Le transistor d'usage universel de transistor MOSFET de puissance (silicium de NPN) Pb−Free empaquette MMBT3904LT1G
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistor d'usage universel
Silicium de NPN
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimation | Symbole | Valeur | Unité |
Tension de Collector−Emitter | VCEO | 40 | Volts continu |
Tension de Collector−Base | VCBO | 60 | Volts continu |
Tension d'Emitter−Base | VEBO | 6,0 | Volts continu |
− de courant de collecteur continu | IC | 200 | mAdc |
CARACTÉRISTIQUES THERMIQUES
Caractéristique | Symbole | Maximum | Unité |
Conseil total de la dissipation FR−5 de dispositif (Note 1) @TA = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
Palladium | 225 1,8 | mW mW/°C |
Résistance thermique, Junction−to−Ambient | RJA | 556 | °C/W |
Alumine totale de dissipation de dispositif Substrat, (note 2) @TA = 25°C Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
Palladium |
300 2,4 |
mW mW/°C |
Résistance thermique, Junction−to−Ambient | RJA | 417 | °C/W |
Jonction et température de stockage | TJ, Tstg | −55 à +150 | °C |
Essai d'impulsion : Durée d'impulsion 300 s, coefficient d'utilisation 2,0%. F