La diode de redresseur 1N4738A, FONT -41 diodes Zener planaires de puissance de silicium
fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Diode Zener 8,2 V 1 W ±5% Traversant DO-41
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Dissipation de puissance:
1 W
LA TEMPÉRATURE DE JONCTION:
℃ 200
Température de stockage:
- 65 + au ℃ 200
Jonction de résistance thermique à l'air ambiant:
170 K/W
Tension en avant à SI = 200 mA:
1,2 V
Paquet:
DO-41
Point culminant:
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Introduction
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| LM339DR | 40000 | TI | 11+ | SOP-14 |
| MMBD4148CC | 20000 | CJ | 16+ | SOT-23 |
| NX1117C33Z | 30000 | 11+ | SOT-223 | |
| MCF51QE128CLK | 4816 | FREESCALE | 13+ | QFP |
| P80C32UBAA | 9740 | PHILIPS | 16+ | PLCC |
| X25043ST1 | 2050 | XICOR | 09+ | SOP-8 |
| LM3488MM/NOPB | 790 | TI | 13+ | MSOP-8 |
| LM393P | 38000 | TI | 14+ | DIP-8 |
| OP113ES | 5860 | ANNONCE | 16+ | CONCESSION |
| XC95216-10PQG160I | 200 | XILINX | 10+ | QFP160 |
| MT29F2G16ABAEAWP : E | 6967 | MICRON | 14+ | TSOP |
| OP177FSZ-REEL7 | 5900 | ANNONCE | 15+ | CONCESSION |
| P89LPC936FDH | 10320 | 15+ | TSSOP | |
| XC7A50T-1CSG324I | 60 | XILINX | 15+ | BGA |
| TPS5124DBTR | 5291 | TI | 15+ | TSSOP-30 |
| UA78M33CKCS | 6831 | TI | 15+ | TO-220 |
| TL064IDT | 10000 | St | 15+ | SOP-14 |
| TPS61041DBVR | 10000 | TI | 15+ | SOT23-5 |
| TPS5450DDAR | 5882 | TI | 16+ | SOP-8 |
| TPS54610PWPR | 3872 | TI | 15+ | HTSSOP28 |
| TL2844BDR-8 | 7291 | TI | 15+ | SOP-8 |
| TEMD5110X01 | 30000 | VISHAY | 14+ | SMD |
| TPS73250DBVR | 8928 | TI | 15+ | SOT23-5 |
| UC3844D8TR | 21029 | TI | 16+ | SOP-8 |
| TS831-3ID | 4103 | TI | 16+ | MSOP-10 |
| UPC451G2-E2-A | 4827 | NEC | 15+ | SOP-14 |
| TLE2426CLPR | 9732 | TI | 16+ | TO-92 |
| TPS2501DRCR | 9827 | TI | 14+ | QFN-10 |
| UE06AB6 | 5242 | St | 15+ | QFP-64 |
| TPS650250RHBR | 8387 | TI | 16+ | QFN32 |
1N4727A… 1N4764A
DIODES ZENER PLANAIRES DE PUISSANCE DE SILICIUM
Capacités absolues (merci = ℃ 25)
| Paramètre | Symbole | Valeur | Unité |
| Dissipation de puissance | Ptot | 1 1) | W |
| La température de jonction | Tj | 200 | ℃ |
| Température ambiante de température de stockage | SOLIDES TOTAUX | - 65 + à 200 | ℃ |
1) Valide à condition que des avances à une distance de 8 millimètres de cas soient maintenues à la température ambiante.
Caractéristiques aux ventres = ℃ 25
| Paramètre | Symbole | Maximum. | Unité |
| Jonction de résistance thermique à l'air ambiant | RthA | 170 1) | K/W |
| Tension en avant à SI = 200 mA | VF | 1,2 | V |
1) Valide à condition que des avances à une distance de 8 millimètres de cas soient maintenues à la température ambiante.
Caractéristiques de Breakdowm
Tj=constant (pulsé)
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Courant:
MOQ:
20pcs