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Maison > produits > Puces électroniques d'IC > S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T

S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T

S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T
S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T
S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T
S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Bâti extérieur DO-214AB (SMC) de la diode 1000 V 5A
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
-65 à +150°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
50V--1000V
Expédition:
DHL, FEDEX, TNT, SME
Paquet:
DO-214AB
Paquet d'usine:
850/REEL
Point culminant:

bridge rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

S5M - E3 - transistor de l'électronique d'IC de puce de circuit intégré de diode de redresseur 57T

? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

Aperçu

! Cas : SMC/DO-214AB, plastique moulé

! Terminaux : Soudure plaquée, Solderable par MIL-STD-750, méthode 2026

! Polarité : Bande de cathode ou entaille de cathode

! Inscription : Type nombre ! Poids : 0,21 grammes (approximativement)

! Sans plomb : Pour RoHS/version sans plomb, ajoutez « - le suffixe de LF » au numéro de la pièce, voir la page 4

Fonctions

! De verre passivés meurent construction

! Dans le meilleur des cas adapté à l'Assemblée automatique B

! Basse chute de tension en avant

! Température de surcharge de montée subite 100A à la crête D

! Perte A de puissance faible

! Passe-fils intégré F

! Le matériel de boîtier en plastique a la classification d'inflammabilité d'UL évaluant 94V-O

Tension inverse répétitive maximale fonctionnant la tension de blocage maximale de C.C de tension inverse

VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V RMS

Tension inverse VR (RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V

Courant de sortie rectifié moyen @TL = 75°C E/S 5,0 A

Courant de montée subite en avant maximal non répétitif 8.3ms

Demi sinus-vague simple superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) IFSM 100 A

Tension en avant @IF = 5.0A VFM 1,15 V

Actuel inverse maximal @TA = 25°C

À la tension de blocage évaluée de C.C @TA = 125°C

IRM 10 capacité de jonction typique de 250 µA (note 1) Cj 40 PF

Résistance thermique typique (note 2) R ? JL 10 °C/W

Température ambiante Tj, TSTG -65 à d'opération et de température de stockage °C +150

Une partie du bulletin de la cote

TRANSPORT BC848B, 215 1427/1KW SOT-23
DIODO FEP16DT FSC A1104/AB04 TO-220
TRANS. TIP31C FSC 2016/09/13/B08 TO-220
DIODO MUR860G SUR 608 TO-220
DIODO MUR460RLG SUR 1613 DO-201AD
UMK316AB7475KL 1206 4.7UF 50V X7R Taiyoyunden 1608 SMD1206
BZX84-C6V2 1610/Z4W SOT-23
RP164PJ331CS 330R SAMSUNG 20160922 SMD0603x4
RC1210JR-074R7L 1210 4R7 5% YAGEO 1638 SMD1210
LM833DR TI 0AMASD5 SOP-8
LMH6646MAX TI MUAB/MGAB SOP-8
LM8261M5 TI A45A SOT23-5
M24C04-WMN6TP STM K235Q SOP-8
RSX101VA-30TR ROHM R SOD-323
IRLML2502TRPBF IR G6109 SOT-23
CL21A106KOQNNNE SAMSUNG AC8NOK9 SMD0805
LM2936Z-5.0 NSC 81AX TO-92
HEF4538BT, 653 1610 SOP-16
DAC5571IDBVT TI D571 SOT23-6
DS36C279M/NOPB NSC 43RC SOP-8
1206 1R2 1% RC1206FR-071R2L YAGEO 1638 SMD1206
0603 120R 1% RC0603FR-07120RL YAGEO 1635 SMD0603
0603 22K 1% RC0603FR-0722KL YAGEO 1635 SMD0603
AT24C64CN-SH-T ATMEL 008/64C 1 SOP-8
TLC072CDGN TI TI8A/ADV MSOP-8
74HC238D 1625 SOP-16
S5M-E3/57T VISHAY 1603/5M SMC
US1M-E3/61T VISHAY 1628/UM SMA
MC78M05CDTX FSC 1A42AD TO-252
HY-SRF05 　 16+ 　

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