diode de redresseur 1N4004, diode Zener d'usage universel des redresseurs 18v
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| G30N60A4 | 1300 | FAIRCHILD | 15+ | TO-3P |
| M74HC137B1R | 1300 | St | 16+ | IMMERSION |
| MB8421-12LP | 1300 | FUJITSU | 16+ | IMMERSION |
| MC33887DH | 1300 | FREESCAL | 14+ | HSOP-20 |
| MSM6242BRS | 1300 | SUR | 14+ | DIP-18 |
| NE22 | 1300 | IR | 14+ | TO-220 |
| OPA134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| OPA2134PA | 1300 | BB | 16+ | DIP-8 |
| TC4560BP | 1300 | TOS/NEC/H | 13+ | IMMERSION |
| 74HCT688N | 1320 | PHI | 15+ | IMMERSION |
| DM9161AEP | 1320 | DAVICOM | 16+ | QFP |
| M430F149IPM | 1320 | TI | 16+ | QFP64 |
| SN74HC645N | 1320 | TI | 14+ | DIP20 |
| BTA26-800B | 1325 | St | 14+ | TO-3P |
| LT3508EFE | 1350 | LINÉAIRE | 14+ | TSSOP16 |
| UM3750A | 1351 | UMC | 16+ | CONCESSION |
| MC34051D | 1388 | SUR | 16+ | SOP16 |
| FQP5N50C | 1400 | FAIRCHILD | 13+ | TO-220 |
| IRFD420 | 1400 | IR | 15+ | DIP-4 |
| MAX1693EUB+ | 1400 | MAXIME | 16+ | MSOP10 |
| TLP3063F | 1400 | TOSHIBA | 16+ | IMMERSION |
| MBRF10100CT | 1420 | SSG | 14+ | TO-220 |
| VN920B | 1422 | St | 14+ | SMD |
| 74HCT4538N | 1431 | 14+ | IMMERSION | |
| H5DU2562 | 1450 | HYNIX | 16+ | TSOP |
| CY8C26643-24AXI | 1455 | CRI | 16+ | QFP |
| AO4710 | 1458 | AOS | 13+ | SOP8 |
| LH5116NA-10 | 1472 | DIÈSE | 15+ | CONCESSION |
| PAL007E | 1480 | PIONNIER | 16+ | ZIP-25 |
| UCC27424DR | 1491 | TI | 16+ | SOP-8 |
1N4001 - 1N4007
Redresseurs d'usage universel de 1,0 ampères
Caractéristiques
• Basse chute de tension en avant.
• Capacité élevée de courant de montée subite.
Capacités absolues * MERCI = 25°C sauf indication contraire
| Symbole | Paramètre | Valeur | Unités |
| E/S |
Courant rectifié moyen. 375" longueur d'avance @ MERCI = 75°C |
1,0 | |
| si (montée subite) |
Courant de montée subite en avant maximal moitié-sinus-vague simple de 8,3 Mme Superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC) |
30 | |
| Palladium |
Dissipation totale de dispositif Sous-sollicitez au-dessus de 25°C |
2,5 20 |
W mW/°C |
| RθJA | Résistance thermique, jonction à ambiant | 50 | °C/W |
| Tstg | Température ambiante de température de stockage | -55 à +175 | °C |
| TJ | La température de jonction fonctionnante | -55 à +150 | °C |
les estimations *These sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée.
Caractéristiques typiques

