Dissipation de puissance planaire du circuit de redresseur de diode Zener de silicium de 1N4753A 18v 1 W
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Offre courante (vente chaude)
Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
|
1N4727A… 1N4764A
DIODES ZENER PLANAIRES DE PUISSANCE DE SILICIUM
Capacités absolues (merci = ℃ 25)
Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
Dissipation de puissance | Ptot | 1 1) | W |
La température de jonction | Tj | 200 | ℃ |
Température ambiante de température de stockage | SOLIDES TOTAUX | - 65 + à 200 | ℃ |
1) Valide à condition que des avances à une distance de 8 millimètres de cas soient maintenues à la température ambiante.
Caractéristiques aux ventres = ℃ 25
Paramètre | Symbole | Maximum. | Unité |
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant | RthA | 170 1) | K/W |
Tension en avant à SI = 200 mA | VF | 1,2 | V |
1) Valide à condition que des avances à une distance de 8 millimètres de cas soient maintenues à la température ambiante.
Caractéristiques de Breakdowm
Tj=constant (pulsé)

0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT

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