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volts de diode de commutation à grande vitesse de la chaîne de tension de redresseur de silicium 1N4007 50 à 1000

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Diode 1000 V 1A par le trou DO-41
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
PPPM:
1500 W minimum
IFSM:
200 A
IPPM voient le tableau 1:
1 A
VSSC:
V de −0.3 V à +1,98
TJ, Tstg:
°C -65 à +175
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

La TENSION de REDRESSEUR de SILICIUM du BUT 1N4007GENERAL S'ÉTENDENT 50 À 1000 volts de 1 ampère de diode de commutation à grande vitesse actuelle


CARACTÉRISTIQUES
construction de coût de *Low
chute de tension en avant de *Low
fuite inverse de *Low
le *High augmentent en avant la capacité actuelle
* 260℃/10 secondes garanties de soudure à hautes températures, 0,375" longueur de l'avance (9,5 millimètres) à 5 livres (2.3kg) de tension
DONNÉES MÉCANIQUES
*Case : Plastique moulage par transfer
*Epoxy : Taux d'UL94V-O ignifuge
*Terminals : Solderable par MIL-STD-202 méthode 208
*Polarity : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
position *Mounting : Quels
*Weight : 0,012 onces. 0,33 grammes (d'approximatif)
Caractéristique Symbole 1N4007 Unité
Tension inverse répétitive maximale fonctionnant la tension de blocage maximale de C.C de tension inverse VRRM VRWM VR 1000 V
Tension inverse de RMS VR (RMS) 700 V
Courant en avant de redresseur moyen par jambe TC=125℃ SI (POIDS DU COMMERCE) 1,0
Courant de montée subite maximal non répétitif (la montée subite s'est appliquée au halfware de conditions de charge de taux, au monophasé, 60Hz) IFSM 30
Tension en avant instantanée maximum (SI =1.0 ampère comité technique = 25℃) VF 1,1 V
Courant inverse instantané maximum (tension CC évaluée, comité technique = 25℃) (tension CC évaluée, comité technique = 100℃) IR 5,0 50 uA
Capacité de jonction typique (tension inverse de 4 volts et f=1 mégahertz) Cj 15 PF
Résistance thermique typique JA de Rθ 50 ℃/W
Température ambiante de jonction d'opération et de stockage TJ, Tstg 65 à +175

