338AKC-1.8-RL7 4034 ANNONCE 16+ SOT-223
BA3308F-E2 4066 ROHM 16+ SOP-14
SPW47N60C3 4098 FNI 14+ TO-247
6RI100G-160 4130 FUJI 14+ MODULE
AD620AN 4162 ANNONCE 14+ IMMERSION
AD8139ACPZ 4194 ANNONCE 16+ QFN
ADC0804LCN 4226 NS 16+ IMMERSION
AT89S8253-24PU 4258 ATMEL 13+ IMMERSION
DF10S 4290 SEPT 15+ SMD-4
FZT651TA 4322 ZETEX 16+ SOT223
OPA4227PA 4354 BB 16+ IMMERSION
TMS320C50PQ80 4386 TI 14+ QFP
Z85C3008PSC 4418 ZILOG 14+ DIP40
GT60M104 4450 TOS 14+ TO-3PL

NJW0281G (NPN)

NJW0302G (PNP)

Transistors bipolaires de puissance complémentaire de NPN-PNP

15 AMPÈRES DE SILICIUM DE TRANSISTORS DE PUISSANCE COMPLÉMENTAIRES 250 VOLTS, 150 WATTS

Ces dispositifs complémentaires sont des versions de puissance faible des transistors de NJW3281G et de NJW1302G de sortie audio populaire. Avec des linéarités de gain et la représentation supérieures de secteur de fonctionnement sûr, ces transistors sont idéaux pour les étapes de haute fidélité de sortie d'amplificateur audio et d'autres applications linéaires.

Caractéristiques

• Région exceptionnelle d'opération sûre

• Gain de NPN/PNP s'assortissant à moins de 10% de 50 mA à 3 A

• Excellentes linéarités de gain

• Haut BVCEO

• À haute fréquence

• Ce sont les dispositifs sans Pb Bene

Avantages

• Représentation fiable à des puissances plus élevées

• Caractéristiques symétriques dans des configurations complémentaires

• Reproduction précise de signal d'entrée

• Une plus grande dynamique

• Haut appli de largeur de bande d'amplificateur

Applications

• Produits audio du consommateur à extrémité élevé

* amplificateurs à la maison

* récepteurs à la maison

• Amplificateurs audio professionnels

* systèmes de son de théâtre et de stade

* systèmes d'adresses publics (PAs) MAXIS

ESTIMATIONS MAXIMUM

Estimation Symbole Valeur Unité
Tension de collecteur-émetteur VCEO 250 Volts continu
Tension de collecteur-base VCBO 250 Volts continu
Tension d'Émetteur-base VEBO 5,0 Volts continu
Tension de collecteur-émetteur - 1,5 V VCEX 250 Volts continu

Courant de collecteur - courant de collecteur continu

- Crête (note 1)

 IC

15

30

 CDA
Actuel bas - continu IB 1,5 CDA
Dissipation de puissance totale @ comité technique = 25°C Palladium 150 Watts
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage TJ, Tstg - 65 à +150 °C

Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.

1. Essai d'impulsion : Durée d'impulsion = 5,0 Mme, coefficient d'utilisation < 10="">

DIMENSIONS DE PAQUET

TO-3P-3LD

CAS 340AB-01

QUESTION A

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