Double tension inverse maximale répétitive ultra-rapide rocailleuse de la diode de redresseur BYV32EB-200 200 V
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Rangée de diode rangée commune de la cathode 200 V 20Diode de 1 paire bâti extérieur TO-263-3, ² PAK
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse maximale répétitive:
200 V
tension inverse de fonctionnement de crête:
200 V
Tension inverse:
200 V
Crête répétitive en avant actuelle:
20 A
Courant maximal répétitif d'inverse:
0,2 A
Température de stockage:
°C -40 à 150
Point culminant:
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Introduction
Double tension inverse maximale répétitive ultra-rapide rocailleuse de la diode de redresseur BYV32EB-200 200 V
Description générale
Double diode de redresseur épitaxiale ultra-rapide dans (D2PAK)unpaquet SOT404en plastiquesurface-montable.
Caractéristiques et avantages
- élevé de capacité de crête de tension inverse
- élevé de représentation de mise en chauffage
- Bas de résistance thermique
- La caractéristique douce de récupération réduit au minimum le consumant d'oscillations de puissance
- Surface-montable de paquet
- Basse perte même de sur-état
d'applications
Redresseurs de sortie dans les alimentations d'énergie à haute fréquence de commuter-mode
Valeurs limites
Selon le système de notation maximum absolu (le CEI 60134).
| Symbole | Paramètre | Conditions | Minute | Maximum | Unité |
| VRRM | tension inverse maximale répétitive | - | 200 | V | |
| VRWM | tension inverse de fonctionnement de crête | - | 200 | V | |
| VR | tension inverse | C.C | - | 200 | V |
| E/S (POIDS DU COMMERCE) | courant de sortie moyen | impulsion de place-vague ; δ = 0,5 ; °C du ≤ 115 de Tmb ; conduite de les deux diodes ; voir le schéma 1 ; voir le schéma 2 | - | 20 | |
| IFRM | crête répétitive en avant actuelle | δ = 0,5 ; tp = 25 µs ; °C du ≤ 115 de Tmb ; par diode | - | 20 | |
| IFSM | crête non répétitive en avant actuelle | tp = Mme 8,3 ; impulsion de sinus-vague ; °C 25 de Tj (init) = ; par diode | - | 137 | |
| tp = Mme 10 ; impulsion de sinus-vague ; °C 25 de Tj (init) = ; par diode | - | 125 | |||
| IRRM | courant maximal répétitif d'inverse | δ = 0,001 ; tp = 2 µs | - | 0,2 | |
| IRSM | courant maximal non répétitif d'inverse | tp = 100 µs | - | 0,2 | |
| Tstg | température de stockage | -40 | 150 | °C | |
| Tj | la température de jonction | - | 150 | °C | |
| VESD | tension de décharge électrostatique | HBM ; C = 250 PF ; R = kΩ 1,5 ; toutes les goupilles | - | 8 | kilovolt |
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| FDN358P | 58000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| FDN5630-NL | 83000 | FAIRCHILD | 16+ | SOT-23 |
| FDPF14N30 | 5507 | FAIRCHILD | 09+ | TO-220F |
| FDS3672 | 5282 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-8 |
| FDS4435BZ | 16331 | FAIRCHILD | 15+ | SOP-8 |
| FDS4935BZ | 9357 | FAIRCHILD | 14+ | SOP-8 |
| FDS6576 | 20788 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
| FDS6681Z | 6161 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
| FDS6699S | 20859 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
| FDS8978 | 18516 | FAIRCHILD | 09+ | SOP-8 |
| FDS9431A | 9728 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
| FDS9945-NL | 9799 | FAIRCHILD | 12+ | SOP-8 |
| FDV301N | 12000 | FSC | 16+ | SOT23-5 |
| FDV304P | 86000 | FAIRCHILD | 15+ | SOT-23 |
| FEP16DT | 8008 | VISHAY | 11+ | TO-220 |
| FEP16GT | 12410 | FSC | 16+ | TO-220 |
| FERD30M45CT | 6132 | St | 15+ | TO-220AB |
| FES16JT | 12481 | VISHAY | 13+ | TO-220 |
| FGA25N120ANTD | 5228 | FSC | 15+ | TO-3P |
| FGH40N60SMDF | 5808 | FAIRCHILD | 16+ | TO-247 |
| FGH40N60UFD | 8213 | FAIRCHILD | 15+ | TO-247 |
| FGH60N60SFD | 4835 | FAIRCHILD | 13+ | SOP-8 |
| FGH60N60UFD | 4764 | FSC | 16+ | TO-247 |
| FGL40N120AND | 7142 | FAIRCHILD | 16+ | TO-264 |
| FJE3303H2TU | 14485 | FAIRCHILD | 07+ | TO-126 |
| FLZ2V2A | 20000 | FSC | 15+ | LL34 |
| FLZ3V6A | 7000 | FSC | 12+ | LL34 |
| FM18W08-SGTR | 4627 | CYPRESS | 11+ | SOP-28 |
| FM24CL64B-GTR | 1578 | CYPRESS | 16+ | SOP-8 |
| FM24W256-GTR | 7533 | CYPRESS | 14+ | SOP-8 |
PRODUITS CONNEXES
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs