Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Diode de redresseur de changement rapide de bâti extérieur d'US1G-E3/61T, modèle de diode de Schottky de signal double

Diode de redresseur de changement rapide de bâti extérieur d'US1G-E3/61T, modèle de diode de Schottky de signal double

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Diode 400 V 1A montage en surface DO-214AC (SMA)
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
SI (POIDS DU COMMERCE):
1,0 A
VRRM:
50 V à 800 V
IFSM:
30 A
TRR:
150 NS, 250 NS, 500 NS
Maximum de TJ.:
150 °C
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

Modèle de changement rapide de double diode de diode de Schottky de signal de redresseur de bâti extérieur de S1G-E3-61T


CARACTÉRISTIQUES

• Paquet de profil bas

• Idéal pour le placement automatisé

• Jonction passivée en verre de puce

• Commutation rapide pour le rendement élevé

• Capacité de crête en avant élevée

• Niveau 1 des rassemblements MSL, par J-STD-020, SI crête maximum du °C 260

• AEC-Q101 a qualifié

APPLICATIONS TYPIQUES

Pour l'usage dans la rectification de changement rapide de l'alimentation d'énergie, des inverseurs, des convertisseurs, et de laisser aller des diodes pour le consommateur, des véhicules à moteur et la télécommunication.

BULLETIN DE LA COTE

REF3040AIDBZR 13296 TI 14+ SOT-23
REF3120AIDBZR 7048 TI 15+ SOT-23
SN65LVDS1DBVR 10900 TI 16+ SOT-23
SN74LVC1G00DBVR 51000 TI 16+ SOT-23
SN74LVC1G06DBVR 54000 TI 16+ SOT-23
SN74LVC1G11DBVR 12500 TI 13+ SOT-23
SN74LVC1G17DBVR 132000 TI 15+ SOT-23
SN74LVC2G14DBVR 16628 TI 16+ SOT-23
TL431ACDBZR 42500 TI 16+ SOT-23
TL431AQDBZR 7838 TI 16+ SOT-23
TL431ASA-7 59000 TI 16+ SOT-23
TL431BIDBZR 13856 TI 16+ SOT-23
TMP100NA 26424 TI 16+ SOT-23
TPS563209DDCR 19856 TI 15+ SOT-23
TPS61040DBVR 16638 TI 16+ SOT-23
TC7S08F 16808 TOSHIBA 16+ SOT-23
SI2302CDS 15000 VISHAY 14+ SOT-23
SI2305ADS-T1-E3 14144 VISHAY 15+ SOT-23
SI2308BDS-T1-E3 16970 VISHAY 15+ SOT-23
SI2309DS-T1-E3 18000 VISHAY 13+ SOT-23
SI2312BDS-T1-E3 60500 VISHAY 13+ SOT-23
SI2316DS-T1-E3 18500 VISHAY 16+ SOT-23
SI2318DS-T1-E3 52500 VISHAY 16+ SOT-23
SI2323DS-T1-E3 11336 VISHAY 16+ SOT-23
TN0200K-T1-E3 60000 VISHAY 16+ SOT-23
TP0101K-T1-E3 9446 VISHAY 16+ SOT-23
TPS73633DCQR 2228 TI 16+ SOT223-6
TPS79633DCQR 10359 TI 14+ SOT223-6
TL1963ADCQR 13580 TI 11+ SOT223-5
TPS7A4533DCQR 20334 TI 16+ SOT223-5
TPS78625DCQR 2894 TI 14+ SOT223-5
TPS79401DCQR 21552 TI 16+ SOT223-5
TPS79650DCQR 3428 TI 16+ SOT223-5
REG104GA-A/2K5 1871 TI 11+ SOT-223
TLV1117-18CDCYR 4840 TI 10+ SOT-223
TLV1117-33CDCYR 8852 TI 16+ SOT-223
TLV1117-33IDCYR 12832 TI 14+ SOT-223
TLV1117CDCYR 4424 TI 16+ SOT-223
TPS73201DCQR 22804 TI 16+ SOT-223
UA78M05IDCY 15868 TI 14+ SOT-223
VNL5160N3TR-E 19576 St 14+ SOT-223
R104G33 12396 TI 13+ SOT-223
TLV1117-18CDCY 11030 TI 16+ SOT-223
TLV1117-50CDCYR 10082 TI 10+ SOT-223
TLV1117CDCY 10060 TI 08+ SOT-223
TPS72501DCQR 21048 TI 14+ SOT-223
TPS73701DCQR 15172 TI 16+ SOT-223
TPS73733DCQR 15456 TI 16+ SOT-223
PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
50pcs