L'électronique IC de diode de redresseur TZM5226B-GS08 ébrèchent le circuit d'Integared de fournisseur d'IC Chine
Caractéristiques
Température ambiante:
– 65°C à +175°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
1.1V
Actuel:
1A
Paquet:
SMD
Paquet d'usine:
2500/REEL
Point culminant:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introduction
Z-diodes de silicium
Caractéristiques ?
Caractéristique d'inversion pointue même ?
Très de forte stabilité ?
Données électriques identiques aux dispositifs
1N5221B… 1N5267B ?
Niveau actuel inverse bas ?
± 5% de VZ-tolérance
Applications
Stabilisation de tension
Une partie du bulletin de la cote
C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
Recherche 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
Recherche 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
C.I MCP6S26-I/SL | PUCE | 16255C4 | SOP-14 |
ACOPLADOR. PC817A | DIÈSE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
TRANSPORT 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
C.I CL2N8-G | PUCE | CL2C | SOT-89 |
C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
PAC 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
PAC ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | CASSEROLE | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
C.I 24LC256-I/SN | PUCE | 1636M6G | SOP-8 |
PAC ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
RECHERCHE RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
PAC CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
PAC CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
Recherche 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
CAS 0805RC0805JR-073K3L de la RECHERCHE 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
PAC 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Capacités absolues
Tj = 25C
Paramètre | Conditions d'essai | Symbole | Valeur | Union |
Dissipation de puissance | RthJA<300k> | Picovolte | 500 | mW |
Z-actuel | Lz | PV/VZ | V | |
La température de jonction | Tj | 175 | °C | |
Température ambiante de température de stockage | Tstg | -65 à +175 | °C |
PRODUITS CONNEXES

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
10 kOhms ±5% 0.063W, 1/16W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Moisture Resistant Thick Film

200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
30 Ohms 1 Power Line Ferrite Bead 0603 (1608 Metric) 5A 10mOhm

film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
22 Ohms ±5% 0.1W, 1/10W Chip Resistor 0402 (1005 Metric) Automotive AEC-Q200 Thick Film

Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
750 V 6.5 kA Varistor 1 Circuit Through Hole Disc 20mm

Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 1 W Surface Mount D-Pak

Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
N-Channel 300 V 140A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
47V Clamp 3A (8/20µs) Ipp Tvs Diode Surface Mount USC

Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Diode 60 V 1A Surface Mount SOD-123W

Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC
Diode 40 V 3A Surface Mount DO-214AC, SMA

Diodes extérieures du bâti TV des diodes à avalanche de silicium de SMBJ5.0A 600W
9.2V Clamp 65.3A Ipp Tvs Diode Surface Mount DO-214AA (SMBJ)
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ:
2500pcs