Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Barrière extérieure de Schottky de bâti de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

Barrière extérieure de Schottky de bâti de diode de redresseur de SS32-E3-57T nouvelle et originale

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur DO-214AB (SMC) de la diode 20 V 3A
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
VRRM:
20V
IFSM:
100A
EAS:
20mJ
TJ:
- 55 à + 125°C
Tstg:
- 55 à + 150°C
SI (POIDS DU COMMERCE):
3.0A
Point culminant:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

SS32-E3-57T
Redresseur extérieur de barrière de Schottky de bâti

CARACTÉRISTIQUES

• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Guardring pour la protection de surtension
• Pertes de puissance faible, rendement élevé
• Basse chute de tension en avant
• Capacité de crête élevée
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020,
SI crête maximum du °C 260
• AEC-Q101 a qualifié

ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
PARAMÈTRE SYMBOLE UNITÉ
Code d'inscription de dispositif S2V
Tension inverse maximale répétitive maximum VRRM 20V
Tension maximum de RMS VRMS 14V
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 20V
La moyenne maximum a en avant rectifié actuel à TL (fig. 1) SI (POIDS DU COMMERCE) 3.0A
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi superposée à la charge évaluée IFSM 100A
Énergie non répétitive d'avalanche aux VENTRES = 25 °C, IAS = 2,0 A, L = 10 MH EAS 20mJ
Taux de tension de changement (a évalué VR) dV/dt 10 000 V/µs
Température ambiante fonctionnante de jonction TJ - 55 à + 125°C
Température ambiante de température de stockage TSTG - 55 à + 150°C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
EP3C10E144C8N 4210 ALTERA 14+ TQFP
TLP161G 4210 TOSHIBA 16+ SOP4
GP1A52HRJ00F 4211 DIÈSE 16+ IMMERSION
HCF4556BE 4211 STM 13+ DIP-16
SN74HC00DR 4211 TI 15+ SOP14
NDS9956A 4215 FAIRCHILD 16+ SOP8
MC33202DR2G 4227 SUR 16+ SOP8
ICE2B265 4250 14+ DIP-8
SS32-E3/57T 4250 VISHAY 14+ DO214
SI3867 4258 VISHAY 14+ SOT-163
APM4953 4275 APM 16+ SOP8
LM1117MPX-5.0 4288 NS 16+ SOT223
3224W-1-103E 4300 BOURNS 13+ SMD
TNY276GN 4300 PUISSANCE 15+ SOP-7
MIC5235-1.8YM5 4300 MICREL 16+ SOT23-5
HCF4052BEY 4399 St 16+ IMMERSION
M82C51A-2 4400 OKI 14+ IMMERSION
MUR1620CTRG 4400 SUR 14+ TO-220
IRF7329 4412 IR 14+ SOP-8
HSMP-3816 4433 AVAGO 16+ SOT153
SMDJ54CA 4440 LITTELFUS 16+ SMD
GP1A51HR 4444 DIÈSE 13+ DIP-4
P2804BDG 4444 NIKO 15+ TO252
AP9962GH 4450 AP 16+ TO-252
AD1955ARSZ 4457 ANNONCE 16+ SSOP-28
AMS1083CT-3.3 4470 L'AMS 14+ TO-220
1N4747A 4500 St 14+ DO-41
FDB8447L 4500 FSC 14+ TO-263
INA118P 4500 TI 16+ DIP-8
IRFR9024NTRPBF 4500 IR 16+ TO-252

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs