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L'électronique IC Chip Integarted Circuts de diodes de redresseur de DS90LV011ATMF/NOPB

fabricant:
Produit de fabrication
Description:
1/0 conducteur LVDS SOT-23-5
Catégorie:
Puces de circuits intégrés
Prix:
Negotiation
Méthode de paiement:
T/T, Western Union, Paypal
Caractéristiques
Température ambiante:
40°C à +85°C
terme de paiement:
T/T, Paypal, Western Union
Tension:
−0.3V à +4V
Actuel:
5A
Paquet:
SOT-23
Paquet d'usine:
3000/REEL
Point culminant:

diode rectifier circuit

,

signal schottky diode

Introduction
L'électronique IC Chip Integarted Circuts de diodes de redresseur de DS90LV011ATMF-NOPB
conducteur différentiel de grande vitesse simple de 3V LVDS

Une partie du bulletin de la cote

DIODO BAS16,215 1634/A6W SOT-23
C.I MC7915CTG SUR RBPH30C TO-220
PAC 0603 47PF 50V 06035C470KAT2A AVX 1642 SMD0603
RECHERCHE RC0805JR-0727RL YAGEO 1636 SMD0805
C.I SN74HC08N TI

64CCGPK

64CDTHK

DIP-14
PAC 0805 100NF 50V 5% CL21B104JBCNNNC SAMSUNG ACAHOSH SMD0805
PAC CER 0805 68PF 100V NP0 C0805C680J1GACTU KEMET 1603 SMD0805
C.I L7812CV St 620 TO-220
MT2060F-2 MICRON 1606-A4 QFN48
SI9978DW-T1 VISHAY Y342AA SOP-24
AT91SAM7X128-AU ATMEL 1324 QFP-100
LTC3546EUFD#PBF LINÉAIRE 5B/1J QFN28
M41T82RM6F STM EZ025 SOP-8
NCT75DR2G SUR PXDJ SOP-8
FM25CL64B-G CYPRESS 1525 SOP-8
OPA2340UA TI 32D52 SOP-8
ADM2587EBRWZ L'ADI 1641 SOP-20
LAN8710Ai-EZK SMSC 1239 QFN32
M30260F8AGP#U3A RENESAS 63803 QFP48

Caractéristique

• Se conforme à la norme de TIA/EIA-644-A

• taux de changement de >400Mbps (200MHz)

• biais différentiel maximum de 700 picosecondes (100 picosecondes de typique)

• retard de propagation maximum de 1,5 NS

• Alimentation de l'énergie 3.3V simple

• signalisation différentielle de ±350 système mv

• De mise hors tension protection (sorties dans DE TROIS ÉTATS)

• Pinout simplifie la disposition de carte PCB

• Dissipation de puissance faible

• Paquet de SOT-23 5-Lead

• SOT-23 version Pin Compatible avec SN65LVDS1

• Fabriqué avec la technologie transformatrice avancée de CMOS

• Plage de fonctionnement industrielle de la température – (−40°C à +85°C)

Capacités absolues

(1) tension d'alimentation (VDD) −0.3V à +4V

Tension d'entrée de LVCMOS (TTL DEDANS) −0.3V à +3.6V

Tension de sortie de LVDS (OUT±) −0.3V à +3.9V

Court-circuit 24mA actuel de sortie de LVDS

Dissipation de puissance maximum de paquet @ +25°C

Le paquet 902 mW de DBV sous-sollicitent le paquet de DBV 7,22 mW/°C au-dessus de +25°C

Résistance thermique (θJA) 138.5°C/Watt

Température de stockage −65°C à +150°C

La température d'avance – +260°C de soudure (sec 4.)

La température de jonction maximum +150°C ESD

≥ 900V du ≥ 9kV EIAJ (0 Ω, 200 PF) de HBM d'estimations (1,5 kΩ, 100 PF)

≥ direct 4kV du CEI du ≥ 2000V de CDM (0 Ω, 0 PF) (330 Ω, 150 PF)

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MOQ:
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