Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Diode Zener des diodes 18v de PIN Photodiode Silicon Planar Zener du silicium BPW34

Diode Zener des diodes 18v de PIN Photodiode Silicon Planar Zener du silicium BPW34

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Photodiode 850nm 20ns 120° 2-DIP (0.213", 5.40mm)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
réalité virtuelle:
60 V
Picovolte:
215 mW
TJ:
°C 100
Tamb:
- 40 + au °C 100
Tstg:
- 40 + au °C 100
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

Diode Zener des diodes 18v de PIN Photodiode Silicon Planar Zener du silicium BPW34

CARACTÉRISTIQUES

• Type de paquet : plombé

• Forme de paquet : vue supérieure

• Dimensions (L X W X H dans le millimètre) : 5,4 x 4,3 x 3,2

• Zone sensible rayonnante (dans mm2) : 7,5

• Sensibilité élevée de photo

• Sensibilité rayonnante élevée

• Approprié à évident et proche le rayonnement infrarouge

• Temps de réponse rapides

• Angle de demi sensibilité : ϕ = ± 65°

• Composant sans d'avance (Pb) selon RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC

La DESCRIPTION BPW34 est une photodiode de PIN avec la sensibilité rayonnante à grande vitesse et élevée dans la vue miniature, plate, supérieure, paquet en plastique clair. Elle est sensible à évident et proche le rayonnement infrarouge. BPW34S est emballé dans des tubes, caractéristiques comme BPW34.

PARAMÈTRE CONDITION D'ESSAI SYMBOLE VALEUR
Tension inverse VR 60 V
Dissipation de puissance °C du ≤ 25 de Tamb Picovolte 215 mW
La température de jonction Tj °C 100
Gamme de température de fonctionnement Tamb - 40 + au °C 100
Température ambiante de température de stockage Tstg - 40 + au °C 100
La température de soudure ≤ 3 s de t DST °C 260
Jonction de résistance thermique/ambiant Lié au fil de Cu, 0,14 mm2 RthJA 350 K/W

BULLETIN DE LA COTE

OB2538 OBRIGHT 2190 DIP8 NOUVEAU
OCP8153ND OCP 2000 DIP8 NOUVEAU
OCP8164BND OCP 1050 DIP8 NOUVEAU
AB31S-R1 OKITA 1280 SOP4 NOUVEAU
G3VM-61GR1 OMRON 6897 SOP4 NOUVEAU
G3VM-2 OMRON 1934 DIP4 NOUVEAU
G3VM-353G OMRON 4530 SOP4 NOUVEAU
G3VM-VF OMRON 3000 SOP6 NOUVEAU
NCS2553DR2G SUR 3700 SOP8 NOUVEAU
NCS2553DR2G SUR 5700 SOP8 NOUVEAU
NCV33152DR2G SUR 2450 SOP8 NOUVEAU
MC33153PG SUR 1000 DIP8 NOUVEAU
LM324DB SUR 1000 SOP14 NOUVEAU
MC14046BDW SUR 1000 SOP16 NOUVEAU
MC33172DR2G SUR 2361 SOP8 NOUVEAU
MC100EL51DR2G SUR 2546 SOP8 NOUVEAU
NCV4279A50D1R2G SUR 1664 SOP8 NOUVEAU
MC100ELT23DR2 SUR 10000 SOP8 NOUVEAU
MC3403PG SUR 3275 DIP14 NOUVEAU
MC14514BDWR2G SUR 1754 SOP28 NOUVEAU
OPIA404BTR OPTEK 3000 SOP4 NOUVEAU
AQW214 P 2550 DIP8 NOUVEAU
AQW216SXB22 PANASONIC 970 SOP-8 NOUVEAU
AQW216SXB22 PANASONIC 3000 SOP8 NOUVEAU
AQY216SXC09 PANASONIC 1970 SOP4 NOUVEAU
AQY219SXC09 PANASONIC 3000 SOP4 NOUVEAU
ON3181-Y PANASONIC 1998 DIP4 NOUVEAU
AQH1223 PANASONIC 18725 DIP7 NOUVEAU
MIP2F4 PANASONIC 2800 DIP7 NOUVEAU
TDA9351PS/N3/2/1921 PHI 503 IMMERSION NOUVEAU
TDA7088T/V1 PHILIPS 900 SOP16 NOUVEAU
SAA6588T/V2 PHILIPS 3997 SOP20 NOUVEAU
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs