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Transistor d'usage universel de npn de transistor de transistor MOSFET de la puissance FQP50N06

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Catégorie:
L'amplificateur IC ébrèche
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
60 V
Tension de Porte-source:
± 20 V
Énergie pulsée simple d'avalanche:
990 MJ
Courant d'avalanche:
52,4 A
Énergie répétitive d'avalanche:
MJ 12,1
Récupération maximale dv/dt de diode:
7,0 V/ns
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
SN74HC00DR 4211 TI 15+ SOP14
NDS9956A 4215 FAIRCHILD 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 SUR 16+ SOP8
ICE2B265 4250 14+ DIP-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ SOT-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224W-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 PUISSANCE 15+ SOP-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ SOT23-5
HCF4052BEY 4399 St 16+ IMMERSION
M82C51A-2 4400 OKI 14+ IMMERSION
MUR1620CTRG 4400 SUR 14+ TO-220
IRF7329 4412 IR 14+ SOP-8
HSMP-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 DIÈSE 13+ DIP-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ TO-252
AD1955ARSZ 4457 ANNONCE 16+ SSOP-28
AMS1083CT-3.3 4470 L'AMS 14+ TO-220
1N4747A 4500 St 14+ DO-41
FDB8447L 4500 FSC 14+ TO-263
INA118P 4500 TI 16+ DIP-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ TO-252
NL17SZ06 4500 SUR 13+ SOT553
Q6040K7 4500 LITTELFUS 15+ TO-3P
STM8324 4500 SAMHOP 16+ SOP8
TDA2050 4500 St 16+ FERMETURE ÉCLAIR

FQP50N06L

transistor MOSFET de N-canal de la LOGIQUE 60V

Description générale

Ces transistors à effet de champ de puissance de mode d'amélioration de N-canal sont produits utilisant Fairchild de propriété industrielle, rayure planaire, technologie de DMOS.

Cette technologie de pointe a été particulièrement travaillée pour réduire au minimum la résistance de sur-état, fournir la représentation de changement supérieure, et résiste à l'impulsion de haute énergie en mode d'avalanche et de commutation. Ces dispositifs sont bien adaptés pour des applications de basse tension telles que les convertisseurs des véhicules à moteur, de C.C de C.C, et la commutation de rendement élevé pour la gestion de puissance dans les produits portatifs et à piles.

Caractéristiques

• 52.4A, 60V, le RDS (dessus) = 0.021Ω @VGS = 10 V

• Basse charge de porte (24,5 typiques OR)

• Bas Crss (90 typiques PF)

• Commutation rapide

• l'avalanche 100% a examiné

• Capacité améliorée de dv/dt

• estimation maximum de la température de jonction 175°C

Capacités absolues comité technique = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre FQP50N06L Unités
VDSS Tension de Drain-source 60 V
Identification

Vidangez actuel - continu (comité technique = 25°C)

- Continu (comité technique = 100°C)

52,4
37,1
IDM Vidangez actuel - pulsé (note 1) 210
VGSS Tension de Porte-source ± 20 V
EAS Énergie pulsée simple d'avalanche (note 2) 990 MJ
IAR Courant d'avalanche (note 1) 52,4
OREILLE Énergie répétitive d'avalanche (note 1) 12,1 MJ
dv/dt Récupération maximale de diode dv/dt (note 3) 7,0 V/ns
Palladium

Dissipation de puissance (comité technique = 25°C)

- Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

121 W
0,81 W/°C
TJ, TSTG Température ambiante d'opération et de température de stockage -55 à +175 °C
TL La température maximum d'avance pour le soudure, 1/8" du point de droit pendant 5 secondes 300 °C

Dimensions de paquet

TO-220

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Courant:
MOQ:
10pcs