Régulateurs de tension de Zener de diode de redresseur de MMBZ5230BLT1G MMBZ5234BLT1G
bridge rectifier circuit
,signal schottky diode
Série MMBZ5221BLT1
Régulateurs de tension de Zener
225 bâti extérieur de mW SOT−23
Cette série de diodes Zener est offerte dans le paquet SOT−23 en plastique de bâti commode et extérieur. Ces dispositifs sont conçus pour fournir à la régulation de tension espace requis minimum. Ils sont bien adaptés pour des applications telles que des téléphones mobiles, des portables tenus dans la main, et des panneaux de PC à haute densité.
Caractéristiques
• Les paquets de Pb−Free sont disponibles
• estimation de 225 mW sur le panneau FR−4 ou FR−5
• − de chaîne de tension de Zener 2,4 V à 91 V
• Paquet conçu pour l'Assemblée automatisée optimale de conseil
• Taille de petit paquet pour des applications à haute densité
• Estimation d'ESD de la classe 3 (>16 kilovolt) par modèle de corps humain
Caractéristiques mécaniques
CAS : cas de plastique sans nulle, transfert-moulé, thermodurcissable
FINITION : Finition anticorrosion, facilement solderable
TEMPÉRATURE DE CARTER MAXIMUM POUR LE SOUDURE : 260°C pendant 10 secondes
POLARITÉ : La cathode a indiqué par la bande de polarité
ESTIMATION D'INFLAMMABILITÉ : UL 94 V−0
ESTIMATIONS MAXIMUM
Estimation | Symbole | Maximum | Unité |
Dissipation de puissance totale sur le panneau FR−5, (Note 1) @ MERCI = 25°C Sous-sollicité au-dessus de 25°C |
Palladium |
225 1,8 |
mW mW/°C |
Résistance thermique, Junction−to−Ambient | Rθ ? JA | 556 | °C/W |
Dissipation de puissance totale sur le substrat d'alumine, (Note 2) @ MERCI = 25°C Sous-sollicité au-dessus de 25°C |
Palladium |
300 2,4 |
mW mW/°C |
Résistance thermique, Junction−to−Ambient | Rθ ? JA | 417 | °C/W |
Température ambiante de jonction et de température de stockage | TJ, Tstg | −65 à +150 | °C |
Les estimations maximum sont ces valeurs au delà de quels dommages de dispositif peuvent se produire. Les estimations maximum ont appliqué au dispositif sont différentes valeurs limites d'effort (fonctionnement non normal) et sont invalides simultanément. Si ces limites sont dépassées, l'opération fonctionnelle de dispositif n'est pas impliquée, les dommages peuvent se produire et la fiabilité peut être affectée.
1. FR−5 = 1,0 x 0,75 x 0,62 po.
2. Alumine = 0,4 x 0,3 x 0,024 po, alumine 99,5%.
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
LT1933ES6 | 2520 | LT | 16+ | SOT23-6 |
LT1963AEQ-3.3 | 4329 | LINÉAIRE | 15+ | TO-263 |
LT3008ETS8 | 18224 | LT | 16+ | SOT23-8 |
LT3086EFE | 4480 | LT | 16+ | TSSOP |
LT3494EDDB | 6707 | LINÉAIRE | 15+ | DFN-8 |
LT4363IMS-2 | 3550 | LINÉAIRE | 14+ | MSOP |
LT5534ESC6#TRPBF | 3101 | LINÉAIRE | 15+ | SC70-6 |
LT6100IMS8 | 6678 | LINÉAIRE | 16+ | MSOP-8 |
LT6108IMS8-2 | 5119 | LT | 16+ | MSOP-8 |
LTC1452IS8#TRPBF | 1457 | LINÉAIRE | 10+ | SOIC |
LTC1535CSW | 3037 | LT | 10+ | SOP-28 |
LTC1545CG | 1704 | LINÉAIRE | 00+ | SSOP-36 |
LTC1546CG | 2661 | LINÉAIRE | 04+ | SSOP |
LTC1877EMS8#PBF | 1638 | LT | 15+ | MSOP-8 |
LTC2050CS5#TR | 15318 | LINÉAIRE | 01+ | SOT23-5 |
LTC2924IGN | 3108 | LT | 16+ | SSOP-16 |
LTC2955ITS8-2 | 1861 | LINÉAIRE | 16+ | SOT23-8 |
LTC3112EDHD | 3059 | LT | 16+ | QFN16 |
LTC3371EUHF#PBF | 2317 | LINÉAIRE | 14+ | QFN |
LTC3406ES5-1.5#TRPBF | 9278 | LINÉAIRE | 10+ | SOT23-5 |
LTC3454EDD | 3010 | LT | 13+ | DFN-10 |
LTC3545EUD-1#TRPBF | 2652 | LINÉAIRE | 13+ | QFN16 |
LTC3621EMS8E | 3150 | LINÉAIRE | 13+ | MSOP-8 |
LTC3631IMS8E | 2803 | LT | 16+ | MSOP-8 |
LTC3789EUFD | 2385 | LINÉAIRE | 16+ | QFN |
LTC3850EGN#TRPBF | 18295 | LINÉAIRE | 13+ | SSOP-28 |
LTC3850EUF | 7490 | LINÉAIRE | 15+ | QFN |
LTC3851EGN | 3121 | LINÉAIRE | 15+ | SSOP |
LTC4011CFE | 4687 | LINÉAIRE | 08+ | TSSOP-20 |
LTC4054ES5-4.2 | 6539 | LT | 16+ | SOT23-5 |

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
