Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Type diffus par triple du silicium NPN de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2SC2229-Y (processus de PCT)

Type diffus par triple du silicium NPN de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2SC2229-Y (processus de PCT)

Type diffus par triple du silicium NPN de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2SC2229-Y (processus de PCT)
Type diffus par triple du silicium NPN de transistor de transistor MOSFET de puissance du transistor MOSFET IC de la puissance 2SC2229-Y (processus de PCT)
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor (BJT) bipolaire NPN 150 V 50 mA 120MHz 800 mW par le trou TO-92MOD
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
200 V
Tension de collecteur-émetteur:
150V
tension d'Émetteur-base:
5 V
Courant de collecteur:
50 mA
Dissipation de puissance de collecteur:
800 mW
Température ambiante de température de stockage:
−55 au °C 150
Point culminant:

power mosfet ic

,

multi emitter transistor

Introduction

Type diffus par triple du silicium NPN de transistor de TOSHIBA (processus de PCT)

2SC2229

Applications de sortie vidéo de TV noire et blanche

Applications de changement à haute tension

Applications de Stage Audio Amplifier de conducteur

• Tension claque élevée : VCEO = 150 V (minute)

• Basse capacité de sortie : Épi = 5,0 PF (maximum)

• Haute fréquence de transition : pi = 120 mégahertz (type.)

Capacités absolues (merci = 25°C)

Caractéristiques Symbole Estimation Unité
Tension de collecteur-base VCBO 200 V
Tension de collecteur-émetteur VCEO 150 V
tension d'Émetteur-base VEBO 5 V
Courant de collecteur IC 50 mA
Courant bas IB 20 mA
Dissipation de puissance de collecteur PC 800 mW
La température de jonction Tj 150 °C
Température ambiante de température de stockage Tstg −55 à 150 °C

Note : Utilisant sans interruption sous des charges lourdes (par exemple l'application de la haute température/actuel/tension et la modification importante dans la température, etc.) peut faire diminuer ce produit dans la fiabilité de manière significative même si les conditions de fonctionnement (c.-à-d. température de fonctionnement/actuel/tension, etc.) sont dans les capacités absolues. Veuillez concevoir la fiabilité appropriée lors de passer en revue le manuel de fiabilité de semi-conducteur de Toshiba (concept et méthodes de /Derating « manipulant précautions ») et les différentes données de fiabilité (c.-à-d. rapport des essais de fiabilité et taux d'échec, etc. prévus).

Poids : 0,36 g (type.)

Inscription

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
P89LPC936FDH 5512 14+ TSSOP
LT1010CT 5605 LT 14+ TO220
IT8705F-FXS 5698 ITE 14+ QFP
ADS1232IPWR 5504 TI 16+ TSSOP
LMZ10503TZE-ADJ/NOPB 5310 TI 16+ PFM-7
XCR3032XL-10VQG44C 5116 XILINX 13+ QFP44
LT1461BIS8-2.5 4922 LT 15+ SOP8
FGA25N120ANTD 4728 FSC 16+ TO-3P
IKCS17F60F2C 434 16+ MODULE
D2030A 4340 HUANJIN 14+ TO-220-5
2SK2611 4146 TOSHIBA 14+ TO-3P
S8025L 3952 TOCCOR 14+ TO-220
AD623ARZ 3758 ANNONCE 16+ CONCESSION
TDA5140AT/C1 3564 PHILPS 16+ SOP20
OPA2344UA 3370 TI 13+ SOP-8
AP89341 3176 APLUS 15+ IMMERSION
2N6057 2982 MOT 16+ TO-3
ATMEGA8A-AU 2788 ATMEL 16+ QFP
IRFP460PBF 2594 IR 14+ TO-247
L297 2400 St 14+ IMMERSION
MAX1324ECM 2206 MAXIME 14+ QFP
UCC2897APWR 2012 TI 16+ TSSOP20
W5300 1818 WIZNET 16+ QFP
STRW6252 1624 SANKEN 13+ TO-220F
SI9241A 1430 VISHAY 15+ SOP8
TC4-1W 1236 MINI 16+ Na
LTC4357CMS8 1042 LT 16+ MSOP8
MSP430F149IPMR 848 TI 14+ QFP
PE-65351 654 IMPULSION 14+ DIP6
SIM900 760 SIM 14+ Na

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tous droits réservés.