transistor de commutation d'usage universel du transistor PNP de transistor MOSFET de puissance d'amplificateur de 2N3906 PNP
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Transistor bipolaire (BJT) PNP 40 V 200 mA 250 MHz 625 mW Trou traversant TO-92
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension de collecteur-base:
−40 V
Tension de collecteur-émetteur:
−40 V
tension d'Émetteur-base:
−6 V
Dissipation de puissance totale:
500 mW
Température de stockage:
−65 au °C +150
Température ambiante fonctionnante:
−65 au °C +150
Point culminant:
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Introduction
Transistor de commutation de PNP 2N3906
CARACTÉRISTIQUES
• À faible intensité (maximum 200 mA)
• Basse tension (maximum 40 V).
APPLICATIONS
• Commutation ultra-rapide dans des applications industrielles.
DESCRIPTION
Transistor de commutation de PNP dans un TO-92 ; Paquet SOT54 en plastique. Complément de NPN : 2N3904.
GOUPILLER
| PIN | DESCRIPTION |
| 1 | collecteur |
| 2 | base |
| 3 | émetteur |
VALEURS LIMITES
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 134).
| SYMBOLE | PARAMÈTRE | CONDITIONS | Mn. | MAXIMUM. | UNITÉ |
| VCBO | tension de collecteur-base | émetteur ouvert | − | −40 | V |
| VCEO | tension de collecteur-émetteur | base ouverte | − | −40 | V |
| VEBO | tension d'émetteur-base | collecteur ouvert | − | −6 | V |
| IC | courant de collecteur (C.C) | − | −200 | mA | |
| Missile aux performances améliorées | courant de collecteur maximal | − | −300 | mA | |
| IBM | courant bas maximal | − | −100 | mA | |
| Ptot | dissipation de puissance totale | °C du ≤ 25 de Tamb | − | 500 | mW |
| Tstg | température de stockage | −65 | +150 | °C | |
| Tj | la température de jonction | − | 150 | °C | |
| Tamb | température ambiante fonctionnante | −65 | +150 | °C |
Gain actuel de C.C Fig.2 ; valeurs typiques.
Circuit de l'essai Fig.3 pendant des périodes de changement
CONTOUR DE PAQUET
(Par le trou) paquet plombé assymétrique en plastique ; 3 avances SOT54
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| IS62C1024-45T | 580 | ISSI | 10+ | TSSOP |
| HM9110 | 1429 | HMC | 10+ | DIP18 |
| TG43-1406NTR | 5000 | HALO | 10+ | SSOP48 |
| MC74HC30N | 549 | NS | 10+ | IMMERSION |
| AM29F010-120JC | 711 | AMD | 10+ | PLCC32 |
| TMPZ84C30AP-6 | 2420 | TOSHIBA | 10+ | DIP-28 |
| TDA1675A | 810 | St | 10+ | FERMETURE ÉCLAIR |
| STK7360 | 1008 | TDK | 10+ | SIP-14 |
| 24LC512-I/P | 3750 | PUCE | 16+ | DIP8 |
| BFR91A | 5000 | VISHAY | 14+ | TO-50 |
| LE88266DLC | 5800 | LEGERITY | 14+ | QFP80 |
| NJU7391AV-TE1-#ZZZB | 7000 | LE CCR | 14+ | SSOP32 |
| BTA06-800BW | 7660 | St | 16+ | TO-220 |
| 25LC256-I/SN | 9600 | MICROCHI | 16+ | SOP-8 |
| MT8816AE | 5000 | ZARLINK | 13+ | DIP-40 |
| ULN2003APWR | 5000 | TI | 15+ | TSSOP16 |
| XC5VSX95T-2FFG1136I | 100 | XILINX | 16+ | BGA |
| LRPS-2-1 | 2000 | MINI | 16+ | SMD |
| BC847C | 4000 | SUR | 14+ | SOT-23 |
| MUR120RLG | 2000 | SUR | 14+ | DO-41 |
| BC548B | 5000 | PH | 14+ | TO-92 |
| LTC2440CGN | 5000 | LT | 16+ | SSOP16 |
| MB4S | 5000 | SEPT | 16+ | SMD4 |
| MUR160RLG | 5000 | SUR | 13+ | DO-41 |
| BC817-25 | 6000 | 15+ | SO23 | |
| ES2J | 5000 | VISHAY | 16+ | SMB |
| ATMEGA1281-16AU | 3500 | ATMEL | 16+ | QFP |
| LTC1263CS8#PBF | 2500 | LINÉAIRE | 14+ | SOIC-8 |
| MB6S | 7000 | VISHAY | 14+ | SMD-4 |
| BZX84C3V0LT1G | 8000 | SUR | 14+ | SOT-23 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs