Envoyer le message
English French German Italian Russian Spanish Portuguese Dutch Greek Japanese Korean
Maison
produits
fabricants
Au sujet de nous
ressources
Envoyez le RFQ
téléchargement
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Le verre monophasé de diode de redresseur de MBS6 RCG a passivé des ponts redresseurs

Le verre monophasé de diode de redresseur de MBS6 RCG a passivé des ponts redresseurs

Le verre monophasé de diode de redresseur de MBS6 RCG a passivé des ponts redresseurs
Le verre monophasé de diode de redresseur de MBS6 RCG a passivé des ponts redresseurs
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Mis-bande de bâti de surface de la norme 600 V monophasé de pont redresseur
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse de crête récurrente maximum:
600 V
Tension maximum de RMS:
420 V
Tension de blocage maximum de C.C:
600 V
Capacité de jonction typique par jambe:
13 PF
Résistance thermique typique par jambe:
85 ℃/W
Température de fonctionnement:
℃ -55 à +150
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

MBS2 PAR MBS10

Ponts redresseurs d'AMPS. Glass Passivated monophasé 0,8

Chaîne de tension 200 à 1000 volts

0,8 ampères actuels

Caractéristiques

• Idéal pour la carte électronique

• Construction fiable de coût bas utilisant la technique en plastique moulée

• Capacité élevée de courant de montée subite

• La soudure à hautes températures a garanti : 260℃/10 secondes à 5 livres., tension (2,3 kilogrammes)

• Installation de petite taille et simple

• Avances solderable par MIL-STD-202 mis-bande de la méthode 208

Estimations maximum et caractéristiques électriques

Estimation à la température 25℃ambient sauf indication contraire.

Monophasé, mi-onde, 60 charges d'hertz, résistives ou inductives.

Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%

Type nombre Symbole MBS2 MBS4 MBS6 MBS8 MBS10 Unités
Tension inverse de crête récurrente maximum VRRM 200 400 600 800 1000 V
Tension maximum de RMS VRMS 140 280 420 560 700 V
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 200 400 600 800 1000 V

Actuel rectifié en avant moyen maximum

Sur la carte PCB en verre époxy.

Sur le substrat en aluminium

 JE (POIDS DU COMMERCE)

0,5

0,8
Courant de montée subite en avant maximal, Sinus-vague simple de 8,3 Mme demi superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) IFSM 35
Tension en avant instantanée maximum @ 0.4A VF 1,0 V

VENTRES actuels =25℃ d'inverse maximum de C.C @

aux VENTRES évalués =125℃ de tension de blocage de C.C @

 IR

5,0

100

 uA
Capacité de jonction typique par jambe (Note1) Cj 13 PF
Résistance thermique typique par jambe RθJA 85 ℃/W
Chaîne de température de fonctionnement TJ -55 à +150 ℃
Température ambiante de température de stockage TSTG -55 à +150 ℃

Note : 1. mesuré à 1 mégahertz et à tension inverse appliquée de 4,0 volts de C.C

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
RT9026GSP 23872 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9045GSP 11490 RICHTEK 16+ SOP-8
RT9214PS 15944 RICHTEK 16+ SOP-8
SHT10 1175 SENSIRION 15+ SOP-8
SP706RCN 7732 SIPEX 16+ SOP-8
TSM101AIDT 9770 SOP-8 16+ SOP-8
SST25VF010A-33-4C-SAE 16984 SST 13+ SOP-8
SST25VF016B-75-4I-S2AF 26844 SST 14+ SOP-8
SST25VF080B-80-4C-S2AE 26928 SST 15+ SOP-8
SLVU2.8-4A1 13096 St 14+ SOP-8
ST1480ACDR 24912 St 13+ SOP-8
ST1S40IDR 9040 St 16+ SOP-8
ST24C02WP 2800 St 10+ SOP-8
ST662ACD 20852 St 15+ SOP-8
TL062IDT 16250 St 12+ SOP-8
TL072CDT 17438 St 16+ SOP-8
TS4871IDT 7980 St 15+ SOP-8
TS555IDT 16286 St 16+ SOP-8
TS912BIDT 8264 St 16+ SOP-8
TSM103WIDT 8420 St 07+ SOP-8
UA741CDT 54000 St 16+ SOP-8
REF01CSZ 3186 ANNONCE 16+ SOP-8
REF192GS 11689 ANNONCE 10+ SOP-8
REF193GSZ 2699 ANNONCE 15+ SOP-8
SSM2143S 11955 ANNONCE 10+ SOP-8
REF195GSZ 5340 L'ADI 10+ SOP-8
SSM2143SZ 1994 L'ADI 07+ SOP-8
TSL2550D-TR 12487 L'AMS 16+ SOP-8
TISP61089BDR-S 15208 BOURNS 10+ SOP-8
RH56 14328 CONEXANT 16+ SOP-8

PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs
Contactez-nous
Adresse: Salle 1204, DingCheng International Building, 518028 Futian District, SHENZHEN, CN
Email: sales@cmhk-ic.com
Téléphone: 86-755-88367702
produits

Puce d'IC de mémoire instantanée

Puce programmable d'IC

L'ordinateur IC ébrèche

Conducteur ICs de LED

Gestion IC de puissance

Puces de circuits intégrés

Unité de microcontrôleur MCU

Conducteur ICs d'affichage

Module d'alimentation IGBT

L'amplificateur IC ébrèche
Au sujet de nous
Au sujet de nous Certificat d'OIN Contrôle de qualité Politique en matière de protection de la vie privée Centre d'aide
Politique en matière de protection de la vie privée | Bonne qualité de la Chine Puce d'IC de mémoire instantanée Fournisseur. © de Copyright 2023-2024 icmemorychip.com . Tous droits réservés.