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Transistor MOSFET linéaire de puissance de transistor MOSFET de PowerTrench de double du N-canal FDS6910 niveau de logique transistor de puissance de darliCM GROUPon de npn

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur 8-SOIC de la rangée 30V 7.5A 900mW de transistor MOSFET
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de Drain-source:
30V
Tension de Porte-source:
±20 V
Vidangez actuel:
21 A
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage:
– °C 55 à +125
Résistance thermique, Jonction-à-Ambien:
50 °C/W
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Double transistor MOSFET de  de PowerTrench de niveau de logique de N-canal


Description générale

Ces transistors MOSFET de niveau de logique de N-canal sont produits utilisant le processus avancé de PowerTrench du semi-conducteur de Fairchild qui a été particulièrement travaillé pour réduire au minimum la résistance de sur-état mais maintenir la représentation de changement supérieure.

Ces dispositifs sont bien adaptés pour la basse tension et les applications à piles où la basse perte de puissance intégrée et la commutation rapide sont exigées.

Notes :

1 : RθJA est la somme du jonction-à-cas et de la résistance cas-à-ambiante où la référence thermique de cas est définie comme surface de montage de soudure des goupilles de drain. RθJC est garanti par conception tandis que RθJA est déterminé par la conception du conseil de l'utilisateur.

2 : Essai d'impulsion : Μs du ≤ 300 de durée d'impulsion, ≤ 2,0% de coefficient d'utilisation

BULLETIN DE LA COTE


ATTANSICL1 125 ATMEL 16+ QFP-64
FW82801EB SL73Z 3460 INTEL 13+ BGA
APM3055LUC-TRL 1600 ANPEC 15+ TO-252
AT89LP4052-20PU 2300 ATMEL 16+ DIP-20
AT91R40008-66AU 2500 ATMEL 15+ QFP100
74LVC32AD 7500 16+ CONCESSION
FTA04N65 3460 IPS 15+ TO-220
ADM809TARTZ 2000 ANNONCE 15+ SOT-23
H11AA1M 3460 FSC 16+ DIP-6
CD74HC4051M96 5900 TI 15+ SOP-16
H11L1SR2M 3460 FAIRCHILD 16+ SOP-6
ATMEGA16A-PU 2500 ATMEL 15+ DIP-40
CY7C68013A-56LTXC 2700 CYPRESS 15+ QFN
EP3C10F256C8N 2070 ALTERA 15+ BGA
AT89C51RD2-SLSUM 2300 ATMEL 13+ PLCC
AT27C010-70JU 2300 ATMEL 13+ IMMERSION
FSDM0465REWDTU 3460 FAIRCHILD 14+ TO-220
ADS8361IDBQ 2000 TI 16+ SSOP-24
AX88796CLF 2170 ASIX 16+ QFP
IS61WV51232BLL-10BLI 750 ISSI 12+ BGA
CY7C68013A-128AXC 2750 CYPRESS 13+ QFP128
EXB841 1950 FUJI 15+ ZIP-13
74LVTH16244MTDX 7500 FAIRCHILD 16+ TSSOP
AT49F040-12TI 2300 ATMEL 16+ TSOP
BC856B 12000 15+ SOT-23
ADS1230IPWR 2000 TI 16+ TSSOP-16
BZX84J-C15 6000 16+ SOD323
FSF05A20 3460 NIEC 16+ TO-220
BYW95C 9000 PHI 15+ SOD-64
CR1220 3950 PANASONIC 15+ SMD
AT25DF041A-SH-T 2300 ATMEL 16+ CONCESSION
BD237 5500 16+ TO-126
2SK2225 3000 RENESAS 16+ TO-3P
24AA64T-I/SN 3000 PUCE 14+ CONCESSION
DAC8811IBDGKR 1500 TI 14+ MSOP-8
IRFS38N20DTRLPBF 1500 IR 13+ TO-252
CD4053BPWR 6350 TI 15+ TSSOP
IRLR3705Z 3200 IR 13+ TO-252
ADS1243IPWR 2000 TI 15+ TSSOP-20
FDN358P 2200 FSC 15+ SOT-23
ADM2485BRWZ 2000 ANNONCE 15+ CONCESSION
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
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Courant:
MOQ:
20pcs