Porte sensible BT139-800E, 127 transistors de triacs de puissance de silicium de transistor de transistor MOSFET de puissance
power mosfet ic
,silicon power transistors
DESCRIPTION GÉNÉRALE
Verre passivé, porte sensible
triacs sous enveloppe en plastique, prévue
pour l'usage dans l'usage universel
commutation et phase bidirectionnelles
applications de contrôle, là où haut
la sensibilité est exigée dans chacun des quatre
quarts de cercle.
DONNÉES DE RÉFÉRENCE RAPIDE
SYMBOLE | MAXIMUM. | MAXIMUM. | MAXIMUM. | UNITÉ | |
BT139- | 500E | 600E | 800E | ||
VDRM |
Crête répétitive hors état tensions |
500 | 600 | 800 | V |
SERVICE INFORMATIQUE (RMS) | Courant de sur-état de RMS | 16 | 16 | 16 | |
ITSM |
Sur-état maximal non répétitif actuel |
140 | 140 | 140 |
GOUPILLER - TO220AB BROCHAGE SYMBOLE
PIN | DESCRIPTION |
1 | terminal principal 1 |
2 | terminal principal 2 |
3 | porte |
étiquette | terminal principal 2 |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