bulletin de la cote

TLC274CDR 15978 TI 16+ SOP-14
TLC27L4CDR 6088 TI 16+ SOP-14
TLC27M4CD 7656 TI 16+ SOP-14
TLC339CDR 14130 TI 09+ SOP-14
TLE2064CDR 3041 TI 10+ SOP-14
TLV2264AIDR 10128 TI 13+ SOP-14
TLV2374IDR 47376 TI 16+ SOP-14
TLV3704IDR 4208 TI 16+ SOP-14
TLV5620IDR 3968 TI 14+ SOP-14
TPS3514DR 49364 TI 09+ SOP-14
TXB0104DR 5676 TI 13+ SOP-14
TXS0104EDRG4 31532 TI 16+ SOP-14
UA723CDR 12524 TI 06+ SOP-14
VCA820IDG4 1502 TI 10+ SOP-14
VCA822ID 737 TI 13+ SOP-14
TC4001BFN 13982 TOSHIBA 16+ SOP-14
SI9120DY 4208 VISHAY 16+ SOP-14
WM8521HCGED 6196 WOLFSON 16+ SOP-14
WS2801 17168 WORLDSEMI 16+ SOP-14
VB027BSP 2063 St 10+ SOP-10
VB125ASP 16743 St 13+ SOP-10
VB125SP 16876 St 16+ SOP-10
VB325SP 5837 St 16+ SOP-10
VB325SPTR 1727 St 09+ SOP-10
VB921ZV 9878 St 14+ SOP-10
VIPER06HSTR 19624 St 14+ SOP-10
VIPER53SP 5998 St 16+ SOP-10
VN05N 7414 St 13+ SOP-10
VN380SP 5970 St 14+ SOP-10
VND05BSP 7746 St 16+ SOP-10
VND600SP 8078 St 16+ SOP-10
VND600SPTR-E 6236 St 12+ SOP-10
VB025 6502 STM 16+ SOP-10
VIPER16LDTR 14460 St 16+ CONCESSION
RC4558DR 12500 TI 15+ CONCESSION
RC4558PSR 51000 TI 05+ CONCESSION
RC4580IDR 17834 TI 16+ CONCESSION
SA555DR 17852 TI 16+ CONCESSION
SN65HVD231DR 23820 TI 14+ CONCESSION
SN65HVD233DR 9042 TI 16+ CONCESSION
SN65HVD235DR 7034 TI 16+ CONCESSION
SN65HVD33DR 13992 TI 12+ CONCESSION
SN65HVD72DR 14068 TI 16+ CONCESSION
SN65LVDS100DR 2396 TI 13+ CONCESSION
SN7400DR 18860 TI 10+ CONCESSION
SN74ABT125DR 13550 TI 10+ CONCESSION
SN74AC573DWR 10610 TI 16+ CONCESSION
SN74AHC123ADR 13160 TI 16+ CONCESSION
SN74AHC132DR 16358 TI 10+ CONCESSION
SN74AHC14DR 27500 TI 13+ CONCESSION
SN74AHC573DWR 12398 TI 14+ CONCESSION
SN74AHC573N 44820 TI 02+ CONCESSION
SN74HC08N 14486 TI 13+ CONCESSION
SN74HC10DR 53500 TI 16+ CONCESSION
SN74HC193DR 8894 TI 11+ CONCESSION
SN74HC240DWR 11822 TI 13+ CONCESSION
SN74HC74DR 56500 TI 12+ CONCESSION
SN74HCT573DWR 8654 TI 14+ CONCESSION
SN74LS07DR 8652 TI 15+ CONCESSION
SN74LS08DR 15340 TI 16+ CONCESSION
SN74LS145DR 17738 TI 15+ CONCESSION
SN74LS279ADR 10288 TI 16+ CONCESSION
SN74LS365ANS 14262 TI 10+ CONCESSION
SN74LV00ADR 18194 TI 10+ CONCESSION
SN74LV165ADR 17312 TI 13+ CONCESSION
SN74LVC573ADWR 14954 TI 16+ CONCESSION
SN74LVTH245ADWR 14240 TI 13+ CONCESSION
SN75176BPSR 7948 TI 10+ CONCESSION
SN75LBC184DR 16682 TI 16+ CONCESSION
SN75LVDS31D 7300 TI 05+ CONCESSION
SN75LVDS31DR 6908 TI 10+ CONCESSION
TL062CDR 17222 TI 16+ CONCESSION
TLC2252IDR 27380 TI 15+ CONCESSION
TP3057WM 3592 TI 16+ CONCESSION
TPA122DR 15956 TI 04+ CONCESSION
UC3895DW 2111 TI 16+ CONCESSION
UC3902D 1952 TI 13+ CONCESSION
UCC28810DR 6472 TI 14+ CONCESSION
ULN2004ADR 11642 TI 15+ CONCESSION
TA7900FG 1200 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TA8192F 43920 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TD62783AFWG 6312 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP124 15008 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP137 7616 TOSHIBA 11+ CONCESSION
TLP172A 13660 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP180 (GIGAOCTET-TPL.F) 12686 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP181GB 7596 TOSHIBA 15+ CONCESSION
TLP184GB 57000 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP290GB 18248 TOSHIBA 16+ CONCESSION
TLP701 15062 TOSHIBA 16+ CONCESSION
UT6264CSCL-70LL 13404 UT 16+ CONCESSION
TEA1110AL-S14-R 9248 UTC 10+ CONCESSION
TD2002C 5916 WEARNES 16+ CONCESSION
TPS2115ADRBR 15912 TI 09+ SON8
QM3004M6 3356 UBIQ 16+ SON8
TPD4E004DRYR 8924 TI 10+ SON6
TPD4S012DRYR 2760 TI 14+ SON6

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

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30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

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22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

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750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

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N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

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47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

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Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

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Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

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9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs