Redresseur extérieur de barrière de Schottky de bâti de diode de redresseur de SS16-E3/61T
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
SS12 par SS16
Redresseur extérieur de barrière de Schottky de bâti
CARACTÉRISTIQUES
• Paquet de profil bas
• Idéal pour le placement automatisé
• Guardring pour la protection de surtension
• Pertes de puissance faible, rendement élevé
• Basse chute de tension en avant
• Capacité de crête élevée
• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 260
• °C de l'immersion 260 de soudure, 40 s
• Composant dans l'accord à RoHS 2002/95/EC et WEEE 2002/96/EC
APPLICATIONS TYPIQUES
Pour l'usage la basse tension, les inverseurs à haute fréquence, en laissant aller, les convertisseurs C.C-à-C.C, et les applications de protection de polarité.
DONNÉES MÉCANIQUES
Cas : DO-214AC (SMA)
L'époxyde rencontre l'estimation d'inflammabilité de l'UL 94V-0
Terminaux : Avances plaque en fer blanc, solderable mats par J-STD-002 et JESD22-B102
Le suffixe E3 pour la qualité grand public, rencontre l'essai de favori de la classe 1A de JESD 201, le suffixe HE3 pour la catégorie élevée de fiabilité (l'AEC Q101 qualifiée), rencontre l'essai de favori de la classe 2 de JESD 201
Polarité : La bande de couleur dénote l'extrémité de cathode
CARACTÉRISTIQUES PRIMAIRES
SI (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 A |
VRRM | 20 V à 60 V |
IFSM | 40 A |
VF | 0,50 V, 0,75 V |
Maximum de TJ. | 125 °C, °C 150 |
ESTIMATIONS MAXIMUM (MERCI = °C 25 sauf indication contraire)
PARAMÈTRE | SYMBOLE | SS12 | SS13 | SS14 | SS15 | SS16 | UNITÉ |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Code d'inscription de dispositif | S2 | S3 | S4 | S5 | S6 | ||
Tension inverse maximale répétitive maximum | VRRM | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | V |
Tension maximum de RMS | VRMS | 14 | 21 | 28 | 35 | 42 | V |
Tension de blocage maximum de C.C | Volts continu | 20 | 30 | 40 | 50 | 60 | V |
La moyenne maximum a en avant rectifié actuel à TL (fig. 1) | SI (POIDS DU COMMERCE) | 1,0 | |||||
Sinus-vague simple de montée subite en avant de Mme maximale du courant 8,3 demi superposée à la charge évaluée | IFSM | 40 | |||||
Taux de tension de changement (a évalué VR) | dV/dt | 10000 | V/µs | ||||
Température ambiante fonctionnante de jonction | TJ | -65 + à 125 | -65 + à 150 | °C | |||
Température ambiante de température de stockage | TSTG | -65 + à 150 | °C |
DIMENSIONS d'ENSEMBLE de PAQUET en pouces (millimètres)
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
MBRM120LT1G | 40000 | SUR | 16+ | GAZON |
MC9S08AW32CFGE | 4552 | FREESCALE | 13+ | LQFP |
NAND512R3A2SZA6E | 5760 | St | 14+ | BGA |
OPA695IDR | 8180 | TI | 12+ | SOP-8 |
BFS20 | 9000 | 15+ | SOT23 | |
MSP430F2471TPMR | 6722 | TI | 15+ | LQFP |
ATMEGA64A-AU | 5001 | ATMEL | 15+ | QFP-64 |
LMV331IDBVR | 10000 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
LM3880MFX-1AB | 4505 | NSC | 15+ | SOT-23-6 |
MOC3022 | 30000 | FAIRCHILD | 16+ | DIP-6 |
LM611CMX | 1428 | NSC | 14+ | SOP-14 |
PIC18F6720-I/PT | 4298 | PUCE | 10+ | QFP |
MAX9768ETG+T | 11152 | MAXIME | 15+ | TQFN |
NCP3063BDR2G | 8371 | SUR | 16+ | SOP-8 |
PIC18F8722-I/PT | 4253 | PUCE | 14+ | QFP |
30119* | 208 | BOSCH | 10+ | ZIP-3 |
30381* | 2090 | BOSCH | 11+ | SOP-20 |
OPA373AIDBVR | 7520 | TI | 16+ | SOT23-5 |
M24C64-WMN6TP | 30000 | St | 16+ | CONCESSION |
LT3750EMS | 5613 | LT | 14+ | MSOP |
LM4811MM | 4410 | NSC | 15+ | MSOP-10 |
LM4875MMX | 2543 | NSC | 14+ | MSOP-8 |
PTH12040WAH | 800 | TI | 15+ | IMMERSION |
M41T93RMY6 | 3633 | St | 14+ | CONCESSION |
NH82801GB-SL8FX | 2200 | INTEL | 16+ | BGA |
MC79L05ACDR2G | 30000 | SUR | 13+ | SOP-8 |
2SA1941+2SC5198 | 6304 | TOSHIBA | 15+ | TO-3P |
MJD340T4G | 10000 | SUR | 16+ | TO-252 |
LMH6646MAX | 2729 | NSC | 14+ | SOP-8 |
MC14528BCP | 6257 | SUR | 16+ | IMMERSION |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
