Envoyer le message
Maison > produits > Puces électroniques d'IC > Redresseurs de silicium d'usage universel de redresseur de diode de redresseur de LL4007G L0G

Redresseurs de silicium d'usage universel de redresseur de diode de redresseur de LL4007G L0G

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Diode 1000 V 1A montage en surface MELF
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse de crête récurrente maximum:
1000 V
Tension maximum de RMS:
700 V
Tension de blocage maximum de C.C:
1000 V
Tension en avant maximum à 1 A:
1,1 V
Capacité de jonction typique:
15pF
Opération et température de stockage:
- 65 + au ℃ 150
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduction

LL4001… LL4007

REDRESSEURS DE SILICIUM EXTÉRIEURS DE BÂTI

Chaîne de tension - 50 à 1000 V

Actuel en avant - 1 A

Caractéristiques

• Coût bas

• Idéal pour les applications montées extérieures

• Bas courant de fuite

Données mécaniques

• Cas : Corps en plastique moulé de MELF (DO-213AB)

• Position de montage : quels

Capacités absolues et caractéristiques électriques (merci = ℃ 25)

Estimations à la température ambiante de 25 ℃ sauf indication contraire. Monophasé, mi-onde, 60 charges d'hertz, résistives ou inductives. Pour la charge capacitive, sous-sollicitez actuel de 20%.

Paramètre Symboles LL4001 LL4002 LL4003 LL4004 LL4005 LL4006 LL4007 Unités
Tension inverse de crête récurrente maximum VRRM 50 100 200 400 600 800 1000 V
Tension maximum de RMS VRMS 35 70 140 280 420 560 700 V
Tension de blocage maximum de C.C Volts continu 50 100 200 400 600 800 1000 V
Courant rectifié en avant moyen maximum aux VENTRES = ℃ 75 SI (POIDS DU COMMERCE) 1
Mme maximale demi Sinus-vague simple du courant de montée subite en avant 8,3 superposée à la charge évaluée (méthode de JEDEC) IFSM 30
Tension en avant maximum à 1 A VF 1,1 V
Actuel inverse maximum de chargement complet (pleine moyenne de cycle) IR (POIDS DU COMMERCE) 30 µA

VENTRES actuels d'inverse maximum de C.C = ℃ 25

aux VENTRES évalués de tension de blocage de C.C = ℃ 125

IR

5

50

µA
Capacité de jonction typique 1) CJ 15 PF
Résistance thermique maximum

RθJL 2)

RθJA 3)

20

50

℃/W
Température ambiante d'opération et de température de stockage Tj, Tstg - 65 + à 150

1) Mesuré à 1 mégahertz et à tension inverse appliquée de C.C 4 V

2) Résistance thermique de jonction au terminal protections de cuivrede 6,0 millimètres3 à chaque terminal

3) Jonction de résistance thermique au terminal protections de cuivrede 6,0 millimètres3 à chaque terminal

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
TDA7295 11556 St 13+ ZIP-15
TDA7296 11157 St 13+ ZIP-15
TDA7376B 10418 St 16+ ZIP-15
TDA7377 25164 St 16+ ZIP-15
TDA1557Q 2300 16+ ZIP-13
TDA7057AQ 3080 16+ ZIP-13
TDA1516BQ 1304 PHILIPS 15+ ZIP-13
TDA8563Q 1973 PHILIPS 10+ ZIP-13
UDN2879W 2702 ALLÉGRO 13+ ZIP-12
SLA4061 15278 SANKEN 13+ ZIP-12
SLA4390 3098 SANKEN 16+ ZIP-12
SLA5013 1800 SANKEN 16+ ZIP-12
SLA5060 2777 SANKEN 13+ ZIP-12
STK73904 1823 SANYO 16+ ZIP-11
TDA2005R 6764 St 12+ ZIP-11
TDA7265 26256 St 16+ ZIP-11
TDA7292 2609 St 10+ ZIP-11
TDA7396 2207 St 15+ ZIP-11
UPA1556AH 14286 NEC 16+ ZIP-10
STA408A 1319 SANKEN 14+ ZIP-10
STA413A 4500 SANKEN 14+ ZIP-10
STA460C 3430 SANKEN 16+ ZIP-10
SF15DUZ-H1-4 824 MITSUBIS 16+ FERMETURE ÉCLAIR
TDA8359J 13828 16+ FERMETURE ÉCLAIR
TDA8920CJ 2039 16+ FERMETURE ÉCLAIR
TDA1554Q 11556 PHILIPS 13+ FERMETURE ÉCLAIR
TDA2616Q 7272 PHILIPS 16+ FERMETURE ÉCLAIR
TDA8944J 13551 PHILIPS 16+ FERMETURE ÉCLAIR
STRS5707 17184 SANKEN 13+ FERMETURE ÉCLAIR
STRX6759 1694 SANKEN 16+ FERMETURE ÉCLAIR

PRODUITS CONNEXES
Image partie # Description
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603

30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%

22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou

750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode

Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P

N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD

47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123  de barrière de PMEG6010ER 1A

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A

Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC

Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA
Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W

9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
20pcs