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diode de redresseur 1N4004, diode Zener d'usage universel des redresseurs 18v

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
Diode 400 V 1A Traversant DO-41/DO-204AC
Catégorie:
Puces électroniques d'IC
Prix:
Negotiate
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Tension inverse répétitive maximale:
400 V
Tension maximum de RMS:
280 V
Tension inverse de C.C:
400 V
Tension en avant maximum @ 1,0 A:
1,1 V
Courant inverse maximum de chargement complet:
µA 30
Capacité de jonction typique:
15pF
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction

Offre courante (vente chaude)

Numéro de la pièce. Quantité Marque D/C Paquet
G30N60A4 1300 FAIRCHILD 15+ TO-3P
M74HC137B1R 1300 St 16+ IMMERSION
MB8421-12LP 1300 FUJITSU 16+ IMMERSION
MC33887DH 1300 FREESCAL 14+ HSOP-20
MSM6242BRS 1300 SUR 14+ DIP-18
NE22 1300 IR 14+ TO-220
OPA134PA 1300 BB 16+ DIP-8
OPA2134PA 1300 BB 16+ DIP-8
TC4560BP 1300 TOS/NEC/H 13+ IMMERSION
74HCT688N 1320 PHI 15+ IMMERSION
DM9161AEP 1320 DAVICOM 16+ QFP
M430F149IPM 1320 TI 16+ QFP64
SN74HC645N 1320 TI 14+ DIP20
BTA26-800B 1325 St 14+ TO-3P
LT3508EFE 1350 LINÉAIRE 14+ TSSOP16
UM3750A 1351 UMC 16+ CONCESSION
MC34051D 1388 SUR 16+ SOP16
FQP5N50C 1400 FAIRCHILD 13+ TO-220
IRFD420 1400 IR 15+ DIP-4
MAX1693EUB+ 1400 MAXIME 16+ MSOP10
TLP3063F 1400 TOSHIBA 16+ IMMERSION
MBRF10100CT 1420 SSG 14+ TO-220
VN920B 1422 St 14+ SMD
74HCT4538N 1431 14+ IMMERSION
H5DU2562 1450 HYNIX 16+ TSOP
CY8C26643-24AXI 1455 CRI 16+ QFP
AO4710 1458 AOS 13+ SOP8
LH5116NA-10 1472 DIÈSE 15+ CONCESSION
PAL007E 1480 PIONNIER 16+ ZIP-25
UCC27424DR 1491 TI 16+ SOP-8

1N4001 - 1N4007

Redresseurs d'usage universel de 1,0 ampères

Caractéristiques

• Basse chute de tension en avant.

• Capacité élevée de courant de montée subite.

Capacités absolues * MERCI = 25°C sauf indication contraire

Symbole Paramètre Valeur Unités
E/S

Courant rectifié moyen.

375" longueur d'avance @ MERCI = 75°C

1,0
si (montée subite)

Courant de montée subite en avant maximal

moitié-sinus-vague simple de 8,3 Mme

Superposé à la charge évaluée (méthode de JEDEC)

30
Palladium

Dissipation totale de dispositif

Sous-sollicitez au-dessus de 25°C

2,5

20

W

mW/°C

RθJA Résistance thermique, jonction à ambiant 50 °C/W
Tstg Température ambiante de température de stockage -55 à +175 °C
TJ La température de jonction fonctionnante -55 à +150 °C

les estimations *These sont des valeurs limites au-dessus dont l'utilité de n'importe quel dispositif de semi-conducteur peut être altérée.

Caractéristiques typiques

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