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Transistor MOSFET IC, émetteur-récepteur octal de basse tension de puissance de MC74LCX245DTR2G de CMOS

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
L'émetteur-récepteur, Non-inversant 1 élément 8 mordu par élément 3-State a produit 20-TSSOP
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension d'alimentation de C.C:
−0.5 à +7,0 V
Le C.C a entré la tension:
−0.5 ≤ +7,0 V DU ≤ VI
Le C.C a entré le courant de diode:
-50 mA
Source de sortie de C.C/courant d'évier:
±50 mA
Le C.C a rectifié le courant par Pin au sol:
±100 mA
Température ambiante de température de stockage:
−65 au °C +150
Point culminant:

power mosfet ic

,

silicon power transistors

Introduction

Émetteur-récepteur octal de basse tension de MC74LCX245 CMOS

Avec 5 entrées et sorties de V−Tolerant (3−State, Non−Inverting)

Le MC74LCX245 est une haute performance, non−inverting l'émetteur-récepteur octal fonctionnant à partir d'un approvisionnement de 2,0 à 5,5 V. Les entrées compatibles à grande impédance de TTL ramènent de manière significative le chargement actuel aux conducteurs d'entrée tandis que les sorties compatibles de TTL offrent la représentation de changement améliorée de bruit. Des spécifications VI de 5,5 V permettent aux entrées MC74LCX245 d'être sans risque conduites par 5 dispositifs de V si VCC est moins de 5,0 V. Le MC74LCX245 convient à l'adresse mémoire conduisant et tout l'autobus de niveau de TTL a orienté des applications d'émetteur-récepteur.

La capacité actuelle d'entraînement est de 24 mA aux ports d'A et de B. La transmission/réception (T/R) l'entrée détermine la direction des données traversent l'émetteur-récepteur de bi−directional. Transmettez (active−HIGH) permet des données des ports d'A aux ports de B ; Recevez (active−LOW) permet des données de B aux ports d'A. La sortie permettent l'entrée, si HAUTE, désactivent des ports d'A et de B en les plaçant dans un état ÉLEVÉ de Z.

Caractéristiques

• Conçu pour l'opération de 2,0 à 5,5 V VCC

• Capacité tolérante d'interface de − de 5 V avec la logique de 5 V TTL

• Appuis Live Insertion et retrait

• Les spécifications d'IOFF garantissent à grande impédance quand VCC = 0 V

• LVTTL compatible

• LVCMOS compatible

• 24 mA ont équilibré l'évier de sortie et la capacité de source

• Près du courant statique zéro d'approvisionnement dans chacun des trois états de logique (10 A)

Réduit sensiblement l'alimentation électrique de système

• La représentation de Latchup dépasse 500 mA

• Représentation d'ESD : Modèle >2000 V de corps humain

Modèle de machine >200 V

• Préfixe de NLV pour applications des véhicules à moteur et autres exigeant le site unique et

Conditions de rupture de contrôle ; AEC−Q100 a qualifié et PPAP capable

• Ces dispositifs sont Pb−Free, l'halogène Free/BFR libre et sont RoHS conforme

ESTIMATIONS MAXIMUM

Symbole Paramètre Valeur Condition Unité
VCC Tension d'alimentation de C.C −0.5 à +7,0 V
VI Le C.C a entré la tension −0.5 ≤ +7,0 du ≤ VI V
Vo Tension de sortie de C.C ≤ +7,0 de Vo du ≤ −0.5 Sortie dans 3−State V
≤ VCC + 0,5 DE VO DU ≤ −0.5 Sortie dans l'état ÉLEVÉ ou BAS (note 1) V
IIK Le C.C a entré le courant de diode −50 VI< GND=""> mA
IOK Courant de diode de sortie de C.C −50 Vo< GND=""> mA
+50 VO > VCC mA
E/S Source de sortie de C.C/courant d'évier ±50 mA
ICC Courant d'approvisionnement de C.C par Pin d'approvisionnement ±100 mA
IGND Le C.C a rectifié le courant par Pin au sol ±100 mA
TSTG Température ambiante de température de stockage −65 à +150 °C
MSL Sensibilité d'humidité Niveau 1

Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.

1. On doit observer la capacité absolue d'E/S.

DIAGRAMMES DE REPÉRAGE

Pinout (vue supérieure)

Diagramme de logique

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