Pont redresseur de Schottky de diode de redresseur de MBRF20100CTG
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Offre courante (vente chaude)
| Numéro de la pièce. | Quantité | Marque | D/C | Paquet |
| BC847A | 22000 | 14+ | SOT23 | |
| AO4614 | 23145 | AOS | 14+ | SOP8 |
| MBTH10LT1G | 24000 | SUR | 14+ | SOT-23 |
| MBRB20100CT | 24400 | SUR | 16+ | TO-263 |
| SSM3K7002F | 24500 | TOSHIBA | 16+ | SOT-323 |
| PZT3906 | 24700 | PHILIPS | 13+ | SOT-223 |
| BZX84C2V7LT1G DESSUS | 25000 | SUR | 15+ | SOT-23 |
| DSS6NF31C223Q55B | 25000 | MURATA | 16+ | IMMERSION |
| HEF4093BT | 25000 | 16+ | CONCESSION | |
| L78M05CDT | 25000 | St | 14+ | TO-252 |
| LM358DR | 25000 | TI | 14+ | CONCESSION |
| NDC7002N | 25000 | FAIRCHILD | 14+ | SOT163 |
| PS2501-1 | 25000 | NEC | 16+ | SOP-4 |
| ST485BDR | 25000 | St | 16+ | SO-8 |
| TIP35C | 25000 | St | 13+ | TO247 |
| Z0607MA | 25200 | St | 15+ | TO-92 |
| W25Q80BVSSIG | 25210 | WINBOND | 16+ | SOP-8 |
| SMF05CT1G | 25410 | SUR | 16+ | SC70-6 |
| SRV05-4.TCT | 25780 | SEMTECH | 14+ | SOT163 |
| BZX84C5V1LT1G | 25888 | SUR | 14+ | SOT-23 |
| KBP310 | 26100 | SEPT | 14+ | DIP-4 |
| PCF8583P | 27000 | 16+ | DIP8 | |
| ER504 | 27111 | PANJIT | 16+ | DO-201AD |
| L78L33ACZ | 28000 | St | 13+ | TO-92 |
| BC817-16LT1G | 28000 | SUR | 15+ | SOT-23 |
| LVR016K | 28000 | RAYCHEM | 16+ | IMMERSION |
| FDC604 | 28750 | FAIRCHILD | 16+ | SOT23-6 |
| L7812CD2T | 28888 | St | 14+ | TO-263 |
| BC546B | 29000 | FAIRCHILD | 14+ | TO-92 |
| 1N4148 | 30000 | St | 14+ | SOD123 |
MBRF20100CT a préféré le dispositif
Redresseur de puissance de SWITCHMODETM Schottky
REDRESSEUR DE BARRIÈRE DE SCHOTTKY
20 AMPÈRES, 100 VOLTS
Le redresseur de puissance de SWITCHMODE utilise le principe de barrière de Schottky dans un métal de vaste zone à la diode de puissance de silicium. La géométrie de pointe comporte la construction épitaxiale avec la passivation d'oxyde et le contact de recouvrement en métal. Dans le meilleur des cas adapté à l'utilisation comme redresseurs dans les alimentations d'énergie de changement très de basse tension et à haute fréquence, les diodes de roulement libres et des diodes de protection de polarité.
Caractéristiques
• Jonction passivée par oxyde fortement stable
• Chute de tension en avant très basse
• Doubles assortis meurent construction
• Capacité élevée de la température de jonction
• Capacité élevée de dv/dt
• Excellente capacité de résister aux coupures inverses d'énergie d'avalanche
• Guardring pour la protection d'effort
• UL époxyde 94 V-0 @ 0,125 de rassemblements po
• Électriquement d'isolement. Aucun matériel d'isolement n'a exigé.
• Le paquet sans Pb est mécanicien d'Available*
Caractéristiques mécaniques :
• Cas : Époxyde, moulé
• Poids : 1,9 grammes (approximativement)
• Finition : Toutes les surfaces externes anticorrosion et avances terminales sont aisément Solderable
• La température d'avance pour le soudure : maximum 260°C pendant 10 secondes
ESTIMATIONS MAXIMUM (par jambe)
|
Estimation |
Symbole |
Valeur |
Unité |
|
Tension inverse répétitive maximale Tension inverse maximale fonctionnante Tension de blocage de C.C |
VRRM VRWM VR |
100
|
V
|
|
Courant en avant rectifié par moyenne (VR évalué), comité technique = 133°C Dispositif total |
SI (POIDS DU COMMERCE) |
10 20 |
|
|
Courant en avant répétitif maximal (A évalué VR, l'onde rectangulaire, 20 kilohertz), comité technique = 133°C |
IFRM |
20 |
|
|
Courant de montée subite maximal non répétitif (Montée subite appliquée à mi-onde évaluée de conditions de charge, à monophasé, 60 hertz) |
IFSM |
150 |
|
|
Courant de montée subite inverse répétitif maximal (2,0 s, 1,0 kilohertz) |
IRRM |
0,5 |
|
|
Température ambiante fonctionnante de jonction et de température de stockage (note 1) |
TJ, Tstg |
-65 à +175 |
°C |
|
Taux de tension du changement (VR évalués) |
dv/dt |
10000 |
V/s |
|
Tension d'isolement de RMS (t = 0,3 seconde, ≤ 30%, VENTRES de droit = 25°C) (note 2) par schéma 3 |
Viso1 |
4500 |
V |
Les efforts dépassant des estimations maximum peuvent endommager le dispositif. Les estimations maximum sont des estimations d'effort seulement. L'opération fonctionnelle au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées n'est pas impliquée. L'exposition prolongée aux efforts au-dessus des conditions de fonctionnement recommandées peut affecter la fiabilité de dispositif.
DIMENSIONS DE PAQUET
TO-220 FULLPAK
CAS 221D-03
QUESTION J
0402 couche épaisse Chip Resistor RC0402JR-0710KL de 0.063W 10kOhm SMT
200MHz MPZ1608S300ATAH0 Chip Beads 5A pour la ligne électrique TDK SMD0603
film SMD0402 Chip Resistors ERJ-2GEJ220X PANASONIC de 22R 5%
Varistance SMD bleu Chip Resistor de MOV-20D751K 750V 6.5kA 1 circuit par le disque 20mm de trou
Transistor planaire épitaxial de Pnp de redresseur de 2SB1261-TP 10W de silicium d'usage universel de diode
Transistor MOSFET polaire Hiperfet TO264 300V 140A de puissance d'IXFK140N30P
DF2B29FU, diodes de protection de H3F TV 24VWM 47V ESD
Bas VF Schottky redresseur MÉGA SOD123 de barrière de PMEG6010ER 1A
Les diodes de redresseur de barrière de Schottky de 3H DU MATIN de SK34SMA FONT - 214AC