L'électronique IC Chip Integarted Circuts de diodes de redresseur de DS90LV011ATMF/NOPB
diode rectifier circuit
,signal schottky diode
Une partie du bulletin de la cote
DIODO BAS16,215 | 1634/A6W | SOT-23 | |
C.I MC7915CTG | SUR | RBPH30C | TO-220 |
PAC 0603 47PF 50V 06035C470KAT2A | AVX | 1642 | SMD0603 |
RECHERCHE RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1636 | SMD0805 |
C.I SN74HC08N | TI |
64CCGPK 64CDTHK |
DIP-14 |
PAC 0805 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC | SAMSUNG | ACAHOSH | SMD0805 |
PAC CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTU | KEMET | 1603 | SMD0805 |
C.I L7812CV | St | 620 | TO-220 |
MT2060F-2 | MICRON | 1606-A4 | QFN48 |
SI9978DW-T1 | VISHAY | Y342AA | SOP-24 |
AT91SAM7X128-AU | ATMEL | 1324 | QFP-100 |
LTC3546EUFD#PBF | LINÉAIRE | 5B/1J | QFN28 |
M41T82RM6F | STM | EZ025 | SOP-8 |
NCT75DR2G | SUR | PXDJ | SOP-8 |
FM25CL64B-G | CYPRESS | 1525 | SOP-8 |
OPA2340UA | TI | 32D52 | SOP-8 |
ADM2587EBRWZ | L'ADI | 1641 | SOP-20 |
LAN8710Ai-EZK | SMSC | 1239 | QFN32 |
M30260F8AGP#U3A | RENESAS | 63803 | QFP48 |
Caractéristique
• Se conforme à la norme de TIA/EIA-644-A
• taux de changement de >400Mbps (200MHz)
• biais différentiel maximum de 700 picosecondes (100 picosecondes de typique)
• retard de propagation maximum de 1,5 NS
• Alimentation de l'énergie 3.3V simple
• signalisation différentielle de ±350 système mv
• De mise hors tension protection (sorties dans DE TROIS ÉTATS)
• Pinout simplifie la disposition de carte PCB
• Dissipation de puissance faible
• Paquet de SOT-23 5-Lead
• SOT-23 version Pin Compatible avec SN65LVDS1
• Fabriqué avec la technologie transformatrice avancée de CMOS
• Plage de fonctionnement industrielle de la température – (−40°C à +85°C)
Capacités absolues
(1) tension d'alimentation (VDD) −0.3V à +4V
Tension d'entrée de LVCMOS (TTL DEDANS) −0.3V à +3.6V
Tension de sortie de LVDS (OUT±) −0.3V à +3.9V
Court-circuit 24mA actuel de sortie de LVDS
Dissipation de puissance maximum de paquet @ +25°C
Le paquet 902 mW de DBV sous-sollicitent le paquet de DBV 7,22 mW/°C au-dessus de +25°C
Résistance thermique (θJA) 138.5°C/Watt
Température de stockage −65°C à +150°C
La température d'avance – +260°C de soudure (sec 4.)
La température de jonction maximum +150°C ESD
≥ 900V du ≥ 9kV EIAJ (0 Ω, 200 PF) de HBM d'estimations (1,5 kΩ, 100 PF)
≥ direct 4kV du CEI du ≥ 2000V de CDM (0 Ω, 0 PF) (330 Ω, 150 PF)

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