Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Dispositifs antiparasites passagers de tension de PAIR extérieur de bâti de diode de redresseur de SM8A27HE3-2D

Dispositifs antiparasites passagers de tension de PAIR extérieur de bâti de diode de redresseur de SM8A27HE3-2D

Dispositifs antiparasites passagers de tension de PAIR extérieur de bâti de diode de redresseur de SM8A27HE3-2D
Dispositifs antiparasites passagers de tension de PAIR extérieur de bâti de diode de redresseur de SM8A27HE3-2D
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
40V bâti extérieur DO-218AB de diode de la bride 75A (8/20µs) PIP TV
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Dissipation de puissance de crête des impulsions avec 10/1000 forme d'onde de μs:
6600 W
Dissipation de puissance sur le radiateur infini à comité technique = °C 25:
8,0 W
Courant de montée subite inverse maximal non répétitif pour Mme 10 μs/10 délabrant exponentiellement:
130 A
Tension fonctionnante maximum d'impasse:
22,0 V
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi:
700 A
Jonction et température de stockage fonctionnantes:
- 55 + au °C 175
Point culminant:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

SM8A27

Dispositifs antiparasites passagers extérieurs de tension du bâti PAR®

Stabilité à hautes températures et états élevés de fiabilité

CARACTÉRISTIQUES

• La conception optimisée par passivation de jonction a passivé la technologie anisotrope de redresseur

• TJ de = capacité 175 °C appropriée à la fiabilité élevée et à la condition des véhicules à moteur

• Bas courant de fuite

• Basse chute de tension en avant

• Capacité de crête élevée

• Spécifications de montée subite des rassemblements ISO7637-2

• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 245

• AEC-Q101 a qualifié

• Conforme à RoHS 2002/95/EC directif et dans l'accord à WEEE 2002/96/EC

APPLICATIONS TYPIQUES

Utilisation dans la protection sensible de l'électronique contre des coupures de tension induites par la commutation de charge inductive et l'allumage, particulièrement pour l'application des véhicules à moteur de protection de décharge de charge.

DONNÉES MÉCANIQUES

Cas : DO-218AB

Le composé de moulage rencontre la base P/NHE3 d'estimation de l'inflammabilité V-0 de l'UL 94 - RoHS conforme, AEC-Q101 a qualifié

Terminaux : Les avances plaque en fer blanc, solderable mats par suffixe de J-STD-002 et de JESD 22-B102 HE3 rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201

Polarité : Le radiateur est anode

CARACTÉRISTIQUES PRIMAIRES

VBR 27 V
PPPM (10 x μs 1000) 6600 W
Palladium 8 W
IRSM 130 A
IFSM 700 A
Maximum de TJ. °C 175

ESTIMATIONS MAXIMUM (comité technique = °C 25 sauf indication contraire)

PARAMÈTRE SYMBOLE VALEUR UNITÉ
Dissipation de puissance de crête des impulsions avec 10/1000 forme d'onde de μs PPPM 6600 W
Dissipation de puissance sur le radiateur infini à comité technique = °C 25 (fig. 1) Palladium 8,0 W
Courant de montée subite inverse maximal non répétitif pour Mme 10 μs/10 délabrant exponentiellement la forme d'onde IRSM 130
Tension fonctionnante maximum d'impasse VWM 22,0 V
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi IFSM 700
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage TJ, TSTG - 55 + à 175 °C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
BCM82764AKFSBG 2000 BROADCOM NOUVEAU BGA
ICX441UKM-K 2000 SONY NOUVEAU IMMERSION
M24C01-BN6 2000 St NOUVEAU DIP8
M25P10-AVMN6P 2000 St NOUVEAU SOP8
MIC2580A-1.0YTS 2000 MICREL NOUVEAU SSOP
RT1300B6TR7 2000 CTSWIRELESS NOUVEAU BGA
TPA2000D4DAPR 2000 TI NOUVEAU TSSOP
TS634IDT 2000 St NOUVEAU CONCESSION
TLV320DAC23IPWR 1999 TI NOUVEAU TSSOP28
LT1575CS8-TR 1998 LT NOUVEAU SOP8
AT91SAM7S64MU 1994 ATMEL NOUVEAU QFN
ICS9FGP202AKLFT 1988 ICS NOUVEAU QFN
REG104FA-2.7 1960 TI/BB NOUVEAU SOT263
IDT2305-1DLG 1953 IDT NOUVEAU SOP-8
LT1711IMS8 1950 LT NOUVEAU MSOP
AD73360LARZ 1940 L'ADI NOUVEAU SOP28
AK5358AET-E2 1906 AKM NOUVEAU SSOP-16
TDA8029HL/C104 1890 PHILIPS NOUVEAU QFP-32
TMS320VC5409GGU100 1885 TI NOUVEAU BGA
UDA1334ATS/N2/N 1872 PHILIPS NOUVEAU SSOP16
OPA353NA/3KG4 1863 TI NOUVEAU SOT223-5
TPS79333DBVR 1850 TI NOUVEAU SOT23-5
TDA7267A 1838 St NOUVEAU DIP16
TOUR A D'AIC-7896N 1836 AIC NOUVEAU BGA
APQ8026-OVV 1824 QUALCOMM NOUVEAU BGA
AP9916H 1823 APEC NOUVEAU SOT252
MBM29LV800TE70TN-KE1 1816 FUJISTU NOUVEAU TSSOP
SI9138LG-T1-E3 1800 VISHAY NOUVEAU SSOP
RT8078AZSP 1783 RICHTEK NOUVEAU SOP8
MIC4575-5.0With vous 1762 MICREL NOUVEAU TO263

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
100 pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tous droits réservés.