Pont redresseur passivé en verre monophasé de diode de redresseur GBJ1508
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Pont Redresseur Monophasé Standard 800 V Traversant GBJ
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse répétitive maximale:
800 V
Tension inverse maximale fonctionnante:
800 V
Tension de blocage de C.C:
800 V
Tension inverse de RMS:
560V
Capacité de jonction typique par élément:
60 PF
Opération et température de stockage:
°C -65 à +150
Point culminant:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduction
Pont redresseur passivé en verre monophasé de diode de redresseur GBJ1508
Caractéristiques ?
- De verre passivés meurent construction ?
- Résistance diélectrique de haut cas de 1500VRMS ?
- Bas courant inverse de fuite ?
- Température de surcharge de montée subite à la crête 240A ?
- Idéal pour des applications de carte électronique ?
- Matière plastique - classification 94V-0 d'inflammabilité d'UL ?
- L'UL a énuméré sous l'index composant identifié, le nombre de dossier E94661
Données mécaniques
- Cas : Plastique moulé ?
- Terminaux : Avances plaquées, Solderable par MIL-STD-202, méthode 208 ?
- Polarité : Moulé sur le corps ?
- Support : Par le trou pour la vis #6 ?
- Montage du couple : 5,0 dans-livres de maximum ?
- Poids : 6,6 grammes (approximativement) ?
- Inscription : Type nombre
Estimations maximum et caractéristiques électriques @ MERCI = 25°C sauf indication contraire
Monophasé, charge de 60Hz, résistive ou inductive.
Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.
| Caractéristique | Symbole | Valeur | Unité |
| Courant de sortie rectifié en avant moyen @ comité technique = 100°C | E/S | 15 | |
| Courant de montée subite en avant maximal non répétitif, moitié-sinus-vague simple de 8,3 Mme superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) | IFSM | 240 | |
| Tension en avant (par élément) @ SI = C.C 7.5A | VFM | 1,05 | V |
|
Courant inverse maximal @ comité technique = 25°C à la tension de blocage évaluée de C.C @ comité technique = 125°C |
IR |
10 500 |
µA |
| Iestimationde2tpourfondre(t < 8=""> | I 2t | 240 | Des2s |
| Capacité de jonction typique par élément (note 2) | Cj | 60 | PF |
| Résistance thermique typique, jonction à enfermer (note 3) | RθJC | 0,8 | °C/W |
| Température ambiante d'opération et de température de stockage | Tj, TSTG | -65 à +150 | °C |
Notes :
1. Non répétitif, pour t > 1ms et < 8="">
2. Mesuré à 1,0 mégahertz et à tension inverse appliquée de C.C 4.0V.
3. Résistance thermique de la jonction à enfermer par élément. L'unité a monté sur le radiateur de plat de cuivre de 300 x de 300 x de 1.6mm.
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| HIN202CBN | 16402 | INTERSIL | 16+ | CONCESSION |
| HIP0082AB | 6910 | INTERSIL | 16+ | HSOP |
| HIP4082IP | 3469 | INTERSIL | 15+ | DIP-16 |
| HIP4082IPZ | 7664 | NTERSIL | 16+ | DIP-16 |
| HJR-3FF-S-Z-24VDC | 9641 | TIANBO | 13+ | IMMERSION |
| HJR-3FF-S-Z-5VDC | 12765 | TIANBO | 16+ | IMMERSION |
| HK160882NJ-T | 20000 | TAIYO | 16+ | SMD |
| HK1608R47J-T | 20000 | TAIYO | 15+ | SMD |
| HM6264ALFP-10T | 3440 | HITACHI | 16+ | SOP-28 |
| HMA121CR3V | 15758 | FAIRCHILD | 09+ | SOP-4 |
| HMC241QS16ETR | 6244 | HITTITE | 15+ | SSOP-16 |
| HMC311SC70E | 1242 | HITTITE | 14+ | SC70-6 |
| HMC336MS8GE | 2565 | HITTITE | 13+ | MSOP-8 |
| HMC336MS8GETR | 8737 | HITTITE | 07+ | MSOP |
| HMC349AMS8GE | 4906 | HITTITE | 16+ | MSOP-8 |
| HMC362S8G | 1795 | HITTITE | 12+ | SOP-8 |
| HMC429LP4ETR | 1093 | HITTITE | 15+ | HCP-16 |
| HMC476MP86E | 2596 | HITTITE | 15+ | SOT-86 |
| HMC539LP3ETR | 1984 | HITTITE | 12+ | QFN |
| HMC618LP3ETR | 1199 | HITTITE | 10+ | QFN |
| HN16012CG | 7669 | MICM GROUPEK | 13+ | SOP-16 |
| HN16613CG | 9641 | MICM GROUPEK | 13+ | SOP-16 |
| HN16614CG | 3522 | MICM GROUPEK | 16+ | SOP-16 |
| HR911105A | 3493 | HANRUN | 14+ | RJ45 |
| HS01G | 21143 | SUR | 14+ | SOP-8 |
| HSMG-C170 | 89000 | AVAGO | 07+ | SMD |
| HSMH-C170 | 92000 | AVAGO | 07+ | SMD0805R |
| HSMM-A100-S00J1 | 26000 | AVAGO | 14+ | SMD |
| HSMP-3816-TR1G | 5933 | AVAGO | 15+ | SOT23-5 |
| HSMS-2820-TR1G | 36000 | ACVAGO | 13+ | SOT-23 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
10pcs